Bi_(1.6)La_(0.4)Ti_2O_7薄膜的制备及性能研究

采用化学溶液沉积法在ITO基片上制备不同退火温度的掺镧钛酸铋Bi1.6La0.4Ti2O7(BLT)薄膜。研究了其结构、介电性能、漏电流密度与外加电压I-V关系曲线和光学带隙。XRD射线衍射测试结果表明,经500、550、600℃1 h退火后的薄膜的主晶相为烧绿石结构,无杂相生成,600℃时BLT薄膜衍射峰比其他两种温度的强。在1 kHz频率下测得的介电常数、损耗因子分别为114,3%;129,3%;194,6%。BLT薄膜的漏电流密度与外加电压关系曲线表明,BLT薄膜600℃的漏电流比550和500℃稍微减小。通过透射谱分析得到BLT薄膜的光学带隙几乎不受温度影响,均为3.7 eV。这些结果表明制备BLT固溶体薄膜较佳为退火温度600℃,具有较好的性能,在光电器件有良好的应用前景。     

GdFeCo磁光薄膜飞秒激光感应反常磁滞回线研究*

该文使用飞秒时间分辨泵浦-探测磁光克尔光谱技术,研究了飞秒激光加热GdFeCo磁光薄膜跨越铁磁补偿温度时,净磁矩方向发生转变而引起磁化反转的反常克尔磁滞回线。通过测量不同激发功率下以及不同泵浦脉冲数下的反常克尔回线,揭示反常回线包含连续脉冲激发产生的积累效应以及外场磁化史的记忆效应,对反常回线的形成起源做了深入探索和详细研究。研究结果对于深入理解GdFeCo合金薄膜中稀土-过渡金属间的反铁磁耦合特性以及磁化反转的机理具有重要意义。     

烧结温度对La0.7Ca0.2Sr0.1MnO3微结构和磁电阻性能的影响

研究烧结温度对La0.7Ca0.2Sr0.1MnO3陶瓷中层状微结构和磁电阻的影响。结果表明:从1 050℃开始,随着烧结温度的升高,层状结构更加完善,层的厚度也逐渐增大;但烧结温度增至1 450℃后,试样经过重结晶,其层厚减小,X射线衍射的结果表明其相结构已向具有更低对称性的结构转变。在相同的外加磁场下,1 450℃烧结试样的磁电阻率明显高于其它温度烧结试样的磁电阻率。实验证明La0.7Ca0.2Sr0.1MnO3材料在合适的烧结温度下可达到较高的磁电阻率。     

沉积温度对ZnO薄膜波导的PLD生长影响的实验研究

采用PLD(脉冲激光沉积)技术在单晶硅(100)基片上制备出性能优良的ZnO薄膜,并通过XRD(X射线衍射仪)和SEM(扫描电镜)检测了其结晶情况,并分析了其沉积温度和结晶质量之间的相互关系,结果表明600℃时沉积的氧化锌薄膜材料的结晶性能最好。     

化学溶液沉积法制备BiFeO_3薄膜的结构及性能研究

采用化学溶液沉积法在ITO玻璃基片上制备铁酸铋Bi Fe O3薄膜。薄膜呈纯钙钛矿结构,无杂相生成。此外,薄膜表面光滑致密、没有微裂痕。薄膜得到的晶粒尺寸较小,约为45 nm。在550℃1 h退火的薄膜有良好的电学特性,在1 k Hz频率下测得的相对介电常数、损耗因子分别约为198、3%;此外,在760 k V/cm电场驱动下,薄膜得到的剩余极化(2Pr)约为25μC/cm2,矫顽电场(2Ec)约为650 k V/cm。BFO薄膜在550℃退后,通过吸收光谱分析得到BFO薄膜的光学带隙为2.7 e V。这些结果表明,退火温度550℃制备的Bi Fe O3固溶体薄膜具有较好的性能,有望成为光电器件的候选材料。     

多光子(n≥2)荧光共焦成像特性

研究了有限尺寸光源和探测器的任意多光子荧光过程(n≥2)不同波长荧光共焦成像的分辨率,导出了相应的三维强度脉冲响应函数和光学传递函数[3D OTF],证明多光子过程可以克服光源和探测器有限孔径、荧光波长增大对系统3D OTF的不利影响;获得了普遍的点源、点探测器系统的光学传递函数[3D OTF]横向、纵向截止频率和相应的通频带(也适用单光子荧光情况).     

研究性学习理念指导下的玩具实验教学

实验教学在物理教学中的重要地位已经众所周知.为突破器材、场地的限制,充分发挥实验教学的教育功能,必须拓展实验资源和优化实验方法.针对玩具的物理特点和刺激功能,可以利用生活中的玩具开展实验教学.本文根据玩具实验教学的特点,在研究性学习理念的指导下,提出了玩具实验教学的教学模式;并通过实例分析,具体说明玩具实验教学在激发学生学习主动性和培养创新能力方面所具有的独特教育功能;旨在引起人们注重玩具的实验教学功能,促进素质教育的发展.     

集群系统的管理及性能测试

探讨了广泛应用于集群系统管理的Torque和Maui的功能与特点,并且通过我们编写的用于格点量子色动力学模拟计算的软件测试了我们的集群的性能.