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21.
外磁场作用下的射频等离子体鞘层 总被引:1,自引:0,他引:1
马腾才 《大连理工大学学报》1997,37(2):125-128
采用流体近似和迁移-扩散近似分别研究了外磁场作用下射频等离子体的离子和电子动力学。特别指出了外磁场对鞘层中离子通量和能量分布的支配作用。 相似文献
22.
采用OMA-4000测量了SiH_4射频辉光放电等离子体的光发射谱,研究了其谱线强度随放电射频功率和反应气体流量间的变化关系。结果表明:在放电射频功率增加和反应气体流量升高的过程中。其等离子体状态分别发生了性质不同的转变,这种转变联系到射频功率耗散机制的变化。当反应气体流量增加时,电子获得能量的机制由阴极暗区加速转变为等离子体内电场的加热效应;而在放电功率升高的过程中,离子轰击阴极产生的二次电子发射效应导致了光发射谱强度急剧增强的转变。 相似文献
23.
射频溅射法和电弧离子镀法制备的纳米TiO2薄膜性能比较 总被引:2,自引:0,他引:2
采用射频磁控溅射法和电弧离子镀法制备了纳米TiO2薄膜,并利用XRD、UV-VIS、AFM及通过亲水性和光催化实验对两种方法制备的TiO2薄膜进行了对比表征.结果表明,磁控溅射法的薄膜生长速率只有电弧离子镀法的1/30;前者仅需较低的退火温度就能形成完善的锐钛矿结构;虽然两者有相近的紫外吸收边,但是前者有较大的紫外吸收;磁控溅射法制备的TiO2薄膜表面呈现针状晶结构和具有较大的比表面积;在暗室中保存5 h后,磁控溅射法制备的TiO2膜水的接触角恢复到1°,而后者达到20°;对于光催化降解苯酚,前者有较大的降解率. 相似文献
24.
LI Ru CHEN Jierong 《科学通报(英文版)》2006,51(5):615-619
AS AN ELECTRICALLY NEUTRAL, HIGHLY IONIZED GAS COM- POSED OF IONS, ELECTRONS, AND NEUTRAL PARTICLES, PLASMA IS A PHASE OF MATTER DISTINCT FROM SOLIDS, LIQUIDS, AND NOR- MAL GASES,KNOWN AS THE FOURTH STATE OF MATTER[1]. RECENT YEARS SEE GREAT PROGRESS IN P… 相似文献
25.
26.
采用TSMC 0.25 μm CMOS工艺,设计了一种2.4 GHz CMOS低中频结构的蓝牙射频接收机前端.整个接收机前端包含全差分低噪声放大器、混频器以及产生正交信号的多相滤波器.叙述了主要设计过程并给出了优化仿真结果.采用Cadence SpectreRF进行仿真,获得了如下结果:在2.5 V工作电压下,中频输出增益为21 dB,噪声系数为7 dB,输入P 1 dB为-21.3 dBm,IIP3为-9.78 dBm,接收机前端总的电流消耗为16.1 mA. 相似文献
27.
飞行器三轴姿态测量方法 总被引:1,自引:1,他引:1
介绍了到目前为止常用飞行器三轴姿态测量敏感器.详述了这些姿态敏感器的工作原理.根据这些原理分析了它们的优缺点,并比较了它们的性能指标.给出了具有指导意义的结论. 相似文献
28.
不同衬底生长ZnO薄膜的结构与发光特性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用射频磁控溅射方法分别在蓝宝石(Al2O3)(0001)和硅(100)衬底上制备ZnO薄膜.通过X-光衍射测量与分析表明两者都沿C轴方向生长,在Al2O3衬底上的ZnO薄膜结晶质量优于在Si衬底上的薄膜样品.然而,由原子力显微镜观测发现在Al2O3衬底上的薄膜晶粒呈不规则形状,且有孔洞,致密性较差;而在Si衬底上的ZnO薄膜表面呈较规则的三维晶柱,致密性好.光致发光测量表明,不同衬底上生长的ZnO薄膜表现出明显不同的发光行为. 相似文献
29.
射频反应溅射纳米SnO2薄膜气敏特性研究 总被引:2,自引:0,他引:2
采用射频反应溅射在瓷管上制备了SnO2气敏薄膜元件,以及用传统方法制备了SnO2厚膜元件.两种元件经测试表现出对乙醇较高的灵敏度,对两种元件进行了性能对比测试.测试表明,无论在灵敏度、响应恢复时间,还是在检测浓度范围上,SnO2气敏薄膜元件都比传统的厚膜元件性能优越.SnO2气敏薄膜元件经过表面修饰,在200×10-6体积浓度下接近30.对薄膜元件加热温度及选择性进行了研究,初步探讨了元件稳定性及其敏感机理. 相似文献
30.
Ad hoc 网络中的一些协议在网络规模增大时,性能下降很大。基于位置的路由成为大型Ad hoc网络的一个具有吸引力的协议,因此在理论上对不同转发策略与平均跳数的关系进行了比较。通过MALAB仿真,认为贪婪的转发策略具有平均跳数少、实现简单的优点,特别适合于节点密度高、大规模的Ad hoc网络。 相似文献