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| 在直拉法尖晶石上外延硅膜的研制 | |
| 引用本文： | 隋森芳,范守善,陈浩明,陈培毅,邬鸿彦.在直拉法尖晶石上外延硅膜的研制[J].北京大学学报(自然科学版),1975(4). |
| 作者姓名： | 隋森芳 范守善 陈浩明 陈培毅 邬鸿彦 |
| 作者单位： | 清华大学固体物理研究班 (隋森芳，范守善，陈浩明，陈培毅)，清华大学固体物理研究班(邬鸿彦) |
| 摘 要： | 本文叙述了在直拉法生长的尖晶石上外延硅膜的制备与性质。已在直拉法尖晶石(100)面衬底上生长出一批电学性能较好的N型单晶硅膜,并进行了热氧化稳定性试验,N型掺杂的硅膜其霍尔迁移率一般在300厘米~2/伏·秒左右,最高达380厘米~2/伏·秒。载流子浓度控制在10~15～10~16/厘米~3硅膜厚度在1～2微米。 |
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