高压对大麦种子萌发的影响及诱变的DNA分子指纹分析

利用不同静水压力处理萌动的大麦种子, 保压2 h， 发现高压对大麦种子萌发及幼苗生长均有一定的抑制作用，大麦发芽率和成苗率明显下降，压力达到200 MPa时不再有幼苗成活. 高压处理后 幼苗中出现了表型发生变异的植株，选取不同压力处理中表型变异最明显的3棵单株： P₁,P₂,P₃,， 以ISSR(inter simple sequence repeat) 和RAPD(random amplified polymorphic DNA)手段对其进行DNA指纹图谱分析， 用选取的21个ISSR引物和19个RAPD引物分别扩增出391和229条带，多态性条带比率 (PPB)分别为4993%和5859%，在 P₂和P₃中，两种标记分别扩增出112和113多态条带，ISSR检测中原种与P₂的平均绝对距离系数为0.136　1， 与P₃的平均绝对距离系数为0.116　5. RAPD检测中原种与P₂的平均绝对距离系数为0.151 3，与P₃的平均绝对距离系数 为0.195　9. 结果显示， 原种与P₂,P₃在ISSR和RAPD的检测中DNA的多态性十分明显. 本研究进一步证实， 高压是诱导种子植物变异的一种行之有效的新方法.     

发展中的高温高压布里渊散射系统

介绍布里渊散射原理和布里渊散射光谱仪及在高温高压等极端条件下的原位布里渊散射实验测量系统的发展, 建立了国内首家高温高压原位布里渊散射测量系统, 并在该系统上完成部分工作.      

以Er/Ni为催化剂合成碳纳米管及其生长机制以Er/Ni为催化剂合成碳纳米管及其生长机制

以Er/Ni为催化剂采用直流电弧放电法合成单壁碳纳米管(SWNTs), 并用扫描电子显微镜、 透射电子显微镜、 拉曼光谱及X射线衍射对电弧放电后 的产物进行表征. 结果表明, 以Er/Ni为催化剂与Y/Ni和Ho/Ni为催化剂合成碳纳米管的直径分布相近, 其直径分布为1.35~1.65 nm, 以1.5 nm为直径的碳纳米管占多数. 对阴极沉积物的X射线衍射分析可知, 稀土元素Er在电弧放电过程中形成稀土碳化物是合成SWNTs产率高的重要因素.      

用热解化学气相沉积方法合成金刚石膜

众所周知,金刚石不仅是最好的超硬耐磨材料,而且也是一种理想的功能材料。 1976年苏联科学家Derjaguin等人用化学输运反应方法首次在非金刚石衬底上合成出金刚石膜,1981年Spitsyn等人对该金刚石膜的合成机理进行了探讨。由于低压法合成金刚石可以在大面积的各种衬底上沉积出粒状或膜状金刚石,因此它将为金刚石在电子工业,光学工业和空间技术等重要领域的广泛应用开拓了崭新的局面。     

激光修饰金刚石膜的表面抛光技术

化学气相沉积(CVD)金刚石为多晶材料,其表面多为杂乱分布晶粒的堆积,尤其是金刚石厚膜,其表面堆积的大晶粒显露出明显的棱角,表面相当粗糙.而金刚石膜在电子学等领域的应用要求其表面具有较好的光洁度,以便形成良好的接触表面.同时受到合成工艺条件的影响,使生长的膜在厚度的一致性方面很差,特别是用灯丝热解CVD(HFCVD)和电子增强CVD(EACVD)方法合成的金刚石膜,一般膜厚度的不均匀性在平均厚度的±20%范围内变化(表面积为1cm×1cm).这种表面粗糙厚度不一致的膜不能直接得到应用,否则由于接触和厚度的一致性差而造成的缺陷将完全掩盖金刚石膜在电子学等领域的应用优势,其效果可能比不用金刚石膜还差.因此对金刚石膜表面必须进行抛光以获得较好的光洁度,同时要解决厚度一致性差的问题.     

丙酮对金刚石膜生长速率的影响

采用灯丝热解化学气相沉积方法，在不同的碳源气体气氛中合成金刚石薄膜，并研究不同工艺条件下的金刚石膜生长速率．结果表明，在较低的灯丝分解气体温度和较近的灯丝与衬底距离条件下，以丙酮为碳源气体合成的金刚石膜具有较高的生长速率和较好的质量．     

Al-AlN纳米粉在空气中热处理产物的结构与形貌分析

利用 Ｘ 射线衍射光谱（ Ｘ Ｒ Ｄ）和透射电子显微镜（ Ｔ Ｅ Ｍ ）对 Ａｌ Ａｌ Ｎ 纳米粉在空气中不同热处理条件的产物结构与形貌进行分析． 结果表明， 原料的结构及加热过程是决定产物性质的主要因素．     

纳米结构ZrO2(Y)和ZrO2(Y)-Al2O3粉体 低温退火前后的结构和性质

研究等离子体-化学方法制备的纳米结构ZrO     

室温下Fe_(79)Ni_(19)Mn_2合金的压致bcc→hcp相变

采用Mao-Bell型金刚石对顶砧及高压在位粉末X光衍射照相方法,研究了Fe_(79)Ni_(19)Mn_2合金在室温下,0～41.0 GPa压力范围内的压致结构相变和等温压缩行为。实验结果表明,该合金在低压时为bcc结构,在10.6 GPa压力附近出现压致bcc→hcp结构相变。二相共存压力区约12GPa。卸压到常压时,又恢复到bcc结构。用Murnaghan等温固体状态方程对合金的压缩数据进行最小二乘法拟合,得到了bcc相和hcp相的状态方程参量。对hcp相的晶格参数比小于1.633及存在宽范围的二相共存压力区进行了讨论。     

沉积高品质金刚石薄膜的MWPCVD系统

建立了用于沉积高品质金刚石薄膜的微波等离子体化学气相沉积系统，并对该系统的工作性能进行了研究．