高亮度蓝绿发光二极管芯片制造技术研究

高亮度发光二极管（HB—LED）芯片制造是介于外延片生产和芯片封装的中间过程,通过光刻、等离子刻蚀（ICP）、掩模（PECVD）、电子束真空蒸发镀膜、研磨抛光、划片、裂片、点测等工艺技术研究,实现高亮度发光二极管芯片生产的产业化。由于具有体积小、低能耗、冷光源、使用寿命长、环保等特点,蓝、绿光LED应用前景十分广泛,比如全彩显示屏、背光源、汽车刹车灯、装饰灯、交通信号灯、景观照明以及通用照明等。     

影响真空蒸发镀膜膜厚的因素分析

介绍了真空蒸发镀膜的基本原理,对蒸发镀膜过程中影响镀膜厚度的因素进行了理论计算和实验分析,从而找出对镀膜厚度的影响规律.     

薄膜型InSb霍尔器件

利用真空蒸发镀膜技术研制出灵敏度薄膜型ＩｎＳｂ霍尔器件，研究了影响ＩｎＳｂ薄膜电子迁移率的因素，俄歇电子能谱分析和扫电镜形貌像表明，制备的ＩｎＳｂ薄膜化学元素配比与所用蒸发源材料相同，表面光滑，晶粒尺寸μｍ级。室温下测得ＩｎＳｂ薄膜的电子迁移率为４００００ｃｍ＾２／Ｖ．ｓ，ＩｎＳｂ薄膜霍尔器件输入输出电阻范围为２００－５００Ω，乘积灵敏度达到５０－１５０Ｖ／Ａ．Ｔ。