可编程逻辑器件及其在DSP系统中的应用

介绍了PLD(可编程逻辑器件 )的技术特点 ,并针对当前DSP系统中串并转换器选择调试困难的特点 ,提出利用PLD开发DSP系统中高速串行到高速并行的数据转换传输技术 ,以简化电路及程序编制 .使设计透明化 ,简易化 ,并结合实例 ,给出了新型串并转换器的原理图、时序图和设计要点 .     

溅射时间对脉冲激光沉积制备β-FeSi2薄膜的影响

本文基于脉冲激光沉积 (PLD)方法及热退火处理方式,利用输出波长为1064 nm的Nd:YAG脉冲激光器在P型Si (100) 衬底上生长了均匀的单相 β-FeSi₂薄膜。采用X 射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)分析技术,研究了β-FeSi₂薄膜的结构、组分、结晶质量和表面形貌。结果发现,在其他相同沉积条件下,随着溅射时间的增加,薄膜晶化程度、颗粒大小和形状、表面粗糙度都发生规律性变化,通过分析比较得出,在本实验条件下溅射时间为40 min制备的 β-FeSi₂薄膜结晶质量较好。     

氧离子束辅助激光淀积生长ZnO/Si的椭偏仪及背散射研究

通过对ZnO/Si(111)样品的椭偏仪及背散射(RBS)测量及分析,探究了氧离子束辅助(O^ -assisted)脉冲激光淀积(PLD)生长ZnO／Si的薄膜厚度。     

Highly <Emphasis Type="Italic">C</Emphasis>-axis oriented LiNbO<Subscript>3</Subscript> thin film on amorphous SiO<Subscript>2</Subscript> buffer layer and its growth mechanism

LiNbO3 waveguiding films with highly C-axis orieatation and superior crystallographic quality have been deposited on the amorphous SiO2 buffer layer of Si wafer by pulsed laser deposition (PLD) technique. X-ray diffraction,high-resolution electron transmission microscopy and atomic force microscopy were applied to characterizing the quality and orientaion of LiNbO3 thin film, and the optimized depositioa coaditioas have been determined for C-axis oriented growth. LiNbO3 thin films on amorphous SiO2 buffer layer were composed of intimate arrangements of quadrangular single crystal domain (150 nm x 150 nm) with C-axis orientatioa, and displayed sharp interface structures. The measurements of prism coupling technique indicate that the laser can be coupled into the LiNbO3 film and TE and TM waveguiding modes were detected. In addition, the possible mechanism of oriented growth on amorphous buffer layer and “film-substrate effects“ were discussed briefly, which suggests that its growth mechanism is likely analogous to the Voimer model with characteristics of three-dimensional islands nucleation on the smooth crystal surface.     

沉积温度对ZnO薄膜波导的PLD生长影响的实验研究

采用PLD(脉冲激光沉积)技术在单晶硅(100)基片上制备出性能优良的ZnO薄膜,并通过XRD(X射线衍射仪)和SEM(扫描电镜)检测了其结晶情况,并分析了其沉积温度和结晶质量之间的相互关系,结果表明600℃时沉积的氧化锌薄膜材料的结晶性能最好。     

La0.5Sr0.5CoO3多晶靶材的制备研究

为制备出纯度高、单一物相、致密的、符合后期PLD(Pulsed Laser Deposition)镀膜所用要求的LSCO (La0.5Sr0.5CoO3)靶材,对LSCO的制备方法及其过程进行了分析研究.采用半共沉淀法,LSCO前驱物经900 ℃预烧、研磨,可制得纯度高、物相单一的LSCO粉体;用干压方法成型,在不同的温度下对其烧结,通过研究烧结体的XRD图谱、吸水率和密度并结合LSCO粉体的DSC-TG曲线,确定出制备LSCO多晶靶材的最佳烧结温度为1200～1250 ℃,比用固相法制备粉体的靶材烧结温度降低了100～150 ℃.     

用PLD法在MgO（100）衬底十生长ZnO薄膜的结构和光学特性

用脉冲激光沉积法在MgO（100）衬底上沉积了ZnO薄膜．衬底温度分别为400℃、550℃和700℃．利用X射线衍射（XRD）和光致发光谱（PL）对薄膜的结构和光学性能进行研究．x射线衍射的结果表明，在400℃和550℃下生长的ZnO薄膜具有高度c一轴择优取向．仉足当衬底温度升高到700℃时，薄膜由单一的择优取向变为有两个较强的择优取向．通过光致发光谱可以发现，在550℃下生长的ZnO薄膜具有强的紫外发射和窄的FWHM，并且紫外发光峰的强度与ZnO薄膜的结晶质量密切相关．     

退火处理对氧化锌薄膜的特性影响

用脉冲激光沉积法（PLD）制备氧化锌薄膜，600℃进行退火处理，分别从XRD衍射谱、原子力显微镜（AFM）照片及光致发光等方面对薄膜结构等进行研究并探讨退火处理对薄膜的影响．     

针对PAL器件分析的一种新型算法——PLS算法

本文针对 PAL 器件的分析提出一种新型逻辑综合算法,即 PLS 算法。算法应用 H—L 原理,采用自然组合生成立方,并可提前剔除与函数无关的变量,此外还运用了一种快速吸收算法。程序实现采用了位串式数据结构,并实行对变量分组化简,对组合反馈做了必要的处理。在时间和空间的占用以及求得函数的无冗余最小复盖方面都取得了满意的结果.     

基于PLD的代码转换器的逻辑实现

随着逻辑芯片功能的不断完善,数字设计的方法和途径不断拓展,此文就门电路、MSI功能块和PLD器件等各种芯片的功能扩展进行了探讨,并利用这些器件设计出较为实用的二进制码转换为GRAY码的代码转换器。