半导体除湿机的化工过程

本实用新型的半导体除湿机是以半导体致冷器件代替以氟里昂为工作介质的压缩制冷的 小型系统．免除污染源，结构简化，工作稳定，根据对空气除湿流程的特点．机内半导体致冷器 件工作于最高致冷效率（ηｍａｘ）状态，其致冷效率在８３％左右．除湿效率在８０％左右．     

CH3CSNH2／NH4OH钝化GaAs（100）表面的XPS表征

一种新的含硫化合物ＣＨ３ＣＳＮＨ２／ＮＨ４ＯＨ溶液被用来钝化ＧａＡｓ（１００）表面．应用Ｘ射线光电子谱（ＸＰＳ）表征了该钝化液处理的ＧａＡｓ（１００）表面的成键特性和电子态．结果表明，经过处理的ＧａＡｓ（１００）表面，能有效地消除Ｇａ和Ａｓ的氧化物，并且Ｓ既与Ａｓ成键也与Ｇａ成键，形成了Ｓ与ＧａＡｓ的新界面，这标志着ＣＨ３ＣＳＮＨ２／ＮＨ４ＯＨ溶液对ＧａＡｓ（１００）表面具有明显的钝化作用．钝化表面退火处理后，Ａｓ的硫化物不稳定，进一步与ＧａＡｓ衬底反应，生成稳定的ＧａＳ钝化层，此种钝化液可直接应用于半导体器件钝化工艺对ＧａＡｓ表面处理     

高层框架—核心筒体减震结构模型试验

通过单层，三层结构模型的动力试验结果，表明在框架－核心筒体结构体系内安装减震器后，减震效果显著，试验与计算结果吻合较好，说明了计算理论的正确性。     

聚乙炔一维共轭多烯半导体

本文介绍了有机共轭体系的结构特点和利用简单Huckel分子轨道(HMO)理论对聚乙炔的电子结构予以处理,以展示其半导体的能带结构和分子中具有长短键交替的特征。并试图从化学角度理解拓扑激发(即孤子)的导电机理。     

热压碳化硼的热导率和膨胀系数

用激光闪烁法测定碳化硼的导热系数,用DF 1500膨胀仪测定热膨胀系数,研究了其热导率与温度、孔隙度和晶粒度的关系.研究结果表明:碳化硼热导率与温度的关系可表示为1/λ=2+0.0055t或1/λ=(6.28t+1840)×105;热导率与孔隙度的关系可表示为λ=λs(1-θ)/(2+2.2θ)或λ=λs(1-1.5θ);当θ=0.08,且在室温时,碳化硼平均热膨胀系数为4.4×10-6/K,从而可保证该材料在快中子反应堆中安全使用.     

Magnetism in Mn and Co doped ZnO bulk samples

Bulk samples with nominal composition Zn0.95Co0.05O and Zn0.92Co0.05Mn0.03O were fabricated by a solid-state reaction method at 600℃.X-ray diffraction experiment showed that the peaks of secondary phase Co3O4 with a cubic structure were visible in both samples,besides the main peaks of wurtzite structure as ZnO.Magnetization measurement indicated that doping Co alone can induce ferromag- netism in ZnO itself,while the introduction of Mn significantly enhances ferromagnetism.However, both samples showed different magnetic behavior at temperatures below 50 K.It was also noted that ferromagnetic coupling interaction was weakened due to the presence of antiferromagnetic Co3O4.     

一种制备CdSe纳米晶体的方法

CdSe纳米晶体因其独特的新颖性质具有广阔应用前景，但常用的非水相方法所用的原料，如三正辛基氧化膦等，价格昂贵且毒性大．为此，引入了价格便宜、环境友好的新溶剂A，在其中合成了CdSe纳米晶体，并利用紫外可见光谱、荧光发射光谱、透射电镜、能量分散X射线谱和X射线衍射对得到的纳米晶体进行了表征．结果表明，在新溶剂中合成的CdSe纳米晶体粒度均匀，粒径可控，具有高的结晶度和良好的光学性质．新溶剂A降低了合成成本，使合成更加符合绿色化学的原则．     

用蒙特卡罗方法计算X射线在酞菁铜与重金属界面的剂量增强系数

用蒙特卡罗方法计算金-酞菁铜、 钨-酞菁铜和钽-酞菁铜界面的剂量增强系数. 结果表明, 当X射线能量为100~150 keV时, 界面附近酞菁铜一侧存在较大的剂量增强.      

半导体热电材料Bi2Te3膜的电化学制备

研究了不同沉积电位对电化学生长半导体热电材料Bi2Te3膜沉积过程、膜形貌、结晶性及相结构的影响。利用I-V循环扫描曲线分别研究了纯Bi3 、纯Te4 及其两种离子的混合溶液电化学特性;应用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、电子能谱(EDS)对膜的微观表面形貌、相结构及成分进行了表征。研究表明:生长的样品为斜方六面体(rhombohedral)晶体结构的Bi2Te3,薄膜表面平整致密,为明显的柱状晶结构,具有(110)择优取向;沉积电位越接近还原峰最大电流处,膜的生长电荷效率越高,薄膜结晶性也越好。     

a-Si∶H/a-SiN_x∶H超晶格薄膜的光声谱

我们应用光声技术,研究a-Si:H/a-SiN_x:H超晶格薄膜中载流子的非辐射复合和量子尺寸效应,发现载流子的非辐射复合与超晶格薄膜中的缺阱有关;超晶格薄膜的光学能隙随着势阱宽度减小而增大。