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目前高职院校在校学生正处花季雨季,这个年龄阶段的孩子大多有叛逆心理。如果我们一味强求他们做什么,他们往往向相反的方向发展,渐行渐远。本案例旨在提示高职院校班主任:学生抗拒的往往不是我们给他的内容,而是我们给他的方式,如果我们稍改变一下自己的工作方法,就可能会收到意想不到的效果。 相似文献
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本文叙述了在直拉法生长的尖晶石上外延硅膜的制备与性质。已在直拉法尖晶石(100)面衬底上生长出一批电学性能较好的N型单晶硅膜,并进行了热氧化稳定性试验,N型掺杂的硅膜其霍尔迁移率一般在300厘米~2/伏·秒左右,最高达380厘米~2/伏·秒。载流子浓度控制在10~15~10~16/厘米~3硅膜厚度在1~2微米。 相似文献
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共振隧穿二极管因其特有的负微分电阻特性,成为一种很有前途的基于能带工程的异质结构量子器件.采用超高真空外延技术,以p型重掺杂硅为衬底生长出以4 nm厚Si0.6Ge0.4层为空穴量子阱、以4 nm厚Si层为空穴势垒的双势垒单量子阱结构.然后用常规半导体器件工艺制成了空穴型共振隧穿二极管.在室温下对面积为8 μm×8 μm的共振隧穿二极管进行测量,其峰值电流密度为45.92 kA/cm2, 电流峰谷比为2.21. 根据测量得到的电流电压特性考虑串联电阻的影响,提取出共振隧穿二极管的直流参数.可以利用这些参数将共振隧穿二极管的直流模型加入SPICE电路模拟软件器中进行共振隧穿二极管电路设计. 相似文献
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针对型面电解加工过程中的间隙温度分布难以预测和测量的问题,建立型面二维电解加工温度多物理场耦合仿真模型,分别基于SA、k-ε、k-ω、SST和低雷诺数k-ε等湍流模型求解加工间隙流场分布,耦合电场、流场和温度场求解间隙温度场分布,并将计算值与试验值进行对比。结果表明,求解近壁区流速时采用低雷诺数壁处理比采用壁函数处理的精度高,间隙温升能在较短时间内达到准稳态,基于SST、低雷诺数k-ε模型的间隙温度仿真值非常接近,其耦合气泡的温度多场耦合模型仿真值与试验值更为接近。 相似文献