多孔硅的电迁移

研究了多孔硅在甲苯中组成的悬浮体系的电迁移特性。电阻率为80～100Ωcm的n型(111)抛光片，氢氟酸溶液中电化学阳极刻蚀成多孔硅再经过超声振荡得到多孔硅，甲苯悬浮体系．以新抛光铝为负极，在外加电场作用下，多孔硅向p^ -Si、ITD导电璃、Pt、Al、Ag等正极迁移并沉积在这些正极表面构成多孔硅薄膜。考察了不同的电沉积参数，例如电场强度、沉积时间对多孔硅薄膜光致荧光强度的影响．采用UFV-vis光谱、XPS、SBM的方法对悬浮体系以及沉积膜进行了分析。     

用热分解方法在多孔硅中形成纳米银粒子

通过简单的溶液浸泡－热分解方法成功地在氧化多孔硅的孔中沉积了纳米银粒子，形成了银/氧化多孔硅/硅的复合结构.用X射线衍射光谱(XRD)和扫描电子显微镜（SEM）表征了多孔硅上纳米银粒子的存在.     

PCVD法渗6.5%Si的动力学问题研究

提高硅铜片磁性能的最佳途径是提高钢片的硅含量。本研究采用等离子体化学气相沉积(PCVD)法，在(0．1～0．3)mm厚的普通硅钢片表面上涂硅，然后进行短时间高温扩散处理。结果表明：硅钢片的Si含量可达到6．5％，磁性能有很大改善。在(460-600)℃范围内渗硅，其它条件不变，渗硅速度随着温度的升高而降低，这是由等离子体反应的特殊动力学和热力学性质所决定。     

铜/铁钝化多孔硅纳米复合薄膜的制备与形貌研究

由水热腐蚀技术制得的铁钝化多孔硅作为基底,采用浸渍镀膜技术成功制备了铁钝化多孔硅/铜纳米复合薄膜.利用扫描电镜(SEM)、XRD等分析手段对比研究了铁钝化多孔硅在沉积前与沉积后的结构变化特点以及沉积时间对所沉积的铜薄膜的结构的影响.结果表明,在浸渍一定时间后,铜/铁钝化多孔硅纳米复合薄膜继承了新鲜制备的铁钝化多孔硅的结构特点;同时,在溶液浓度保持不变的情况下,随着反应时间的的延长,铜的沉积量逐渐增加,铜纳米颗粒的平均晶粒尺寸逐渐长大.     

孔隙率对氧化锌/多孔硅光致发光的影响

用电化学方法制备不同孔隙率的多孔硅,然后用脉冲激光沉积的方法,以多孔硅为衬底生长氧化锌(ZnO)薄膜,研究多孔硅的孔隙率对ZnO薄膜的质量和光致发光谱的影响,用X射线衍射仪和扫描电子显微镜表征ZnO薄膜的结构性质.结果表明,当多孔硅的孔隙率较大时,沉积的ZnO薄膜为非晶结构.沉积上ZnO薄膜之后,多孔硅的发光谱蓝移,由于ZnO薄膜缺陷较多,其深能级发光较强.ZnO的深能级发光与多孔硅的橙红光相叠加,得到了可见光区宽的光致发光带,呈现白光发射.     

多孔硅的形成机制及吸收特性

用测量多孔硅反射谱的方法研究了多孔硅在吸收边附近的特性。由于多孔硅的微空洞和残余部分大约只有纳米量级，故采用波长为２００～２６００ｎｍ的红外到紫外范围的光照射，根据多层膜的反射公式，计算出多孔硅在吸收边附近的吸收系数。结果表明（αｈω）２与（ｈω－Ｅｇ）呈线性关系，表明多孔硅在一定程度上已转变为直接带隙半导体。     

脉冲频率对铌表面熔盐电沉积渗硅的影响

采用熔盐脉冲电沉积法在纯铌表面制备出渗硅层。研究了脉冲频率对渗硅层沉积速率、成分、厚度、组织及相结构的影响,同时考察了渗硅层的高温抗氧化性。结果表明,频率对渗硅层成分无影响。随频率增大,渗硅层厚度和沉积速率均减小。频率由500 Hz增大到1 000 Hz时,渗硅层晶粒变得细小致密;超过1 000 Hz后,晶粒则变得粗大。渗硅层相结构不受频率影响,均由单相NbSi₂组成,并在(110)和(200)晶面上具有择优取向。NbSi₂渗层的存在使得纯铌的高温抗氧化性能得以提高。     

