SnO2—ZnO二元系半导体陶瓷材料特性

报道了ＳｎＯ２－ＺｎＯ二元系半导体陶瓷体及其薄膜的制备方法，材料的电学，光学，热敏，气敏和湿敏特性，以及掺杂和热处理对材料特性的影响，ＳｎＯ２－ＺｎＯ半导体陶瓷材料有很好的稳定性，是一种多功能复合半导体材料，在光伏技术，敏感技术及仪器仪表领域有着广泛应用。     

Improving the Characteristic of the LaFeO_3 Alcohol Gas Sensor by Using Doping and Surface-Decorating Technique

采用掺杂和表面修饰技术制备ＬａＦｅＯ３乙醇气体传感器，明显地改善了传感器的特性．元件的灵敏度β≥１０（当乙醇气体浓度为２００×１０－６时），乙醇气体和汽油的分离度α为１４．３，在整个相对湿度变化范围内，元件阻值的相对变化在４％～６％之间，元件不通电存放７ｄ，其初期恢复时间为７０ｓ，不通电贮存２７０ｄ，其初期稳定时间小于３ｄ，在使用环境中连续工作９０ｄ其阻值相对变化率小于５％．     

干氧法钝化发射区改善硅太阳电池短波响应

干氧法钝化发射区改善硅太阳电池短波响应李健，金国，季秉厚，于光（内蒙古大学物理学系，０１００２１，呼和浩特）ＩｍｐｒｏｖｉｎｇＳｈｏｒｔｗａｖｅＲｅｓｐｏｎｓｅｏｆＳｉＳｏｌａｒＣｅｌｌｂｙｔｈｅＤｒｙ－ＯｘｉｄｅＰａｓｓｉｖａｔｉｏｎｏｎｔｈｅＣｅ...     

纳米SnO_2薄膜的制备、结构和性能研究

在真空度为 1 3 3 .3μPa时 ,用真空气相沉积方法在玻璃衬底上沉积 Sn O2 薄膜 .通过XRD、SEM等测试分析 ,研究了杂质掺杂及热处理前后的 Sn O2 薄膜的结构、晶粒尺寸、电学特性以及不同工艺条件对薄膜性能的影响 .结果表明 ,掺 Bi有效地抑制了晶粒生长 ,提高了薄膜的稳定性 .掺 Bi后 ,薄膜的电学特性增强 ,而掺 In、Cd则影响不大 .     

掺杂对纳米ZnO薄膜结构的影响

采用真空蒸发法和热氧化制备纳米ZnO薄膜,分析掺杂对薄膜结构的影响。实验发现,掺入一定比例的In,可以得到沿c轴择优取向的纳米ZnO薄膜,薄膜结晶度有所下降,影响薄膜沿c轴的择优取向。掺Sb可以得到沿c轴择优取向的纳米ZnO薄膜掺。Bi可以改善结晶度,获得强烈沿c轴的择优取向的薄膜。实验发现随In含量的增加,薄膜晶粒尺寸逐渐减小,随Sb含量的增加,晶粒尺寸逐渐增加,而Bi含量的变化对晶粒尺寸基本没有影响。     

真空热迁移法制备硅垂直多重结X射线探测器

用真空热迁移法，以高纯石墨作为加热元件，构成大面积均匀热板，并以纯铁为冷板，通过严格控制冷、热板的温度，形成稳定的热梯度场。采用高阻单晶硅作为探测器的基体材料，在硅片表面用激光来进行刻槽，在其表面上蒸铝后，置于热迁移场中进行热迁移。按照探测器的要求，蒸发钛－钯－银构成电极，经钝化处理后沉淀适当厚度的Ａｌ层作为窗口，构成垂直多重结Ｘ射线探测器。探测器具有良好的光谱响应，对Ｘ射线有较高的灵敏度，适于较     

SnO_2—ZnO半导体陶瓷气敏特性的研究

本文研究了SnO_2—ZnO半导体陶瓷的原料配比对其气敏特性的影响。     

绒面背场硅太阳电池

本文报道一种转换效率高、工艺简便、成本低的太阳电池——绒面背场硅太阳电池。在AM1.5条件下,利用废次复拉单晶硅制作的直径为60mm 的园片电池,转换效率可达14.4%(全面积转换效率).这种结构的太阳电池国内尚未见报道。     

小型户用风光互补发电系统匹配的计算机辅助设计

提出了一种对小型户风光互补发电系统匹配设计的计算方法,考虑了影响风力发电机和太阳电池组合板发电量的各种因素,给出了更符合实验的计算风力发电机和太阳电池组合板各月发电量的数学公式,利用用户所在地区的风频分布、太阳辐射等气象资料,计算风力发电机和太阳电池 各月发电量,以全年各月能量供需平衡进行系统的计算,避免了人为插补或离散数据引入的误差,编制了户用风光互补发电系统的匹配计算程序,它可根据用户所在地区     

硅PNP型晶体管的沟道漏电

近几年来,硅PNP型晶体管获得越来越广泛的用途,但与NPN型晶体管相比制造工艺比较困难,主要是表面沟道漏电,造成成品率低,可靠性差。本文通过对沟道漏电的理论分析,采取相应措施,基本上消除了沟道漏电,在大批量生产中,中测管芯成品率达80%以上。