用分光光度法研究二过碘酸合铜(Ⅲ)配离子氧化乙二胺的动力学

采用分光光度法研究了二过碘酸合铜（Ⅲ）氧化乙二胺的反应动力学及机理。结果表明,反应对Ｃｕ（Ⅲ）是准一级。准一级速率常数ｋｏｂｓ随乙二胺（ＥＤＡ）的浓度增大而增大,为正分数级,且１／ｋｏｂｓ对１／［ＥＤＡ］有较好的线性关系。ｋｏｂｓ随ＯＨ－［］的增大而增大;随ＩＯ－４［］的增大而减小。据此提出了包括前期平衡的反应机理,解释了实验现象,求得了速率控制步骤的速率常数。     

Keggin结构钼硅稀土杂多蓝的合成及性质研究

合成了钼硅稀土二电子、四电子杂多蓝ＬｎＨ３〔ＳｉＭｏ１０＾ＶＩＭｏ２＾ＶＯ４０〕·１２Ｈ２Ｏ和ＬｎＨ５〔ＳｉＭｏｇ＾ＶＩＭｏ４＾ＶＯ４０〕·１３Ｈ２Ｏ,其中Ｌｎ＝Ｌａ,Ｃｅ,Ｐｒ,Ｎｄ,Ｓｍ,Ｇｄ,通过ＩＲ,ＵＶ,ＴＧ－ＤＴＡ,ＸＰＳ,ＥＳＲ磁化率等对杂多蓝进行表征。结果表明,杂多酸盐还原为杂多蓝后,结构上发生了轻微的畸变。     

铬(Ⅲ)对亚心形扁藻(Platymonas subcordiformis)细胞超微结构的影响

用透射电镜观察铬（Ⅲ）处理１８ｄ后的亚心形扁藻超微结构的变化．结果表明,铬浓度较低时（≤１．５×１０－５ｍｇ／Ｌ,对细胞的伤害不明显．当铬浓度增大时,出现细胞核变形,核膜解体,线粒体膨大或解体;类囊体缺失,排列散乱,叶绿体膜系统溃解．     

纳米结构硅研究的发展动态*

本文综合归类了目前制备纳米结构硅的主要方法：等离子体化学气相沉积．激光诱导化学气相沉积和热蒸发法（制纳米晶硅）及电化学腐蚀法（制多孔硅）,给出各种方法的典型参数及其对纳米硅结构的影响,分析了纳米硅结构特征,比较分析了各种方法制备的纳米硅的光学性能,如光学能隙Ｅｏｐｔｇ,光致／电致发光谱峰位波长、半高宽及影响因素等,并对纳米硅研究的发展前景进行展望．     

氮化烧成后硅在刚玉氮化硅材料中的赋存形态

研究了不同温度氮化烧成后,硅在刚玉氮化硅材料中的赋存形态.结果表明:1300℃氮化后,硅的外层包裹着絮状的O'-Sialon;1400℃时,硅颗粒破裂且内部有氮化硅生成;1 500℃时,已没有残留硅保留下来,硅氮化生成了O'-Sialon和氮化硅;1 600℃时,硅氮化完全,其中的杂质相CaO,Fe2O3等富集在一起.     

高硅沸石中二元物系表面扩散系数的预测

用动力学蒙特卡罗（Kinetic Monte Carlo，KMC）方法模拟客体分子单组分及双组分混合物在高硅沸石（Silicalite）分子筛中的扩散，与分子动力学（Molecular Dynamics，MD）方法的模拟结果及Maxwell-Stefan（M-S）方程计算对比说明KMC方法的合理性，而由真实的体系性质获得正确的跳跃频率值及合适的晶格模型是获得正确计算结果的关键，且一旦由单组分研究获得正确的跳跃频率值及晶格模型，便可直接移用至多组分体系的KMC模拟中。     

MEVVA源强流Ti离子注入纯铜表面层的结构与性能研究

采用金属蒸气真空弧(MEVVA)离子源技术对强流Ti离子束注入到纯铜表面的结构和性能进行了系统的研究.材料表面层的机械性能测试表明:强流Ti离子注入纯铜后材料表面的硬度和耐磨性均有提高,相对于纯铜基体,5×1017 cm-2注量注入可以使材料表面硬度提高2.3倍,使表面摩擦因数下降14%.注入层的X射线结构分析表明:金属离子注入后,在纯铜表面注入层中析出了合金相,合金相的析出是材料的表面硬度和耐磨性提高的主要因素.     

铜熔体的过滤脱氧

采用常用的脱氧剂对铜熔体脱氧时,残余的脱氧剂往往对其导电性能造成一定影响.实验研究了采用木炭过滤的方法对液态铜进行脱氧.结果表明,木炭过滤是一种非常有效的铜熔体脱氧方法,而且不会对熔体产生二次污染.此外,对过滤脱氧技术在废旧紫铜的回收利用方面进行了研究,在炉料中分别添加0.1,0.2,0.3,0.5和1.0(质量分数)的废旧铜丝后,净化后的试样中wO≤10×10-6,直径3mm铜丝的硬态电阻率不超过1.75μΩ·cm,满足无氧铜的技术要求.     

富钾硅复合物对水稻土中有效K，Si，Ca，Mg的影响

富钾硅复合物为绿豆岩煅烧产物，本文通过盆栽对比实验研究它对水稻土中有效K，Si，Ca，Mg的影响，结果表明：水稻土中施入K，Si，Ca，Mg后，被水稻带走部分养分，土壤养分仍有变化；尽管富钾硅复合物中的K，Si，Ca，Mg多为枸溶性养分，但均能供给水稻生长发育需要，并具有一定后效．