基于小信号模型的新型Buck变换器补偿网络设计

对Buck变换器主电路在CCM工作模式下进行动态小信号分析,详细推导其状态方程得出小信号模型.先后设计3种闭环控制补偿网络,即PD,PID和双极点-双零点补偿网络,推导出补偿网络后系统的开环传递函数,由Matlab仿真出补偿网络补偿前后的开环传递函数的伯德图.结果表明,双极点-双零点补偿网络设计后,相角裕度为51.1°,稳态误差为0,在高频段幅频特性的下降频率为-40 d B/dec,获得了更好的稳态和动态性能,能更好地抑制高频干扰,这对研究其他开关电源有着非常好的借鉴作用.     

强桶空间的特征性质

强弱拓扑一致的Ｈａｕｓｄｏｒｆ局部凸线性拓扑空间叫做强桶空间．给出了强桶空间的对偶特征，局部特征，整体特征和非线性刻划．利用这些特征得到了强桶空间的基本性质．设Ｘ是Ｈａｕｓｄｏｒｆ的局部凸线性拓扑空间，则下列条件等价：（１）Ｘ是强桶空间；（２）Ｘ′的每个σ（Ｘ′，Ｘ）有界集都是有限维的；（３）Ｘ的每个桶都是含有限余维子空间的零点邻域；（４）Ｘ上的每个下半连续半范数都是在某相应的有限余维子空间上为零的连续半范数；（５）Ｘ上的每个下半连续凸函数都在某相应的含有限余维子空间的零点邻域上上方有界．此外，强桶空间是桶空间；任意多个强桶空间的乘积是强桶空间；强桶空间的分离商空间是强桶空间；强桶空间的完备化空间是强桶空间     

经尿道前列腺等离子双极电切术的护理配合

经尿道前列腺等离子双极电切术(PK)是目前治疗前列腺增生(BPF{)最安全的一种新技术，比传统的经尿道前列腺电切除效果好，具有低温切割、热损伤轻、汽化止血、效果好、术中出血少、术后恢复快、不需负极板及生理盐水为冲洗液等特点。手术室护士应全面手解手术过程，提高护理配合质量，缩短手术时间，减少手术并发症。我院自2003年9月～2004年9月对110例BPH患者行PK术，效果满意，现将护理体会报告如下。     

一种基于线性啁啾光纤光栅的啁啾编码光码分多址接入系统

提出一种新的双极性啁啾编码光码分多址接入（OCDMA）系统。该系统采用线性啁啾布拉格光纤光栅和光纤延迟线将数据比特扩频成由正或负啁啾光脉冲组成的扩频序列，并对多用户干扰和误码率进行了深入分析，探讨了系统误码率与地址码码长和光纤光栅的脉冲展宽因子的关系。结果表明，通过增大脉冲展宽因子可以有效降低该系统的误码率。     

中频熔炼炉联机改造及应用

论述了中频机组与绝缘栅双极晶体管[IGBT]中频炉体联机改造过程中电气参数的调整,联机后机器运转状态与改造结果.     

RTD/HPT单片集成的光控D触发器

本文从量子力学和微电子学角度,运用共振隧穿二极管、光敏异质结双极晶体管的电路模型成功的建立由RTD与HPT集成的D触发器电路模型,并运用Pspice模拟软件模拟了D触发器的特性。通过模拟阐述了由RTD与HPT集成的D触发器的工作原理;通过电路模拟体现了RTD的高速高频,HPT的响应速度快、光电流增益高的特点。     

基于SiGe BiCMOS的全集成射频功率放大器设计

提出了一种基于SiGe BiCMOS工艺的适用于移动设备的紧凑全集成功率放大器.设计采用cascode驱动级与共发射极功率级级联以提高放大器的功率增益,片上集成CMOS电源以提供偏置电流,采用分布式的镇流电阻和具有热负反馈效果的偏置电路补偿结温以防止放大器在高温工作时失效,并且采用一种紧凑的电路级的热耦合模型对所提出的热稳定措施进行仿真验证.后仿结果表明：PA在3.3 V供电下、2.4~2.5 GHz的工作范围内输出增益为32.5 dB,S11&S22<-10 dB,1 dB压缩点处的输出功率为25.4 dBm,在25 ℃的环境温度下最高结温小于65 ℃（饱和）.芯片面积仅为1.25×0.76 mm2.测试结果表明：在-45~85 ℃的工作环境下,可以在增益要求为26.5~32.9 dB的应用中正常工作.1 dB压缩点处的输出功率为24.3 dBm.采用 20 MHz 64-QAM OFDM信号测试,DEVM达到-30 dB的输出功率为18.1 dBm.     

基于PWM控制的直流电机控制系统的设计

运用Ｈ型双极模式ＰＷＭ控制的原理,采用电流速度双闭环控制方式,设计一个基于ＰＷＭ控制的直流电机控制系统,并设计了软启动电路和完善的保护,确保直流电机控制系统准确,可靠运行。     

高速低耗BiCMOS OC门及其线与逻辑系统

为了满足高速度、低功耗数字逻辑系统的应用需求，运用改进电路内部结构和优化选取器件参数的方法，设计了4种双极互补金属氧化物半导体集电极开路（BiCMOS OC）门，并且用它们构成了线与逻辑系统；藉助两个BiCMOS OC门线与系统推导出其上拉电阻RL的计算式；对所设计的4种BiCMOS OC门和一种传统的TTL OC门线与系统进行了仿真试验和硬件电路试验．长工验数据和分析结果表明，所设计的BiCMOS OC门线与系统的电源电压均可为2．6—4．0V，工作速度与TIL OC门线与系统相接近，在60MHz测试条件下它们的功耗比TTL OC门减少4．77—5．68mW，且它们的延迟一功耗积平均降低了45．5％．     

用双极对槽号相位图设计双层远极比变极绕组

以72槽4／32极绕组为例，详细介绍了如何利用双极对槽号相位图设计双层远极比变极绕组的方法．结果表明，利用该方法设计远极比变极绕组非常有效．