氧化多孔硅和纳米硅粒镶嵌氧化硅光致发光机制模型

关于纳米硅／氧化硅系统的光致发光(PL)机制，有很多争议．该系统包括氧化多孔硅(PS)和用化学气相沉积、溅射或硅离子注入氧化硅等方法形成的纳米硅粒(NSP)镶嵌氧化硅．提出二种PL竞争机制：量子限制(QC)过程和量子限制-发光中心(QCLC)过程．两个过程中光激发都发生在NSP中，光发射在QC过程是发生在NSP中，而在QCLC过程是发生在与NSP相邻的氧化硅中的发光中心上．对两种过程的几率大小进行比较．哪一过程对PL起主要作用，取决于俘获截面、发光效率、发光中心密度和NSP的尺寸．对于一个有固定的俘获截面、发光效率和LC密度的纳米硅／氧化硅系统，LC密度越高，NSP尺寸越大，越有利于QCLC过程超过QC过程，反之亦然．对于固定的发光中心参数，NSP尺寸有一个临界值，当NSP的最可几尺寸大于临界值，QCLC2过程主导发光，当NSP的最可几尺寸小于临界值时，QC过程主导发光，当NSP大小接近临界值时，Qc与QCLC都要考虑在内．利用这个模型讨论了一些已报导的纳米硅／氧化硅系统PL的实验结果．     

过氧化物酶催化酚类聚合反应诱导纳米硅球的形成

在高等植物体中硅沉积的部位总伴随着多酚化合物的积累和较高的过氧化物酶活性.为了验证多酚氧化聚合物对硅沉积的诱导作用,避免其他因素的干扰,进行了体外模拟试验,利用过氧化物酶催化酚类化合物在硅酸溶液中的聚合研究硅沉淀的形成.发现,过氧化物酶催化形成的酚类聚合物能够诱导纳米形态的硅沉淀的形成.这些球形的纳米硅颗粒与前人报道的硅藻蛋白诱导产生的纳米硅球十分相似.酚的种类以及酚和硅的浓度影响硅球的大小.进一步的试验表明,多酚聚合物引起的硅沉淀过程具有酚饱和效应和硅饱和效应,当反应液中可溶性硅的摩尔浓度与酚的摩尔浓度之比达到1:1时,硅的沉积量最大,而低于或高于这个比值硅的沉积量都将减少.     

紧束缚分子动力学模拟纳米硅管的稳定结构

利用紧束缚分子动力学退火方法模拟研究了纳米硅管(SiNT)的稳定结构和基态能量,结果表明:几何结构特征对纳米硅管的结合能有重要影响,平均键长为0.236 4 nm,表面为双层原子面,具有很高的亚稳性,锯齿型管比扶手椅型管的原子结合能大0.051 eV/atom,SiNT(m,m)(m=2-4)不具有管状结构,SiNT(2,2)可以作为单元形成硅纳米线.     

直拉硅单晶炉热系统的改造对氧、碳含量的影响

为了降低大直径硅单晶生长过程中所引入的氧、碳杂质含量,提高硅单晶质量,特对18英寸直拉硅单晶炉的热系统进行了改进.实验结果表明,通过改变氩气流向和加热器的尺寸的改进型热系统,可降低了硅单晶中的氧、碳含量,缩短拉制晶体时间,降低消耗功率,提高硅单晶质量.图10,表1,参13.     

