微波放大器Rn-Gn噪声模型阻抗变换测量方法

为了使接收微波放大器在工作频段上具有较小的噪声，讨论了如何使用M-Lane方法，结合自行研制的精密阻抗变换器，得到微波放大器Rn-Gn噪声模型中包括最小噪声系数Fmin在内的4个参数，使设计的放大器工作在匹配状态，Fmin可达到2．32dB，测量时间也大大缩短，结果稳定，为进行微波放大器低噪声设计提供了一个快速准确的方法。     

镉镍电池直流屏在变电站中的应用

介绍了镉镍电池直流配电屏的组成及功能，并对直流屏运行和操作中应注意的问题及镉镍蓄电池的维护等进行了阐述。     

基于模拟电路的无刷直流电动机神经元控制器

从神经元特性出发，研究一种适用于无刷直流电动机控制的模拟电路神经元控制器，获得连续的神经元控制器表达式和权值变化表达式，并进行原理框图设计和给出具体的权值学习电路，仿真实验表明，该控制器具有良好的控制品质，证明了该系统的有效性。     

反激式变换器的电磁干扰分析

应用频域分析方法，对给定输入、输出电压及输出电流，并工作于临界连续模式下的反激式变换器进行分析。着重分析了占空比变化对输入电流、输出电流、开关管压降及交变磁通谐波的影响，为在产品的设计阶段尽可能减小电磁干扰信号提供了理论依据。     

恒功率用电器电路研究

讨论了含恒功率用电器、电阻和电压源电路的基本规律，分析其工作原理并计算电路特性方程，阐述了在设计供电系统应用恒功率用电器新的特殊性质和特点，说明恒功率用电器还可用于其它方面的实践。     

利用背面Ar+轰击改善n沟MOSFET线性区的特性

研究了利用背面Ar^ 轰击改善n沟金属－氧化物－半导体场效应晶体管（n-MOSFET)线性区的特性，用低能量（550eV)的Ar^ 轰击n-MOSFET芯片的北面，能有效地改善其线性区的直流特性，如跨导，沟道电导，阈值电压，表面有效迁移率以及低频噪声等，实验结果表明，随着轰击时间的增加，跨导，沟道电导和表面有效迁移率光增大，然后减小，阈值电压先减小，随后变大；而低频噪声在轰击后明显减小，实验证明，上述参数的变化是硅－二氧化硅界面态密度和二氧化硅中固定电荷密度在轰击后变化的结果。     

ITO透明半导体膜的研究

采用直流磁控溅射ITO陶瓷靶的高温低氧工艺,在玻璃衬底上成功地镀制了ITO透明半导体膜,其可见光透过率达80％以上,电阻率降到3×10~(-4)(?)cm以下。     

德国Lenze公司47系列直流调速控制器的研究

本文对德国Lenze公司47系列直流调速控制器进行了系统的分析研究，其触发电路较具特色，值得学习与借鉴。     

推挽式零电压开关多谐振高频变换器的直流稳态分析

将零电压开关多谐振技术应用于推挽变换器电路，提出了一种推挽式零电压开关多谐振高频变换器（ＰＰＺＶＳ－ＭＲＣ）电路方案，较全面、完整地对其稳态工作模式和直流特性进行了分析，发现了变换器正常运行的４种工作模式。用自编制的ＰＰＺＶＳ－ＭＲＣ的计算机仿真程序，仿真研究了ＰＰＺＶＳ－ＭＲＣ电路中各处电压、电流的稳态变化规律以及电路的直流电压增益与开关频率的变化特性。设计并实现了输入４８Ｖ、输出５Ｖ、功率５０Ｗ的离线式ＰＰＺＶＳ－ＭＲＣ实验电路，通过实验验证了理论分析的正确性。     

直流电动机锁相系统速度内环的设计

锁相系统是一个能够跟踪输入信号频率和相位的闭环自动控制系统，为了获得较好的动特性和较高的稳态精度，在直流电动机锁相系统中可采用数字模拟混合系统方案，即采用双环结构，外环是鉴频鉴相环，内环是速度环。实验证明，采用速度内环是高精度宽调速的可行方案。