首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   1篇
  免费   0篇
  国内免费   16篇
综合类   17篇
  2018年   1篇
  2015年   1篇
  2014年   2篇
  2013年   2篇
  2011年   2篇
  2010年   3篇
  2008年   3篇
  2007年   2篇
  2006年   1篇
排序方式: 共有17条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
利用Geant4模拟每核子能量在80~360 MeV内碳离子束(12 C6+)穿过靶质量厚度为0.5~4.0g/cm2的有机玻璃、铝、铜和铅后的角度歧离值和能量歧离值,并对比单能碳离子束直接进入水中和经降能片后再进入水中的Bragg峰.模拟结果表明:碳离子束的能量越高、降能片的质量厚度和原子序数越小,碳离子束经过降能片后的角度歧离和能量歧离值越小,其Bragg峰所受影响也越小.即若仅考虑角度歧离和能量歧离,则低原子序数的材料更适合做降能片.  相似文献   
2.
利用Geant4模拟每核子能量在80~360 MeV内碳离子束(12C6+)穿过靶质量厚度为0.5~4.0 g/cm2的有机玻璃、 铝、 铜和铅后的角度歧离值和能量歧离值, 并对比单能碳离子束直接进入水中和经降能片后再进入水中的Bragg峰. 模拟结果表明: 碳离子束的能量越高、 降能片的质量厚度和原子序数越小, 碳离子束经过降能片后的角度歧离和能量歧离值越小, 其Bragg峰所受影响也越小. 即若仅考虑角度歧离和能量歧离, 则低原子序数的材料更适合做降能片.  相似文献   
3.
用蒙特卡罗方法计算不同厚度的金在金 酞菁铜界面的剂量增强系数. 结果表明, 金的厚度影响界面附近的剂量增强效果. 当金的厚度为0~8 μm时, 剂量增强系数随金厚度的增加而增大.   相似文献   
4.
用蒙特卡罗方法计算金-酞菁铜、 钨-酞菁铜和钽-酞菁铜界面的剂量增强系数. 结果表明, 当X射线能量为100~150 keV时, 界面附近酞菁铜一侧存在较大的剂量增强.   相似文献   
5.
利用Geant4程序模拟270,500 keV  4He和12C离子垂直入射Au,Ag,Cu薄膜上的Rutherford背散射谱(RBS), 并讨论材料、 厚度和入射离子能量对背散射谱的影响. 结果表明, 能量较大的12C离子具有较好的质量分辨率.  相似文献   
6.
通过束流能量为94MeV的熔合蒸发反应154Sm(19F,5n)168Lu布居了双奇核168Lu的高自旋态,发现一条新转动带,将其指定为建立在π7/2+[404]υ5/2-[523]基态上的转动带,并发现了π7/2+[404]υ5/2+[642]和π9/2-[514]υ5/2+[642]转动带同低激发态间的连接关系,确定了转动带的自旋.  相似文献   
7.
用蒙特卡罗方法计算不同几何结构的双层重金属对有机半导体界面产生的剂量增强系数, 结果表明, X射线在金-酞菁铜-金界面产生与金-酞菁铜界面相似但更大的剂量增强. 当半导体层-酞菁铜厚度相同(均为2 μm)时, 厚度为4 μm比厚度为2 μm的金产生更大的剂量增强; 当金的厚度相同(均为2 μm)时, 厚度为1 μm比厚度为2 μm的酞菁铜产生更大的剂量增强.   相似文献   
8.
用Geant4模拟能量分别为0.5,1.0,1.5,2.0,2.5 MeV入射电子在水中的Cherenkov辐射角和辐射光谱,分析电子产生Cherenkov辐射光子数与初级电子和次级电子的关系,并模拟Cherenkov辐射光在水中传输不同距离的吸收情况.结果表明:电子在水中产生的Cherenkov辐射角随入射电子能量的增加而增大;在Cherenkov辐射光传播过程中,水介质对紫外波段辐射光的吸收较大.  相似文献   
9.
农作物秸秆的处理是世界各国都面临的难题,秸秆的沼气化利用既可以产生一种天然的燃料,秸秆沼渣也成为一种天然的生物质有机肥料,秸秆的沼气化利用是解决秸秆闲置资源的最佳途径之一。由于秸秆沼渣中大量纤维质的存在,使得秸秆沼渣无法直接运用粪便类沼气池的抽吸料出料车进行出料,秸秆沼渣的出料成为秸秆沼气推广中的关键问题之一。  相似文献   
10.
针对卫星介质深层充电诱发地球同步轨道卫星运行故障, 提出一种Monte Carlo方法模拟介质深层充电过程.  将航天器介质平板充电过程简化为电子穿过屏蔽层进入介质环氧树脂.  通过MCNP软件, 模拟不同屏蔽层铝的厚度及不同能量电子对卫星介质内最大电场的影响.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号