反相高效液相色谱法测定化妆品中的酮麝香

 酮麝香是化妆品中的限用物质,对人体有致癌作用,因此,有必要对其含量进行分析。采用超声辅助提取法对不同基质类型的化妆品样品进行预处理。利用反相高效液相色谱法测定化妆品中的酮麝香。色谱条件为Kromasil C₁₈(250mm×4.6mm i.d.,5μm)色谱柱,流动相V(乙腈):V(水)= 80:20,流速1.0mL/min,检测波长235nm。结果表明,在此条件下,酮麝香在0.5-150 μg/mL范围内与相应的峰面积具有良好的线性关系(相关系数r为0.9998),线性回归方程为A=13500ρ-4829,回收率为90.5%-102.5%,RSD为0.45%-0.98%。因此,研究建立的利用反相高效液相色谱法测定化妆品中的酮麝香的方法准确、可靠、适用性广,可为酮麝香的分析及国家相关法规的制定提供一定的参考。     

广梧高速水稳厂拌式碾压混凝土基层应用研究

本文以广梧高速河口至平台段在重载交通情况下,研究水稳厂拌式碾压混凝土做为沥青路面基层在高速公路中的应用。     

Epitaxy of SiGe Layers by Ultrahigh Vacuum Chemical Vapor Deposition

Introduction　　Becausethepropertiescanbeadjustedbythestraindistributionandthepossibleintegrationwithstandardsilicontechnology,silicon-germanium(SiGe)heterosystemshavebecomemoreimportantinrecentyears.AnumberofinterestingelectronicandopticaldeviceshavebeendevelopedusingSiGe.Thesedevicesincludeheterostructurefieldeffecttransistors(HFET)[1,2],heterojunctionbipolartransistors[35],andinfrareddetectors[6,7].Futureprospectshaveencouragedthesearchforimproveddepositiontechniquesforsiliconandsilicon…     

风险投资机构进入时机与企业技术创新的关系研究

以创业板有风险投资背景的上市企业数据为研究样本,研究风险投资机构进入时机与企业技术创新的关系.结果表明:在早期进入的风险投资机构对企业技术创新的影响更为积极,而在后期进入的风险投资机构对企业的技术创新的影响不显著,甚至产生抑制的作用.基于此研究结论,最后给出政策性建议:大力发展政府引导基金,鼓励风险投资机构投资种子期企业,完善风险资本的准入和退出机制,解决风险投资机构投资早期创业企业的后顾之忧.     

四川盆地高石梯-磨溪地区栖霞组沉积模式研究

近年来川中地区二叠系栖霞组油气勘探持续取得突破,成为重点勘探领域。然而,目前对栖霞组沉积格局的认识尚存在较大的争议,为厘清川中高石梯—磨溪地区栖霞组的沉积特征,本次研究结合沉积古地貌,根据岩心、岩屑、常规测井、成像测井和地球化学资料,开展了沉积相和沉积模式研究。结果表明：栖霞期发育开阔台地相,台内滩和台坪亚相,滩、滩间、灰坪微相;滩相以生屑灰岩、微亮晶球粒灰岩、亮晶砂屑灰岩为主,发育砂屑滩和生屑滩;滩间岩性为泥晶生屑灰岩;灰坪相岩性为泥晶灰岩和硅质灰岩。滩相存在局部白云岩化特征,发育白云质灰岩、灰质白云岩、细-中晶白云岩在、中-粗晶白云岩。栖一段沉积期相对局限,海水相对较深,滩相与滩间交互发育,滩相主体沉积于古地貌相对较高的古隆起高部位,沉积相受古地貌的影响较大;栖二段沉积期相对开阔,古地貌对滩相的影响变弱,滩相连片发育。结合沉积背景,本文建立了开阔台地滩相模式,为高石梯—磨溪地区栖霞组的下一步开发部署提供了地质依据。     

在直拉法尖晶石上外延硅膜的研制

本文叙述了在直拉法生长的尖晶石上外延硅膜的制备与性质。已在直拉法尖晶石 （１００）面衬底上生长出一批电学性能较好的Ｎ型单晶硅膜，并进行了热氧化稳定性试 验，Ｎ型掺杂的硅膜其霍尔迁移率一般在３００厘米２／伏·秒左右．最高达３８０厘米２／伏 ·秒。载流子浓度控制在 １０１５～１０１６／厘米３硅膜厚度在 １—２微米。     

HV/CVD Grown Relaxed SiGe Buffer Layers for SiGe HMOSFETs

High-vacuum/chemical-vapor deposition (HV/CVD) system was used to grow relaxed SiGe buffer layers on Si substrates. Several methods were then used to analyze the quality of the SiGe films. X-ray diffraction and Raman spectroscopy showed that the upper layer was almost fully relaxed. Second ion mass spectroscopy showed that the Ge compositions were step-graded. Transmission electron microscopy showed that the misfit dislocations were restrained to the graded SiGe layers. Tests of the electrical properties of tensile-strained Si on relaxed SiGe buffer layers showed that their transconductances were higher than that of Si devices. These results verify the high quality of the relaxed SiGe buffer layer. The calculated critical layer thicknesses of the graded Si1-xGex layer on Si substrate and a Si layer on the relaxed SiGe buffer layer agree well with experimental results.     

高炉粉尘Fe和Zn非熔态分离工艺

开发一种高炉粉尘再资源化处理工艺,采用"非熔态还原--磁选分离--Zn的回收、富集"方法对典型高炉粉尘进行Fe、Zn非熔态分离研究.结果表明:在910～1 010℃,使用纯H2、CO为还原剂进行非熔态还原,同时实现粉尘中Fe2O3(s)→Fe(s)和ZnO(s)→Zn(g)的高度转变,金属化率达到90%以上,气化脱锌率达到99%以上,且还原过程未发生烧结.还原产物直接经磁选分离、富集得到TFe品位90%的富Fe物料;含锌挥发物经回收、富集得到ZnO含量92%的富Zn物料.成功地将高炉粉尘全部转化为MFe、ZnO等有价资源,实现了零排放,且分离过程不需高温熔融,过程能耗低,无环境污染.     

从美国金融风暴看中国金融创新

美国金融风暴席卷全球,令许多人对金融创新及金融衍生品谈虎色变。这对于正处于金融创新起步阶段的中国金融业来说无疑是一记沉重的打击。当前中国应当吸取美国金融危机的经验教训,不但要加快资本市场的金融创新,还要深化投资银行在业务、融资方式和监管方式上的创新。