一种新的晶体定向切割方法

发展了一种新的晶体定向切割方法，此法利用Ｘ光定向仪，在只须知道晶体某一晶面的情况下，借助于该晶体的标准极图，即可定向切割出该晶体的任意所需晶面（或晶向）。理论分析表明，此法对立方晶系、六方（含三方）晶系、四方晶系、正交晶系均正确、可靠，定向切割操作快速、准确、简捷，具有很高的实用性。     

ZrO2介质膜的光热吸收研究

报道了用直流反应溅射法在低氧分压条件下(6.0×10-3～8.0×10-3Pa)沉积ZrO2介质膜的制备工艺,XRD分析表明该条件下制备的ZrO2介质膜结构均为非晶态,表面光热技术测量其在10.6μm波长下的吸收系数为1.223×10-3～1.285×10-3cm-1,且吸收率随氧分压的升高而降低.这表明,表面光热测量是一种既简单又有很高灵敏度的实时检测技术,而在直流反应溅射法中氧分压是一个非常敏感的工艺参数,并显著地影响着膜层的光吸收.     

二茂铁有机磁体的磁性能与应用研究

与无机铁氧体比较，以二茂铁为原料，按专利文献合成的二茂铁有机磁体在广泛的温度范围内磁性能十分稳定，在10～1800MHz的高频、微波下，磁导率(μ')和磁损耗(μ〃)基本不随使用频率而变化．应用研究表明，它是一类新型的软磁材料，适于制作许多高频和微波电子器件．     

CdGeAs2多晶合成与单晶生长研究

以高纯(6N)Cd、Ge和As单质为原料,按CdGeAs2的化学计量比配料,采用机械振荡和温度振荡相结合新方法合成出CdGeAs2多晶锭,经X射线粉末衍射分析表明合成产物为高纯单相的CdGeAs2多晶．用20℃/min的升温和降温速率对合成的CdGeAs2多晶进行了DTA分析,结果显示CdGeAs2多晶的熔化温度为669.24℃、结晶温度为615.55℃．根据DTA分析结果设计CdGeAs2晶体生长温场,采用改进的Bridgman法生长出外观完整、尺寸为Φ15mm×45mm的CdGeAs2晶体,并对其进行解理实验,获得了完整、光滑的解理面,经XRD分析结果显示,连扫谱呈现{101}面的四级衍射峰,(101)面回摆谱峰尖锐、对称性好．     

几种商业催化剂电氧化二甲醚的催化性能研究

通过循环伏安法研究了三种商业催化剂--40%Pt/C, 20%Pt-10%Ru/C(Johnson Matthey)和 20%PtRu/C, Pt:Ru =1:1(E-TEK)在酸性介质中对二甲醚电氧化的催化性能,比较了不同商业催化剂的催化活性.实验发现,在Pt担载量为0.1 mg/cm2和25 ℃时,JM-两种催化剂的催化活性都高于E-TEK的,且JM-PtRu/C二元催化剂对二甲醚电氧化的活性又比JM-Pt/C高.这一结果表明了Ru的加入能一定程度上提高催化剂的活性和抗中毒能力.当温度由25 ℃升高到70 ℃,JM-PtRu/C对二甲醚电氧化的起始氧化和氧化峰电位分别负移160 mV和200 mV、氧化峰电流密度提高了0.63倍;而JM-Pt/C的分别仅负移80 mV和96 mV、氧化峰电流密度却提高了2.77倍.这表明了Ru 的加入提高了催化剂的抗中毒能力、催化活性和以二甲醚为燃料的电池输出电压.同时升高温度使得Pt对CO的吸附能力下降,可提高其电池的输出电流.进一步实验还表明了二甲醚的吸附是一个弱吸附,其吸附步骤是氧化的限制过程,而且Ru的加入一定程度上也抑制了二甲醚的吸附,即Pt和Ru的比应有一个优化值.实验还发现了这三种催化剂在50 ℃下电催化氧化二甲醚后,电极的电化学表面积均有增大的现象.本文的研究结果将为进一步探索新的直接二甲醚燃料电池阳极催化剂提供了一定的指导意义和基础数据.     

AgGa1-xInxSe2晶体的生长温场研究

采用B-S法生长出尺寸为Φ12×35mm的AgGa1-xInxSe2(x=0.2)非线性光学晶体.对AgGa1-xInxSe2(x=0.2)多晶进行差热分析.结合测试结果和结晶特性,设计出适合晶体生长的稳定温场并设计组装了三温区B-S立式炉.对生长的AgGa1-xInxSe2(x=0.2)晶体解理面进行X射线衍射分析得到(101)面,表明生长出的AgGa1-xInxSe2晶体结构完整,所设计的温场适合于AgGa1-xInxSe2单晶生长.     

氧分压对电子束蒸发ZrO2薄膜微结构的影响

用XRD衍射技术分析了基片转动和充氧条件对ZrO2薄膜组成结构的影响,发现在相同低氧压条件下(P≤1.1×10-2Pa)基片转动能够改变薄膜的组成结构,即薄膜发生从四方相到单斜相的转变;随着氧压进一步升高,ZrO2薄膜将由多晶态逐渐转变为无定形结构.同时发现基片转动能够降低充氧条件对表面粗糙度和晶粒大小的影响.激光阈值损伤测量表明,氧压条件影响着ZrO2薄膜的抗激光损伤能力,且多晶结构的激光损伤阈值高于无定形结构.     

LiMgAlF_6 : Tm~(3 ) 的合成与光谱特性

采用高温固相反应法,ＬｉＦ／ＭｇＦ２／ＡｌＦ３＝１２０／１１０／１００,烧结温度为１００８Ｋ,烧结时间为４ｈ,在流动的高纯Ａｒ中合成了ＬｉＭｇＡｌＦ６：Ｔｍ３＋。对其结构和发光特性进行了研究。     

硒镓银晶体核辐射探测器的制备

报道了在室温下适宜于５．４８６ＭｅＶ的α射线的硒镓银晶体核辐射探测器的制备及其性能测试结果．１０ｍｍ×７ｍｍ×０．６ｍｍ的硒镓银晶片被磨平、抛光和清洁后，在其两面镀上电极．硒镓银探测器在室温下用２４１Ａｍ源发出的５．４８６ＭｅＶα射线进行辐射测试．结果表明，硒镓银晶体是一种有希望的室温α射线探测器新材料．     

CdGeAs2多晶合成研究

以高纯(6N)Cd、Ge和As单质为原料,按CdGeAs_2的化学计量比配料,采用机械振荡和温度振荡相结合新方法合成出CdGeAs_2多晶锭,经X射线粉末衍射分析表明合成产物为高纯单相的CdGeAs_2多晶.用20℃/min的升温和降温速率对合成的CdGeAs_2多晶进行了DTA分析,结果显示CdGeAs_2多晶的熔化温度为669.24℃、结晶温度为615.55℃.根据DTA分析结果设计CdGeAs_2晶体生长温场,采用改进的Bridgman法生长出外观完整、尺寸为φ15 mm×45 mm的CdGeAs_2晶体,并对其进行解理实验,获得了完整、光滑的解理面,经XRD分析结果显示,连扫谱呈现(101)面的四级衍射峰,(101)面回摆谱峰尖锐、对称性好.