CO在Pt／Si和Pd／Si上的化学吸附

本文根据单电子化学吸附理论，利用格林函数方法和复能积分技术，研究了ＣＯ在Ｐｔ／Ｓｉ和Ｐｄ／Ｓｉ上的化学吸附。用ｓｐ杂化轨道模型描述衬底，用紧束缚的ｄ轨道模型描述金属。计算结果表明：（１）化学吸附能随Ｓｉ上金属的层数增加而单调下降；（２）Δε〈０ｅＶ的杂质效应表现为使化学吸附减弱；Δε〉０ｅＶ的杂质效应表现为杂质位于表面第一层时加强了化学吸附，杂质位于其它层时减弱了化学吸附。     

发射蓝光的氧化多孔硅和氧化硅的比较研究

对发射蓝光的多孔硅和氧化硅样品分别作了光致和光致发光激发光谱的对比研究，结果表明，当氧化温度达到1150℃时，多孔硅中的纳米硅粒完全消失，此时的光致发光激发谱与发射蓝光的氧化硅的光致发光激发谱有相似的结构和峰位。     

基于Si2414及Si3015的嵌入式Modem设计

介绍一种基于硅实验室双芯片形式的嵌入式Modem芯片Si2414、Si3015以及TI公司的16位定点DSP芯片TMS320LF2407A的嵌入式Modem设计，重点说明了该Modem的硬件电路及软件的设计过程，并培出其在TTU设备通信中的应用实例以及相关硬件接口电路和C语言程序。     

Si/Si低温键合界面的XPS研究

利用金属过渡层的方法实现了Si/Si低温键合.拉力测试表明,温度越高,键合强度越大.采用X射线光电子能谱对Si/Si键合界面进行了研究,结果表明,退火样品的界面主要为Au-Si共晶合金;Si-Au含量比随着退火温度的升高和刻蚀深度的增加而增大.     

'Magic' nucleus 42Si

Nuclear shell structures--the distribution of the quantum states of individual protons and neutrons--provide one of our most important guides for understanding the stability of atomic nuclei. Nuclei with 'magic numbers' of protons and/or neutrons (corresponding to closed shells of strongly bound nucleons) are particularly stable. Whether the major shell closures and magic numbers change in very neutron-rich nuclei (potentially causing shape deformations) is a fundamental, and at present open, question. A unique opportunity to study these shell effects is offered by the 42Si nucleus, which has 28 neutrons--a magic number in stable nuclei--and 14 protons. This nucleus has a 12-neutron excess over the heaviest stable silicon nuclide, and has only one neutron fewer than the heaviest silicon nuclide observed so far. Here we report measurements of 42Si and two neighbouring nuclei using a technique involving one- and two-nucleon knockout from beams of exotic nuclei. We present strong evidence for a well-developed proton subshell closure at Z = 14 (14 protons), the near degeneracy of two different (s(1/2) and d(3/2)) proton orbits in the vicinity of 42Si, and a nearly spherical shape for 42Si.     

吸附在Si (001)表面二聚体相互作用的分子动力学模拟

采用Stillinger-Weber原子间相互作用势,对吸附在Si(001)表面上的二聚体之间的相互作用进行了分子动力学模拟.通过对它们之间相互作用的分子动力学模拟,发现不同的二聚体之间相互作用会形成不同类型的四聚体结构.本文给出两种通过二聚体之间的相互作用形成四聚体结构的途径.模拟还发现这样的四聚体结构在一定温度下是相当稳定的,而且它们的结合位形类似于B型台阶,有利于吸附新的原子形成外延层.     

a—Si／c—Si异质结太阳能电池制造中的技术分析

应用数值模拟方法计算ｐ（ａ－Ｓｉ：Ｈ）／ｎ（ｃ－Ｓｉ）异质结和ｐ（ａ－Ｓｉ：Ｈ）／ｉ（ａ－Ｓｉ：Ｈ）／ｎ（ｃ－Ｓｉ）结－异质结太阳能电池的电场强度分布，指出异质结电池制造中对ａ－Ｓｉ：Ｈ膜厚的选择，进而对嵌入本征ｉ（ａ－Ｓｉ：Ｈ）层的结－异质结太阳能电池设计进行分析并讨论其稳定性     

由《史记·李斯列传》出发观照李斯

秦的君主专制和官僚政治宗法化导致中国官僚阶层普遍的奴仆化,他们缺乏独立的人格,逐渐匍匐在专制王权的脚下。《史记·李斯列传》是《史记》中的精彩篇章,它记述了李斯由一个闾巷布衣依附王权升至丞相的飞腾历程,但最终在封建集团内部的权力斗争中被陷害致死的悲惨故事。李斯依附王权企图维护自身权势但最终为专制王权所毁足,他的悲剧不仅仅是个人的命运悲剧,更是中国封建社会的社会悲剧。