双α射线冷却法测空气湿度的研究

介绍了双α放射线性同位素检测露点的方法。使用半导体探测器及半导体制冷器构成传感器,并利用无模型控制器进一步控制半导体制冷温度,达到对露点跟踪,实施在线检测并显示输出。实验结果表明,在-40～20℃范围内,具有很好的测量精度和重复性,测量精度优于±1℃。     

W302热作模具钢激光熔凝组织及性能的研究

系统研究了Ｗ３０２热作模具钢激光熔凝组织和性能。实验观察到熔凝区由等轴晶、树枝晶、胞状树枝晶、胞状晶组成；熔凝组织由马氏体、残余奥氏体、碳化物组成。与常规组织相比，熔凝区的显微硬度、抗回火稳定性及耐磨性均明显提高。     

快速模拟退火算法用于MESFET大信号建模

对快速模拟退火算法的关键参数进行确定，将该算法应用于微波半导体大信号建模，解决了多变量非线性优化难题，实验结果表明该方法是有效的。从而为解决ＭＥＳＦＥＴ（ＭｅｔａｌＳｅｍ ｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｆｉｅｌｄ ＥｆｆｅｃｔＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ）大信号建模问题提供了一种新思路。     

用分子束外延技术按样定制半导体微观结构

在按样定制的半导体微观结构中，通过把异质结精确地植入晶体内即可定域地确定所期望的势能差。分子束外延技术用于以一个原子接一个原子的构建晶体薄膜，从而可以在微观惊工内精确地“裁剪”人工层状晶体。在ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ超晶格中各组分的周期性调制产生了新颖的电子性质，它开辟了崭新的技术用途。     

纤锌矿结构的GaAlN/GaN量子阱中电子激发态极化的压力效应

研究了GaN／GaAlN量子阱内电子的激发态极化（EESP）的压力效应，计算中考虑了纤锌矿结构材料的晶格常数、形变势的各向异性。以及内建电场（IEF）的作用．结果表明：电子势垒高度随压力下降；电子基态有效质量随压力下降而电子的第一激发态有效质量随压力上升；EESP强度随压力缓慢上升；电子极化的偶极矩随Al浓度非线性下降．一般情况下，EESP对IEF的影响可忽略，但当掺杂浓度n足够大（n〉10^19／cm^3）时，EESP可屏蔽IEF．     

极性半导体中通过形变势表面极化子

有不少的极性半导体，电子与表面光学（SO）声子耦会强，但与表面声学（SA）声子耦会弱。本文采用线性组合算符方法，导出了极性半导体中通过形变势表面极化子的有效哈密顿量。并对两种限情形进行了讨论。     

布拉格反射波导双光束边发射半导体激光器

报道1种在垂直远场方向上产生2个极窄的稳定对称光斑多量子阱边发射半导体激光器,在其有源区两侧设计布拉格反射波导结构.制备100μm条宽的边发射激光器,在垂直方向±33.4°附近实现2个稳定的7.2°对称的近圆形光斑,对器件镀膜后进行测试,在连续和脉冲工作条件下分别得到1.40,2.26 W的输出,器件的特征温度可达到91K.     

太阳能光催化制氢体系研究进展

世界经济的迅猛发展,在促进人们生活水平飞速提升的同时也造成了全球日益严重的能源短缺和环境污染.氢作为一种能源载体,能量密度高,可储可运,且燃烧后唯一产物是水,不污染环境,被认为是今后理想的无污染可再生替代能源.利用太阳能光催化制氢通过把太阳能转化为氢能,能够实现能源的无污染生产、储存、运输和使用,正日益受到国际社会的高度关注,被认为是解决能源及环境问题的最佳途径之一.依据光催化制氢时是否添加牺牲剂及添加牺牲剂的种类,对光催化制氢体系进行了分类,并分别概述了不同体系的研究进展,并对太阳能光催化制氢的未来发展进行了展望.     

SOA在OCDMA网络中的应用

综述了半导体光放大器(SOA)在光码分多址(OCDMA)系统中消除多址接入干扰(MAI)噪声、控制全光分组数据路由的两类应用,阐述了这些方案的原理和特点,并展望了未来SOA在OCDMA网络中的应用.     

增益钳制半导体光放大器的实验研究

为了提高半导体光放大器（SOA）的3dB饱和输出功率和稳定增益，用外腔反馈的方法在普通半导体光放大器的增益谱边缘引入一个钳制激光振荡，研制了增益钳制半导体光放大器（GC－SOA），对其阈值特性，增益特性及开关特性进行了实验研究，结果表明，通过在SOA的增益谱边缘引入钳制激光，稳定了SOA的增益，使SOA的饱和输出功率提高了4dB.