铜金矿综合提取金、银等贵重金属新工艺研究

采用三氯化铁浸出、隔膜电解提铜、副产高纯铁、从浸铜渣中提取金和银，回收硫磺等工艺，对铜金矿综合提取金、银等贵重金属，投资少，生产成本低，经济效益显著。     

宽能带隙电子器件

硅集成电路和数据存贮是两种最成功的技术，目前，这两种技术继续以高速度发展。在集成电路技术中，按照摩尔定律，一块芯片上的晶体管数目每隔18个月就会翻一翻。而对于磁盘驱动技术，自1991年起磁头的总体位密度以每年60％至100％的速率增加。集成电路是通过对半导体应用电场控制载流子流动来工作的，因此关键的参数是电子或空穴上的电荷。而在磁性数据存贮中关键的参数是电子的自旋。     

Cu（Ⅱ） effect on the conformation of regenerated silk fibroin in dilute aqueous solution

Much attention has been paid to the natural mechanism of silkworm spinning due to the impressive mechanical properties of the natural fibers. In this work, we studied the effect of Cu（Ⅱ） ions on the secondary structure of Bombyx mori regenerated silk fibroin （SF） in dilute solution by circular dichroism （CD）. The results indicate that a given amount of Cu（Ⅱ） induces the SF conformational transition from random coil to β-sheet, however, further addition of Cu（Ⅱ） is unfavorable for this conversion. Meanwhile, the conformational changes induced by Cu（Ⅱ） follow a nucleation-dependent aggregation mechanism, which is similar to that found in Prion protein （PrP） denaturation and Aβ-peptide aggregations, leading to the neurodegenerative disease. This work would help one understand further the natural spinning process of silkworm. Additionally, it would be significant for the study of the nervous system diseases, because silk fibroin, extracted in large amounts from Bombyx mori silkworm gland, could be a proper model to study PrP denaturation and Aβ-peptide aggregations.     

氮化碳薄膜的制备及C-N/CuInSe_2/Si异质结光伏特性

新材料氮化碳薄膜具有超强硬度和独特的物理、化学性质.近年来,引起国内、外学者的重视,1989年,Liu等从理论上预测人工合成具有β-C_3N_4结构的氮化碳材料的可能性,该材料有很大体变模量B,使其具有超强硬度等特性,极有可能在光电、磁、机械工业等领域获重要的应用,但合成工艺上一直没有取得突破,直到1993年,美国哈佛大学Niu等报道采用激光束蒸发石墨加氮离子束源工艺合成出氮化碳薄膜,该方法回避了等离子工艺过程的热动力学平衡及限制,显然只可作为人工合成预测的新材料的原理性方法而无法实用.我们从1988     

N—亚（2—羟基萘甲基）氨基乙酸Schiff碱铜（Ⅱ）配合物的合成

通过２－羟基－１－萘醛和氨基乙酸形成的Ｓｃｈｉｆｆ碱与二价铜了合成新的配合物，并经元素分析、摩尔电导和红外光谱与电子光谱研究面是表征。其Ｃｕ原子形成四配位配合物，分子内中心原子分别形成亚胺的Ｎ→Ｃｕ，羟基的Ｏ－Ｃｕ，酚氧原子的Ｏ－Ｃｕ以及水的配位Ｏ→Ｃｕ。     

铜发光中心的分布和位错显微结构的关系

本文作者根据显著观测和发光光谱的测试结果表证实了在ＺｎＳ：Ｃｕ单晶中，蓝色铜发光中心及绿色铜发光中心的分布和位错线区域的横向与纵向的显著与纵向的显著结构有着固定的对应关系。     

用磷酸铝分子筛和硅磷酸铝分子筛作催化剂合成丙酸戊酯的研究

用新型磷酸铝分子筛和硅磷酸铝分子筛作催化剂,对丙酸和正戊醇液—固相酯化反应进行了研究.考察了合成条件及用不同方法制备的催化剂对醇产率的影响,当醇酸摩尔比为1.2∶1、催化剂用量为0.6～1.0g/mol丙酸、带水剂环己烷用量为5.0ml/mol丙酸,反应温度为140～160"C时,5hr酯化反应的酯产率大于98％.同时对酯产物的物理常数进行了测定,实测值与文献值相符.     

涂层对热电偶热电性能及大气中寿命的影响

在难熔金属热电偶表而施加涂层的目的,旨在使原仅限和真空、中性及还原气氛中测量的热电偶能在大气中使用.本文讨论涂层对难熔金属热电偶在氧化气氛的"热电势—温度","热电势—时间"的关系及其寿命的影响.具有涂层的W/M.热电偶在氧化气氛(常压下1500℃取得263小时±1%t的最高记录,而W-Re热电偶存1500℃试验的前70小时偏差也在1%t内.而没有涂层的热电偶仅支持数分钟便破坏.     

基于TSV的3D IC层次化物理实现技术

随着集成电路特征尺寸逼近物理极限,硅通孔（TSV）实现层间互连的三维集成电路（3D IC）成为延续摩尔定律的一种趋势.但现有集成电路设计工具、工艺库、设计方法尚不成熟,难以实现三维集成中超大尺寸基板芯片的时序收敛问题.为此,本文提出了一种利用现有传统的EDA工具完成基于TSV的3D IC物理设计的流程.首先,用热应力模型将三维硅通孔投影成二维阻挡层,从而将三维集成电路设计转化成若干含阻挡层的二维集成电路分别实现;其次,针对超大尺寸基板芯片的时序收敛困难问题,提出了一种标准单元布局方法,通过在版图中划定若干固定放置区用于限定关键时序单元的摆放,并迭代确定这些关键单元在固定放置区中的位置,实现大尺寸芯片的时序收敛.基于所提出的三维集成电路设计流程完成了一款三维集成的网络路由芯片基板芯片的设计,结果表明,相比传统的设计流程,提出的3D IC物理设计流程可使超大尺寸基板芯片从时序无法收敛优化到可收敛并满足时序要求,验证了所提出的3D IC物理设计流程的可行性.