| 硅表面双聚体空位附近原子沉积的理论研究 |
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| 引用本文： | 黄燕,朱晓焱.硅表面双聚体空位附近原子沉积的理论研究[J].苏州大学学报(医学版),2003,19(4):62-67. |
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| 作者姓名： | 黄燕 朱晓焱 |
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| 作者单位： | 苏州大学物理科学与技术学院，苏州大学物理科学与技术学院 江苏苏州 215006，江苏苏州 215006 |
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| 基金项目： | 江苏省教委自然科学基金资助项目(00SJB140002) |
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| 摘 要： | 采用经验紧束缚近似方法模拟重构硅(100)表面单个双聚体空位(SDV)附近的单个硅原子的沉积行为，根据绘制的SDV附近附加能量差异的三维及投影图，确定了沉积束缚点和一些鞍点，并研究其可能的扩散路径。
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| 关 键 词： | 微电子工业 重构硅 双聚体空位 硅原子 沉积 扩散 经验紧束缚近似方法 |
| 文章编号： | 1000-2073(2003)04-0062-06 |
| 修稿时间： | 2003年3月7日 |
Deposition behavior of single Si adatom on Si(100) surface with single dimer vacancy |
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| Keywords: | Silicon dimer vacancy deposition diffusion empirical tight-binding |
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