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利用Geant4模拟每核子能量在80~360 MeV内碳离子束(12 C6+)穿过靶质量厚度为0.5~4.0g/cm2的有机玻璃、铝、铜和铅后的角度歧离值和能量歧离值,并对比单能碳离子束直接进入水中和经降能片后再进入水中的Bragg峰.模拟结果表明:碳离子束的能量越高、降能片的质量厚度和原子序数越小,碳离子束经过降能片后的角度歧离和能量歧离值越小,其Bragg峰所受影响也越小.即若仅考虑角度歧离和能量歧离,则低原子序数的材料更适合做降能片. 相似文献
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利用Geant4模拟每核子能量在80~360 MeV内碳离子束(12C6+)穿过靶质量厚度为0.5~4.0 g/cm2的有机玻璃、 铝、 铜和铅后的角度歧离值和能量歧离值, 并对比单能碳离子束直接进入水中和经降能片后再进入水中的Bragg峰. 模拟结果表明: 碳离子束的能量越高、 降能片的质量厚度和原子序数越小, 碳离子束经过降能片后的角度歧离和能量歧离值越小, 其Bragg峰所受影响也越小. 即若仅考虑角度歧离和能量歧离, 则低原子序数的材料更适合做降能片. 相似文献
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用蒙特卡罗方法计算金-酞菁铜、 钨-酞菁铜和钽-酞菁铜界面的剂量增强系数. 结果表明, 当X射线能量为100~150 keV时, 界面附近酞菁铜一侧存在较大的剂量增强. 相似文献
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利用Geant4程序模拟270,500 keV 4He和12C离子垂直入射Au,Ag,Cu薄膜上的Rutherford背散射谱(RBS), 并讨论材料、 厚度和入射离子能量对背散射谱的影响. 结果表明, 能量较大的12C离子具有较好的质量分辨率. 相似文献
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用蒙特卡罗方法计算不同几何结构的双层重金属对有机半导体界面产生的剂量增强系数, 结果表明, X射线在金-酞菁铜-金界面产生与金-酞菁铜界面相似但更大的剂量增强. 当半导体层-酞菁铜厚度相同(均为2 μm)时, 厚度为4 μm比厚度为2 μm的金产生更大的剂量增强; 当金的厚度相同(均为2 μm)时, 厚度为1 μm比厚度为2 μm的酞菁铜产生更大的剂量增强. 相似文献
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