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51.
脉冲激光沉积法制备氧化铋薄膜及其电化学性质研究 总被引:4,自引:0,他引:4
首次采用355nm脉冲激光沉积在不锈钢基片上制备了氧化铋薄膜,X—射线衍射(XRD)测试表明在基片温度为300℃,沉积时间为0.5h制备得到的Bi2O3薄膜具有四方结构,SEM和Raman光谱测定对该Bi2O3薄膜的表面形貌和锂化前后的结构进行了表征,结果表明薄膜由小于100nm针状晶粒组成,锂化后的产物可能是LixBi2O3。此外,由电位阶跃法测定了上述Bi2O3薄膜电极的锂离子扩散系数。电化学测定表明,上述Bi2O3薄膜具有充放电循环性能,在电压范围为0.70~3.5V,该氧化铋薄膜在充放电速率为2C时的比容量大约为100mAh/g,并且保持经100次以上充放电循环而没有明显的衰减。 相似文献
52.
53.
用MOCVD法制备TiO2薄膜 总被引:4,自引:0,他引:4
用低压MOCVD法,以四异丙纯钛为源物质,高纯氮气作为载气,氧气为反应气体,制备出了TiO2薄膜,考察出了沉积温度,基片距离均对沉积速率有影响,发现在不同反应条件下TiO2薄膜生长行为受动力学控制或受扩散控制。 相似文献
54.
采用溶胶-凝胶法和自制膜提拉装置制备了TiO2薄膜光催化剂。以结晶紫为模型反应物,通过自行设计的光催化反应器对制备的TiO2薄膜光催化剂性能进行了评价,研究了提拉次数、焙烧温度、溶液pH值以及H2O2投加量对光催化活性的影响。实验结果表明,经500℃焙烧120min、拉膜3次的TiO2薄膜光催化剂具有最佳的光催化活性,在pH7.0~8.0、适量H2O2存在下可获得最佳降解效果。 相似文献
55.
使用低介电常数基板和高电导率、高抗电迁移的金属Cu进行布线,可以提高高密度电子封装的传输速度和可靠性。采用乙酰丙酮铜作为前驱体,在常压下利用化学气相沉积技术对玻璃陶瓷基板进行Cu薄膜金属化。利用热重分析、X射线衍射和扫描电子显微镜等技术对前驱体、Cu薄膜进行分析观察。结果表明:影响Cu导体的电阻的主要因素是沉积温度。在温度为290~310℃,N2气流量为200~350mL/min和H2气流量为450~600mL/min的条件下,获得了致密的Cu薄膜,Cu导体方块电阻为25mΩ。 相似文献
56.
将四-a(2,2,4-三甲基-3-戊氧基)酞菁铜在亲水基片上以Z型成膜方式拉制了多层LB膜。膜崩溃压为60 mN·m-1,分子极限面积为0.33nm2。研究了酞菁铜的成膜条件,表明LB膜形成与水的纯度、铺展剂、铺展量、推膜速度等因素有关。不同层数的酞菁铜LB膜的紫外可见光谱表明,在LB膜中酞菁铜分子之间是以J-聚集形态存在。 相似文献
57.
58.
通过大量仿真计算,对于带有油膜轴承的裂纹轴转子系统的故障特征进行了较为全面的论证.这些特征是通过三维频谱、转速-振幅特性和周期分岔特性来表达的.除了分析裂纹轴转子系统的基本故障特征外,还重点分析了作为故障特征的一个重要方面的非线性行为.为诊断转子系统裂纹故障提供了理论依据. 相似文献
59.
TiO2光催化涂膜的制备及性能研究 总被引:10,自引:1,他引:10
研究以丙烯酸—有机硅乳液为粘结剂,以粘结成膜的方式,将Ti02光催化剂固定化。确定了以TiO2和粘结剂为主的光催化涂覆材料的基础配方。适量聚硅氧烷的加入可以提高光催化涂膜的硬度及改善涂膜与基底的附着状况。对涂膜的光催化性能、耐久性和活性等进行了研究。 相似文献
60.
氧化铟锡薄膜在光学太阳反射镜上的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
常天海 《华南理工大学学报(自然科学版)》2003,31(9):40-43
研究了光学太阳反射镜抗静电放电用氧化铟锡薄膜的设计原则.理论分析和实验结果表明,在将氧化铟锡(ITO)薄膜应用于光学太阳反射镜(OSR)表面防静电放电时,ITO薄膜的表面方阻R□不能小于5 kΩ@□-1,否则会导致OSR的太阳光谱吸收率增加.建议取R□=5~106kΩ@□-1,薄膜厚度d=(150~200)×10-10 m.同时必须保证ITO薄膜接地效果良好,否则会使OSR表面充放电现象更加严重. 相似文献