自组装成膜技术及其研究进展

对近几年界面科学、分子工程学等领域研究最多的自组装薄膜技术进行了总结，介绍了其发展历史，从组装物种之间作用力的不同分别介绍了配位键自组装、氢键自组装、静电自组装等。自组装材料在很多方面都有着重要的潜在应用，     

二苯基硫脲自组装膜电极的制备及其特性

藉金硫键将二苯基硫脲组装在金电极上,形成二苯基硫脲自组装膜电极.利用循环伏安法(CV)和微分脉冲伏安法(DPV),考察氧化还原指示剂在自组装膜上的电子传递过程,并运用离子通道理论探讨膜电极与醋酸根阴离子的作用机理.实验结果表明,二苯基硫脲自组装膜电极在1.0 mol.L-1,V(氯化钾)∶V(乙氰)为3∶2的混合底液中,随着加入醋酸根阴离子阴离子的增加,指示剂的氧化还原峰峰最流增大,峰形查逆性变好,且DPV峰电流与醋酸根阴离子浓度在0~0.07 mol.L-1范围内呈现线性关系.     

硫代乙醇酸自组装膜电极的电化学性质及米吐尔在组装电极上的电化学行为

研究了硫代乙醇酸自组装电极的电化学性质,运用循环伏安,计时电量,扫描电镜对电极进行了表征.发现米吐尔在此电极上只出现一对可逆的氧化还原峰,其峰型对称,△Ep=36mV,ipc/ipa约等于1.计算了米吐尔电催化氧化的电子转移数n=2和扩散系数Ds=3.699×10-5cm2/s.探寻了其电促进机理.利用LSV法确定了其氧化峰电流与米吐尔浓度的线性关系,检测限达2.5×10-8mol/L,成功用于显影液中米吐尔的测定.同时也讨论了对苯二酚和邻苯二酚对米吐尔的影响.     

电解质溶液浓度对铜/硫醇自组装膜缓蚀行为的影响

采用交流阻抗法首次研究了在不同浓度的NaCl和HCl溶液中十八－硫醇自组装置对铜电极的缓蚀行为。实验结果表明随NaCl和HCl溶液浓度的增加，十八－硫醇自组装膜对铜电极的缓蚀能力降低。     

pH对半胱胺自组装膜在Fe(CN)63-/4- 溶液中的循环伏安的影响

以Fe（CN）6^3-/4-作为探针离子，用循环优安（CV）方法，对半胱胺自组装膜进行研究；通过改变溶液的pH，研究溶液中H^＋浓度对半胱胺自组装膜在Fe（CN）6^3-/4-溶液中电化学行为的影响；利用电流滴定的方法得出半胱胺自组装膜的表面解离常数（表面pKb）．     

一类巯基衍生卟啉的合成及其电化学性质研究

以香草醛、苯甲醛和吡咯为起始原料合成了3种新型尾式巯基卟啉和相应的钴卟啉,用IR、UV-Vis和1HNMR进行了表征.将巯基衍生卟啉自组装在金电极表面,用电化学方法研究了自由碱卟啉和金属卟啉自组膜性质的差异.     

磁头表面氟代硅烷自组装膜的制备和表征

采用分子自组装成膜技术,在磁头表面制备了1H,1H,2H,2H-全氟癸烷基三乙氧基硅烷(FTE)自组装膜。使用时间飞行二次离子质谱仪(TOF-S IM S)、X射线光电子能谱仪(XPS)、原子力显微镜(AFM)和接触角测量仪对FTE自组装膜进行了表征。XPS测得的FTE自组装膜C 1s谱图中有分谱出现在287.905 eV位置,这证明FTE分子以C—O—S i键与磁头表面结合。通过分析TOF-S IM S测量的不同反应时间的膜厚和其对应的AFM表面形貌图发现,FTE自组装膜形成过程分为表面亚单层膜低覆盖、表面亚单层膜中等覆盖、团聚和聚结4个阶段。实验结果表明,控制反应时间可以在磁头表面制备超薄平整的FTE自组装膜,膜厚为(1.20±0.01)nm,表面粗糙度小于0.2 nm。该层超薄膜使磁头对水的接触角增加到110.5°±0.1,°令磁头的疏水性能得到很大提高,进而较大幅度地提高了磁头表面的抗污染能力。     

电子传输过程对硫醇自组装单层膜结构的影响

应用交流阻抗技术及循环伏安技术研究了十八硫醇修饰的金电极在Fe(CN)63-/4-溶液中的电化学行为,提出电化学氧化还原过程中的电子传输可以诱导十八烷基硫醇自组装单分子层膜结构的一定重组,使其变得更加均一有序.     

Electrochemical behavior of a series of azobenzene self-assembled monolayers on gold

Conclusion This work shows that the structures of C_n AzoC₂ (n = 1, 2, 3, 4) SAMs are significantly different and influence the observed electrochemical behavior of these novel azobenzene systems. The sluggish electron-transfer kinetics of azobenzene SAMs were explained by the alkyl spacer between azobenzene and electrode, the spatial inhibition for structural change in the redox process of azobenzene, as well as the ion-transportation barriers. For decrease of the apparent electrontransfer rate constants with increasing the length of end-groups, and the electrochemical inaccessibility of C₄AzoC₂ SAMs, the spatial inhibition for structure conformational change and ion-transportation was considered as the predominant factor.     

InP衬底上LP-MOCVD生长InAs自组装量子点

报道利用低压金属有机化学气相沉积（LP－MOCVD）技术在（001）InP衬底上生长InAs自组装量子点的结果，用光致发光技术观察到较强的室温光荧光谱，其峰值波长约为1603um，分布在1300um~1700um范围内，半高峰宽为80meV