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宽能带隙电子器件
引用本文:R.方 J.佐尔珀 胡海伦.宽能带隙电子器件[J].国外科技新书评介,2005(4):14-14.
作者姓名:R.方  J.佐尔珀  胡海伦
作者单位:[1]不详 [2]美国康涅狄格大学电气工程系博士生
摘    要:硅集成电路和数据存贮是两种最成功的技术,目前,这两种技术继续以高速度发展。在集成电路技术中,按照摩尔定律,一块芯片上的晶体管数目每隔18个月就会翻一翻。而对于磁盘驱动技术,自1991年起磁头的总体位密度以每年60%至100%的速率增加。集成电路是通过对半导体应用电场控制载流子流动来工作的,因此关键的参数是电子或空穴上的电荷。而在磁性数据存贮中关键的参数是电子的自旋。

关 键 词:电子器件  能带隙  集成电路技术  数据存贮  硅集成电路  1991年  摩尔定律  驱动技术  电场控制  高速度  载流子  半导体
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