基于电子自旋弛豫的全光开关的理论计算

国外已有实验测量发现，InGaAsP多量子阱材料的电子自旋弛豫时间是与材料的阱宽大小直接联系的，而且比之前研究的GaAs多量子阱材料的自旋弛豫时间更短。文中对激子的特性进行了介绍，对影响电子自旋弛豫时间的三个机制经行了分析和计算，并且采用有限深势阱摸型对InGaAsP多量子阱的组分和阱宽之间的关系进行了计算，最后根据要制作的全光功能开关的性能指标对计算结果进行了选择，得到最适合于制作光开关的材料为：势阱In0．53Ga0．47As（阱宽6nm）；势垒InP。     

基于Petri网的填土路基施工过程的建模与研究

将填土路基施工过程系统分解为相互关联的子对象系统，分别用Petri网对子对象系统建立分级子模型，然后再将子模型系统作为变迁元素嵌入到道路施工的主网络模型中去，从而获得整个道路施工系统的Petri网模型.     

苹果褪绿叶斑病毒库尔勒香梨分离物外壳蛋白基因在大肠杆菌中的表达

将ACLSV CP基因克隆到表达载体ρET-28a( )中，转化大肠杆菌BL21，筛选得到阳性克隆pET-ACP，用IPTG诱导使其表达，SDS-PAGE电泳分析表明，预期的22kD外壳蛋白在大肠杆菌中得到大量表达，并加以纯化，用于制备抗血清。     

Pr-Fe-V-Ti合金系ThMn12型化合物及氮化物的合成与磁性

本文报导成功地合成了Ti或V,Ti同时稳定的镨系1:12相化合物.Pr(Fe,V)12化合物不存在,PrFe11 Ti化合物仅在1110℃-1030℃狭窄的温度范围内形成,以部分V替代Ti,可使1:12相形成温度范围明显增大,形成温度降低.氮化之后,ThMn12结构不变,但体积膨胀约4.5%.PrFe11 V1-xTixNδ((0.2≤x≤1)合金样品的饱和磁化强度为144～150 emu/g,居里温度为457℃～477℃,各向异性场大于7 T.     

中国证券市场的非线性特征与分形维分析

采用Cao方法清楚地观测到中国证券市场的月收益率序列是确定性混沌序列,而日收益率序列和周收益率序列却接近于随机波动信号,不适宜做分形维的研究.对我国股市各指数分别作了分形维计算后,同时用替代数据法进行非线性检验,拒绝了中国股市为线性过程的可能性,从而保证了非线性前提下分维数结果的可靠性.结果显示:深证A股市场最为复杂,需要五个变量来建立动力学模型(D2=4 6150),而上证A股需要四个变量来建立模型(D2=3 2411).因此,深圳股市的效率弱于上海股市.而我国B股市场已经接近于发达国家股市的复杂性程度(D2=3 3195(上B);D2=2 5875(深B)),说明B股的效率比A股的效率高.     

对夫琅禾费圆孔衍射光能量的分析

对圆孔夫琅禾费衍射光能量进行了定量分析，并证明了爱里斑能量占入射光能量的84％。     

盐酸介质中咖啡因在冷轧钢上的吸附及缓蚀作用

利用失重法和塔菲尔极化曲线方法研究了盐酸介质中咖啡因对冷轧钢的缓蚀作用．结果表明：咖啡因对冷轧钢在0．5moL／L盐酸溶液中的腐蚀有着良好的抑制作用，缓蚀率随咖啡因浓度增加而升高；在一定浓度范围内随着温度升高而增加；其在冷轧钢表面吸附基本符合Langmuir等温式．咖啡因对钢在盐酸中的阳极反应和阴极反应均有抑制作用，但主要是通过抑制阴极反应而起到缓蚀作用。     

基于特征图叠加的脱机手写体汉字识别

采用深度学习方法处理脱机手写体汉字识别问题,提出一种改进的卷积神经网络结构.不同于传统的层与层依次连接的方式,新的结构中将当前层与前一层的特征图进行叠加后共同作为输入进入下一层.与以往结构相比,该卷积神经网络结构缓解了梯度消失的问题,减少了参数数量,且更有效地保留了汉字的细微结构特征.在ICDAR-2013脱机手写体汉字识别竞赛测试集上的实验结果表明,该结构可以在减少模型参数的情况下得到较高的识别准确率.     

基于随机介质理论的香丽高速某隧道浅埋段拱顶沉降预测

为了提高地下隧道施工的安全性,加强不稳固围岩的支护强度,基于随机介质理论对隧道浅埋段拱顶沉降进行了预测。以随机介质理论为基础,将隧道相关参数整合,输入到编好的程序中,得到隧道理论沉降值。然后,利用有限元分析软件对隧道开挖及发生沉降的过程进行模拟,通过观察模型应力、应变及位移的变化,确定隧道模拟沉降值。将隧道拱顶沉降实际值与理论及模型值进行比较,结果表明,基于随机介质理论的隧道拱顶沉降预测方案具有较高的可信度,可以为相关隧道工程提供参考。     

退火温度对钨中He相关缺陷演化影响的研究

本文通过离子注入向钨体中注入能量为100keV氦离子,并利用X射线衍射(XRD)以及慢正电子束分析(SPBA)手段研究了不同退火温度下氦在钨体中的行为以及相关缺陷的演化.实验结果表明:低温退火并未改变相关缺陷的类型,样品S参数的下降表明低温退火导致了缺陷浓度的降低;当退火温度达到700℃时,样品S-W参数线性分布的变化表明缺陷类型逐渐发生改变;随着退火温度的进一步升高,He相关缺陷的演化程度加剧并向更深处迁移.