Bi_2Ti_4O_(11)的软模相变研究

一、引言 1962年,Subbarao等的热膨胀和介电测量表明,Bi_2Ti_4O_(11)在大约250℃处存在一个相变。这一结果首先得到了高温(300℃)下拉曼实验的证实,发现相变与随温度变化的最低频软模有关。在先前的工作中。我们报道了它的静高压下的拉曼振动光谱,实验结果表明,—个压致软模相变发生在3.7GPa处。还发现传压介质的性能对最低频软模的强度、线宽、在     

高压下铜的3d能带结构

本文用LCAO方法,考虑到被前人忽略了的次近邻作用和重迭积分,用Richardson的铜的Hartree-Fock解析波函数以及Fletcher对晶体位场的处理方法,在0,100和410GPa压强下,计算了铜的3d电子能带,并计算了能带顶部的有效质量、状态密度、能带宽度和平均动能。其结果定量地说明了铜的3d电子随压强的增加逐步变成为非局域电子。     

六角氮化硼层间结合能的计算

本文利用Lennard-Jones势和库仑势计算了不同尺寸的hBN和rBN片的层间结合能,得出了hBN向rBN转变要跨越的势垒以及E_f(rBN)0等结果。     

微波方法制备(100)晶面取向的金刚石薄膜

采用MWPCVD制备金刚石膜的方法 ,以甲烷和一氧化碳为碳源气体 ,在适当的衬底温度与反应气体配比条件下 ,通过使衬底匀速转动 ,合成出具有 (10 0 )晶面取向的均匀生长的金刚石薄膜 ,在优化的工艺条件下这种定向金刚石膜的生长与单晶硅衬底的类型没有明显的直接关系 .     

微波方法制备(100)晶面取向的金刚石薄膜

采用ＭＷＰＣＶＤ制备金刚石膜的方法,以甲烷和一氧化碳为碳源气体,在适当的衬底温度与反应气体配比条件下,通过使衬底匀速转运,合成出具有晶面取向的均匀生长的金刚石薄膜,在优化的工艺条件下这种定向金刚石膜的生长与单晶硅衬底的类型及没有明显的直接关系。     

YBa_2Cu_3O_x系烧结过程中电阻及结构的变化

为获得高Tc超导材料,在选定金属氧化物及其化学配比后,烧结过程是极为重要的。本文对YBa_2Cu_3O_x样品在高温下电阻行为进行了实际跟踪测量,以探讨YBa_2Cu_3O_x系烧结过程中电阻变化与结构变化的规律。     

Nd_xBi_(2-x)Ti_4O_(11)体系的喇曼光谱及软模行为的研究

本文合成出了系列样品Nd_xBi_(2-x)Ti_4O_(11),得到了它们在常温常压下的溂曼光谱。实验结果表明,体系在x=0.3和1.2处经历了两次相变。且第一次相变与最低频声子模随Nd~(3+)的浓度x“软化”有关。     

微波等离子体CVD方法制备金刚石薄膜

采用微波等离子体化学气相沉积方法分别在CH4／H2，CO／H2和（CH4＋CO）／H2气体体系下合成了金刚石薄膜．结果表明，所合成的金刚石薄膜具有明显的柱状生长特性和较高的品质，（CH4＋CO）／H2体系合成的金刚石薄膜具有较高的生长速率和（100）晶面定向生长的特性．