| 退火温度对钨中He相关缺陷演化影响的研究 |
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| 引用本文： | 卢晓波,刘莉,郑明秀,王康,张元元,邓爱红.退火温度对钨中He相关缺陷演化影响的研究[J].四川大学学报(自然科学版),2018,55(3):605-608. |
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| 作者姓名： | 卢晓波 刘莉 郑明秀 王康 张元元 邓爱红 |
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| 作者单位： | 四川大学物理科学与技术学院;西南民族大学计算机科学与技术学院 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金（11275132, 11675114） |
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| 摘 要： | 本文通过离子注入向钨体中注入能量为100keV氦离子,并利用X射线衍射(XRD)以及慢正电子束分析(SPBA)手段研究了不同退火温度下氦在钨体中的行为以及相关缺陷的演化.实验结果表明:低温退火并未改变相关缺陷的类型,样品S参数的下降表明低温退火导致了缺陷浓度的降低;当退火温度达到700℃时,样品S-W参数线性分布的变化表明缺陷类型逐渐发生改变;随着退火温度的进一步升高,He相关缺陷的演化程度加剧并向更深处迁移.
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| 关 键 词： | 钨，氦，离子注入，空位型缺陷，慢正电子束 |
| 收稿时间： | 2016/12/23 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2017/1/9 0:00:00 |
Study on the effects of the evolution of helium-related defects in tungsten under different annealing temperatures |
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| LU Xiao-Bo,LIU Li,ZHENG Ming-Xiu,WANG Kang,ZHANG Yuan-Yuan and DENG Ai-Hong.Study on the effects of the evolution of helium-related defects in tungsten under different annealing temperatures[J].Journal of Sichuan University (Natural Science Edition),2018,55(3):605-608. |
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| Authors: | LU Xiao-Bo LIU Li ZHENG Ming-Xiu WANG Kang ZHANG Yuan-Yuan and DENG Ai-Hong |
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| Institution: | College of Physical Science and Technology, Sichuan University,College of Computer Science and Technology, Southwest University for Nationalities,College of Computer Science and Technology, Southwest University for Nationalities,College of Physical Science and Technology, Sichuan University,College of Physical Science and Technology, Sichuan University and College of Physical Science and Technology, Sichuan University |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Tungsten Helium Ion implantation Vacancy-type defect Slow Positron Beam Analysis |
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