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本文研究了Te-TeO_2-Sn-Ge非晶态薄膜的制备工艺以及薄膜在炉式退火后所引起的光学参数(透射率、反射率、折射率、消光系数),介电常数,光学能隙以及X射线衍射谱的变化情况,文中还分析了薄膜中各组元的作用和产生相应变化的机理。 相似文献
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用真空蒸发SnO2-ZnO,获取超微粒结构的SnO2-ZnO薄膜.实验发现w(SnO2)w(ZnO)=80%20%薄膜有较低的电阻率,对乙醇有较高的敏感性,是较好的酒敏材料. 相似文献
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特型二氧化钒薄膜的制备及电阻温度系数的研究 总被引:13,自引:1,他引:12
采用真空蒸发真空退火的制备工艺,制备出了特定的VO2(B)型薄膜并给出了最佳制备条件,经X射线衍射(XRD)分析及电学参数测试,其电阻温度系数(TCR)值达到-3.4×10-2K-1,无相变和热滞现象.作者还讨论了薄膜电阻温度关系,及其电阻温度系数与晶粒大小、激活能等的关系. 相似文献
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真空蒸发法制备CdS薄膜及其性能研究 总被引:2,自引:0,他引:2
用真空蒸发法制备了CdS薄膜,用扫描电镜、X射线衍射仪、紫外-可见光分光光度计、四探针对薄膜的形貌、结构、光电性能进行分析测试.研究结果表明,不同基片温度下所制备的CdS薄膜主要为六方相,CdS薄膜在(002)晶面有高度的择优取向;不同基片温度下的薄膜对可见光的透光率都超过70%;薄膜的电阻率随基片温度的升高而增大;基片温度为50℃时薄膜的Eg为2.41 eV;在200℃退火处理改善了CdS薄膜的质量,结晶度提高,电阻率降低,晶粒尺寸增大;基片温度为50℃时薄膜在200℃退火后的电阻率为255Ω.cm. 相似文献
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CdTe薄膜的微观结构分析 总被引:3,自引:0,他引:3
应用真空蒸发技术制备CdTe薄膜,并借助于扫描电子显微镜(SEM)、扫描俄歇谱仪(AES)和X射线衍射仪(XRD)对其微观结构进行分析。主要研究了不同工艺条件、不同原子配比、以及不同掺杂浓度下制得的CdTe薄膜的结构、物相,研究结果表明:以Cd:Te=0.9:1原子配比制得的CdTe薄膜具有最佳的结晶度和组分计量比;掺杂会使CdTe薄膜的结构、物相有所改变。 相似文献
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采用真空蒸发镀膜工艺制备了ITO透明导电薄膜,以四探针表面电阻仪测量得薄膜方块电阻为400Ω,用组合式多功能光栅光谱仪测得透光率为80%,利用扫描电镜测得膜厚为103nm.用XRD分析了薄膜的物相,并用原子力显微镜分析了薄膜的表面形貌及粗糙度.对薄膜进行退火处理,结果表明,随着热处理温度的升高,晶化趋于完整,组织结构逐渐均匀致密,晶粒有所长大.随退火时间的增加,透光率增加,但方块电阻先减小后增加. 相似文献
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为改善氧化物半导体薄膜的特性,采用真空热蒸发法在玻璃衬底上制备稀土Dy掺杂纳米CdO薄膜并进行热处理,对薄膜进行结构、电学和光学特性进行测试分析。实验结果给出:掺杂稀土Dy后CdO薄膜沿(111)晶向的衍射峰增强,随掺Dy含量增大峰强度逐渐减弱,掺Dy含量为5%时可促进CdO薄膜晶粒的生长,改善薄膜晶相结构特性。制备的薄膜表面颗粒均匀,存在颗粒聚集现象。掺Dy含量为9%时,在波长大于900 nm的范围透光率可达90%,高于纯CdO薄膜。 相似文献