二硫化铁光电薄膜的制备技术的研究现状

黄铁矿结构的二硫化铁(FeS2)是一种具有合适的禁带宽度(Eg≈0.95eV)和较高光吸收系数(当λ≤700nm时,α=5×105cm-1)的半导体材料,而且其组成元素在地球上储量丰富、无毒,有很好的环境相容性.因此,FeS2薄膜在光电子以及太阳能电池材料等方面有潜在的应用前景,受到人们的广泛关注.本文从不同制备方法所制备出的二硫化铁薄膜的研究结果,分析二硫化铁薄膜的研究现状.     

一种光伏阵列实时状态监测与故障定位系统

开发一种光伏阵列状态监测和故障定位系统,该系统将连续采集、 间歇采集、 自动定时采集、 故障检测定位等功能集成到统一的Matlab平台. 提出一种“阈值法－Hampel辨识法”相结合的光伏阵列离群值检测算法,该算法通过比较不同光伏组串瞬时电流进行异常检测实现故障定位. 基于实验室光伏并网发电平台上的故障模拟,重点研究了线线故障和失配故障条件下的故障检测与定位. 实验结果表明：该系统能够自动定时采集光伏电气特性数据并快速、 准确地判断是否发生故障及实现故障组串定位,具有良好的应用前景.     

催化金属薄膜对MOS结构MEMS氨敏传感器性能的影响

利用MEMS技术,在硅平面上经过热氧化、掺杂、溅射、光刻、清洗等工艺,制成MOS结构的氨敏传感器,并将双加热器和测温器集成于一体.该传感器的栅极是以Pd栅为主,同时修饰多种金属薄膜.通过研究修饰催化金属薄膜的种类以及薄膜的厚度对传感器的灵敏度和选择性的影响,结果表明:采用多种金属薄膜混合修饰栅极表面的传感器对氨气有较好的选择性和稳定性;催化金属薄膜厚度在10～30nm时,该传感器对氨气最敏感.     

硫化温度对两步法制备FeS2薄膜性能的影响

在553 K、573 K、603 K、653 K、673 K硫化温度下用两步法制备FeS2薄膜。分析了所制薄膜的结构及光电性能等,同时还研究了硫化温度对两步法制备FeS2薄膜的影响规律。     

Cu2ZnSnS4/Zn(O，S)异质结薄膜太阳电池的数值仿真

采用SCAPS软件,对CZTS/Zn(O,S)/Al:ZnO结构的薄膜太阳电池进行数值仿真,主要模拟研究Zn(O,S)的禁带宽度和电子亲和势、缓冲层的厚度及掺杂浓度、环境温度对电池性能的影响.结果表明:当Zn(O,S)的厚度和载流子浓度分别为50 nm和10~(17)cm~(-3)时,电池的转换效率可达14.90%,温度系数为-0.021%K~(-1).仿真结果为Zn(O,S)缓冲层用于CZTS太阳电池提供了一定的指导.     

利用2DGRA-BiLSTM模型的日前光伏功率曲线预测方法

为了克服光伏发电固有的间断性和波动性对电网稳定性的负面影响,提出一种二维灰度关联分析-双向长短期记忆神经网络(two-dimensional grey relational analysis and bidirectional long short-term memory network, 2DGRA-BiLSTM)模型,用于实现日前光伏功率曲线预测,以更好指导电网调度.不同于以往的点预测,本研究将日功率曲线作为整体进行预测.首先用2DGRA实现最佳历史相似日数据的获取;其次,根据日功率曲线的波动性将总数据分为3类;最后,根据3种分类,分别训练3种BiLSTM模型对日功率曲线进行预测.所提出的预测模型通过沙漠知识澳大利亚太阳能中心历史气象和功率数据进行训练,并通过数值天气预报和功率数据进行测试.对比其他几种神经网络模型,实验表明所提出模型具有更好的综合预测性能,在晴空、轻度非晴空和重度非晴空条件下,决定系数(R²)分别为0.994、0.940和0.782.     

合成参数对MOCVD法生长氧化锌纳米针的影响

使用脉冲液滴注入式MOCVD,在金膜裹覆的MgO(100)衬底上于500℃合成氧化锌纳米针.纳米针为晶态并且在XRD谱线上主要呈现ZnO的4个衍射强峰(100)、(002)、(101)及(004).金没有起到催化剂的作用,在较薄(2.4nm)金膜上生长的纳米针密度较高且直径较小.500℃是ZnO纳米针较佳的合成温度,在温度不低于550℃时合成的是片状ZnO.每周期前驱体的注入剂量对纳米针的形貌有显著影响.充足的注入剂量(6.8mg/周期)能够保证纳米针合成,而较低的注入剂量(3.4mg/周期)将会合成较短且直径较小的纳米针.     

恒电流电沉积ZnO薄膜及其光电性能研究

采用恒电流电沉积的方法,在ITO导电玻璃上制备ZnO薄膜.通过X射线衍射仪、扫描电子显微镜等手段,对制备出的ZnO薄膜进行表征,并研究了溶液的pH值对薄膜的光学性质的影响.结果表明,电流密度为0.175mA·cm-2、pH为4.7时,制备出的ZnO薄膜具有纤锌矿结构,薄膜表面较均匀、致密,具有很好的附着力,在可见和近红外波段透过率约为80%,禁带宽度为3.37eV.光电流测试表明薄膜的导电类型为n型.     

基于变权欧氏距离的学习型智能插座设计

使用现有智能插座实现电器用电量的统计和电器待机功耗的消除,存在灵活性差、适用范围有限等问题,为此提出一种基于变权欧氏距离的学习型智能插座.先采用有限状态机方式提取有功功率和功率因素作为待测电器的特征值,再用变权欧氏距离从样本库中找出待测电器的类型,引入学习功能解决电器多样性问题,并用记忆原理处理陈旧的电器样本,在识别电器的基础上,统计各个电器的用电量和消除电器的待机功耗.测试结果表明,同一类型电器之间的相似度达80%以上,可识别出宿舍中大多数电器的类型,验证了该方法的有效性和可行性.     

Cu2ZnSnS4/Zn(O,S)异质结薄膜太阳电池的数值仿真研究

Zn(O,S)具有带隙宽、原料丰富且环保的优点,是一种很有潜力的CdS替代缓冲层。本文采用Solar Cell Capacitance Simulator (SCAPS)软件,对CZTS/Zn(O,S)/Al:ZnO 结构的薄膜太阳电池进行数值仿真,主要模拟研究Zn(O,S)的禁带宽度和电子亲和势、缓冲层的厚度及掺杂浓度、环境温度对电池性能的影响。结果表明：当Zn(O,S)的厚度和载流子浓度分别为50 nm和10₁₇ cm_-3时,电池的转换效率可达14.90％,温度系数为-0.021%/K。仿真结果为Zn(O,S)缓冲层用于CZTS太阳能电池提供了一定的指导。