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71.
高温陶瓷过滤器正向流动与过滤过程的数值计算   总被引:2,自引:0,他引:2  
利用FLUENT计算流体力学软件,对高温陶瓷过滤器正向流动与过滤过程进行了数值计算,得到了切向进气和径向进气时高温陶瓷过滤器内的流场分布.结果表明:对于包含突变截面和多孔介质两类通道的复杂流动系统,合理地选择计算区域和分配网格后,应用FLUENT计算流体力学软件可以得到满意的计算结果;陶瓷过滤器的流动损失主要发生在陶瓷过滤管的多孔陶瓷介质内;当气体径向进入工作段时,对陶瓷管的冲击较大;当气体切向进入时,在工作段壁面附近的速度较大,对陶瓷管的冲击较小;切向进气时高温陶瓷过滤器的进出口压降小于径向进气时.从保护陶瓷管和减小压降两方面考虑,切向进气方式的高高温陶瓷过滤器优于径向进气方式的高温陶瓷过滤器.研究结果为选择高温陶瓷过滤器的进气方式提供了理论依据.  相似文献   
72.
提出了BP神经网络预测高炉铁水硅含量的几种网络优化方法,指出了神经网络预测硅含量的可行性与局限性.  相似文献   
73.
核磁共振法表征磷改性斜发沸石骨架硅铝的变化   总被引:1,自引:0,他引:1  
用固固相P—Al同晶取代的方法,采用焙烧和微波两种加热方式磷改性斜发沸石。并用^27Al、^29Si和^31P高分辨MASNMR表征磷改性前后斜发沸石骨架上的硅铝变化,结果表明,两种方法都能使沸石骨架Al脱除,形成八面体Al(H2O)^3 6,骨架硅铝比显著增大,微波法对斜发沸石骨架P—Al同晶取代效果比焙烧法好,同时,两种方法对磷改性斜发沸石的骨架结构影响也不同。  相似文献   
74.
采用经验紧束缚近似方法模拟重构硅(100)表面单个双聚体空位(SDV)附近的单个硅原子的沉积行为,根据绘制的SDV附近附加能量差异的三维及投影图,确定了沉积束缚点和一些鞍点,并研究其可能的扩散路径。  相似文献   
75.
为了研究水稻对硅、钾、钙、镁的不同吸收效应,同时探索含钾硅酸盐矿物的肥料价值,本文采用了动力学研究方法.结果表明:水稻对硅、钾、钙、镁的吸收速率因肥料配比差异而不同;而施用多元复合物,水稻生长过程中对硅、钾、钙、镁的吸收速率明显增加;四个动力学方程对水稻吸收养分规律的拟合度都达到了极显著性或显著性水平;单从相关系数及其变异系数来看,四种养分的拟合情况均以Freybdkucg方程为最好.  相似文献   
76.
多孔陶粒结晶床除磷试验研究   总被引:9,自引:0,他引:9  
实验以多孔陶粒为载体,在一定条件下,利用非均相及二次成核作用在陶粒表面沉积一层羟基磷酸钙晶体,从而培养出初级晶种.实验将粒径为1.25mm多孔陶粒与石英砂相对比,结果表明采用多孔陶粒作载体形成结晶体效果较好.用该晶种的连续流固定床除磷,获得令人满意的效果.当原水含磷质量浓度在2~5mg/L范围内时,空床线速不大于2.5m/h,水力停留时间不小千12min时, 脱磷固定床除磷率较高且稳定,磷去除率可达90%以上.  相似文献   
77.
我们在硅锗合金衬底上采用氧化等制膜方式生成零维和三维的纳米结构样品,用高精度椭偏仪(HPE)、卢瑟福背散射谱仪(RBS)和高分辨率扫描透射电子显微镜(HR-STEM)测量样品的纳米结构,并采用美国威思康新州立大学开发的Rump模拟软件对卢瑟福背散射谱(RBS)中的CHANNEL谱和RANDOM谱分别进行精细结构模拟,计算且测量出纳米氧化层与锗的纳米薄膜结构分布,并且反馈控制加工过程,优化硅锗半导体材料纳米结构样品的加工条件.我们在硅锗合金的氧化层表面中首次发现纳米锗量子点和量子层结构,我们首次提出的生成硅锗纳米结构的优化加工条件的氧化时间和氧化温度的匹配公式和理论模型与实验结果拟合得很好.  相似文献   
78.
多孔硝胺涂层剂含量的测定是生产过程检验的一项重要内容.通过对原分析方法存在某些缺陷的讨论,确定了最佳的萃取条件和萃取溶剂,改装了抽滤装置,加标回收率达到95%,比原分析方法提高10%.  相似文献   
79.
含PPV结构的电致发光材料   总被引:1,自引:1,他引:1  
评述了含PPV(聚苯乙炔)结构的高分子型电致发光材料近几年来的研究进展工作,并对这类材料的分子设计做了简要展望.介绍和引用了有代表性的文献31篇.  相似文献   
80.
纳米结构V2O5薄膜的溶胶凝胶制备与特性研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用溶胶 -凝胶技术 ,以V2 O5粉末为原材料制备了纳米结构的V2 O5薄膜 .使用椭偏仪、X射线衍射仪(XRD)、红外分光光度计 (FTIR)、电化学分析、原子力显微镜 (AFM)等方法研究了V2 O5薄膜的特性 .实验结果表明 :薄膜具有纳米多孔结构 ;热处理使得薄膜致密 ,折射率提高 ,薄膜结晶 .红外吸收测量揭示了刚制备的薄膜中钒以 4价离子为主 ,高温热处理后形成 5价钒离子 ,相应出现了V2 O5特征吸收峰 .这种结构的薄膜具有很好的锂离子注入 /退出可逆性和很高的离子注入容量 ,可用作锂离子电池的高性能阴极材料 .  相似文献   
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