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铅酸蓄电池充电与保护集成电路的设计 总被引:2,自引:2,他引:0
针对蓄电池充电和保护电路的分离及占用较大的面积等问题,采用CSMC公司0.6 μm互补型金属氧化物半导体(CMOS)工艺,设计集蓄电池充电和保护功能于一身的集成电路.它既可以实现对免维护铅酸蓄电池的浮充充电及过充、过放、过流保护,也可以解决分立元件构成的电路占用面积大的问题.采用Cadence中的Spectre对电路进行模拟仿真,结果表明,当温度在-10~90 ℃范围内,基准电压随温度的变化呈抛物线的形状,电路的温度得到很好的补偿. 相似文献
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运用基于拟蒙特卡洛的光线追迹方法,模拟计算采用不同曲率透镜及荧光粉层置于不同位置时大功率发光二极管(LED)器件的光通量和光辐射功率.仿真结果表明:对于反光杯顶部采用透镜封装的LED的光通量输出和荧光粉转换效率、透镜曲率、荧光粉层位置、荧光粉粒径大小等因素有关;平面荧光粉涂层处于反光杯中不同位置时,光通量之差大于50%,而光辐射功率也有明显的差别;当透镜顶部与反光杯开口的距离为反光杯开口半径的一半时,荧光粉涂层位于反光杯中间偏下约0.2mm位置,可得到较大的光通量和荧光粉转换效率. 相似文献
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在考虑Cr4+ ∶YAG激发态吸收的情况下,给出调Q 速率方程组,并且利用计算机对该方程组进行数值求解. 从而,描绘出调Q过程中相关粒子数的变化情况,得到脉冲宽度、脉冲能量、峰值光功率的理论值. 采用Cr4+ ∶YAG 晶体作为可饱和吸收体,在脉冲式Nd∶YAG 中实现了1.06 μm 激光的调Q运转. 实验结果与理论结果相符合. 相似文献
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掺Cr4+离子的激光材料与器件 总被引:1,自引:3,他引:1
王加贤 《华侨大学学报(自然科学版)》2004,25(3):225-230
综合评述掺Cr^4 离子的激光材料,特别是Cr^4 :YAG和Cr^4 :MgzSiO4晶体的重要特性及其在激光器件中的应用.Cr^4 :YAG和Cr^4 :Mg2SiO4这两种晶体有望成为近红外可调谐固体激光器的理想增益介质. 相似文献
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以4,4′,4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)为空穴注入层,N,N′-二-(1-萘基)-N,N′-二苯基-1,1′-联苯-4,4′-二胺(NPB)为空穴传输层,4-二氰甲烯基-2-叔丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛尼定-4-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)为掺杂小分子染料,三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)为电子传输层,采用经紫外臭氧氧化处理的银作为阳极,LiF/Al/Ag为超薄复合阴极制备微腔顶发射红光器件.通过光学模拟,研究光输出耦合层对器件发光光谱的影响.结果表明:当采用60nm的Alq3为光输出耦合层时,在不牺牲器件效率的前提下,器件的光谱角度特性得到极大的改善. 相似文献
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采用InGaAsP多量子阱作为可饱和吸收体,以及Nd∶YAG激光器的耦合输出镜,实现1.06μm激光的被动锁模运转.当激光器腔长为115 cm时,在平凹腔结构中获得平均脉宽23 ps、能量7 mJ的单脉冲序列;在平凸腔结构获得平均脉宽21 ps、能量10.5 mJ的单脉冲序列.比较平凹腔和平凸腔结构的Nd∶YAG激光器的锁模效果,并根据样品结构和可饱和吸收体被动锁模理论,分析半导体多量子阱材料InGaAsP实现被动锁模的机理. 相似文献
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采用磁控共溅射及后退火技术制备Ge,Al共掺SiO2薄膜,通过X射线衍射谱和傅里叶红外吸收谱对样品进行表征,并采用皮秒脉冲激光器的单光束Z扫描技术研究薄膜的三阶非线性光学特性.研究结果表明:薄膜材料对1 064nm的光具有自散焦和双光子吸收效应,薄膜的三阶极化率χ(3)为3.84×10-16 m2.V-2.薄膜材料的三阶非线性极化率比SiO2和GeO2均有显著的提高,说明薄膜材料中的纳米Ge颗粒的量子限域效应及双光子吸收效应是其产生非线性光学效应增强的主要原因,同时Al的掺杂也促进了材料的三阶非线性光学效应的增强. 相似文献
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王加贤 《华侨大学学报(自然科学版)》1999,20(2):127-131
以自聚焦理论为基础,考虑象散补偿的情况,推导出包括LiSAF晶体在内的三镜腔的非线性传输矩阵。由此,可计算出腔内及晶体内部光束半径随激光功率的变化,并确定腔的较佳参数,在实验上实现了三腔镜Cr:LiSAF激光器的自锁模运转。 相似文献
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在满足双波长激光振荡阈值相等的条件下,分析和数值计算抽运光、双波长(1.34,1.06 μm)振荡激光光束半径的相对大小,以及其对两个子腔输出镜透过率关系的影响.研究发现,当抽运光、两种波长激光的光束半径之比达到一定值时,两个子腔输出镜透过率之间的最佳关系不随腔内光束半径的变化而变化在考虑Nd∶YVO4晶体的热透镜效应情况下,可合理地选择2个子腔腔长来实现双波长(1.34,1.06 μm)激光相同的振荡阈值.实验结果表明,抽运功率较小(小于11 W)时,输出的1.06 μm激光功率大于1.34 μm激光功率;抽运功率较大时(大于11 W),1.34 μm激光功率超过1.06 μm激光功率;当抽运功率等于11 W时,1.34 μm和1.06 μm激光功率均为0.675 W. 相似文献