分光光度法测定碱性无汞电池中铟的含量

研究了在硫酸介质中，非离子型表面活性剂PVA存在下，乙基罗丹明B络阳离子与InI4^-络阴离子所形成的离子缔合物分散在水相中，形成了胶束增溶显色体系，缔合物的最大吸收波长位于602nm处，方法的表观摩尔吸光系数为ε’602=1．58×10^5L·mol^-1·cm^-1，铟含量在0-11μg／10mL范围内服从比尔定律，用于碱性无汞电池样品中铟的测定，相对标准偏差为1．9％（n=4），加标回收率为95％-107％，比对实验结果吻合．     

ITO透明半导体膜的研究

采用直流磁控溅射ITO陶瓷靶的高温低氧工艺,在玻璃衬底上成功地镀制了ITO透明半导体膜,其可见光透过率达80％以上,电阻率降到3×10~(-4)(?)cm以下。     

等温平台石墨炉原子吸收光谱法测定高纯铟中痕量杂质铅和砷

利用石墨炉原子吸收法，在等温平台条件下利用标准加入法直接测定了高纯铟中的痕量杂质铅和砷．并对石墨炉加热程序中的干燥时问、灰化温度及原子化温度进行了优化，同时也考察了介质酸度的影响．本方法中铅和砷的特征质量分别为37．8pg和40．7pg，相对标准偏差平均值分别为2．8％和2．0％，加标回收率分别为85．6％～95．4％和97．3％～105．0％，是测定高纯铟中杂质铅和砷的一种简单、快速、准确的方法．     

CdS,ZnO1-xSx电子结构和光学特性的第一性原理研究

 采用基于密度泛函理论(DFT)框架下广义梯度近似(GGA)的PBE平面波超软赝势方法,研究了闪锌矿型CdS和ZnO_1-xS_x(x=0,0.25,0.5,0.75,1)的电子结构和光学特性.计算并分析了闪锌矿型CdS和ZnO_1-xS_x的复介电函数、光电导率、吸收系数和损失函数.研究结果表明,闪锌矿型CdS和ZnO_1-xS_x(x=0,0.25,0.5,0.75,1)均为直接带隙半导体材料.ZnO中一定浓度的硫掺杂,导致带隙宽度变窄,而晶格常数随掺杂基本呈线性变化.就目前制备铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池普遍使用CdS缓冲层而言,ZnO_1-xS_x具有与CdS类似的电子结构,但光学特性上高频特性有明显改善.这些特性对于改善电池吸收层表面性能和光吸收特性、制备高效CIGS薄膜太阳能电池非常有利.     

火焰原子吸收分光光度法测定尾砂矿中的微量铟

以HCl、HNO3、HF、HClO4溶解样品,釆用火焰原子吸收分光光度法测定尾砂矿中的铟含量,对仪器的工作条件和反应条件进行了选择和优化。该方法线性范围为0～10μg.ml-1,线性方程y=0.001809＋0.01497x,相关系数为0.9994,检出限0.090μg.ml-1,RSD=1.39%,回收率96.0%～106.0%。该方法操作简便,准确度和精密度能够满足分析要求。     

放射性核素￣（111）In及￣（111）InCl＿3注射液制备方法的研究

用ＨＤＥＨＰ并以正庚烷为稀释剂从存在大量的Ａｇ（Ⅰ）和Ｃｕ（Ⅱ）的硝酸溶液中萃取Ｉｎ（Ⅲ）。研究了Ｉｎ（Ⅲ）在两相之间的分配比与酸度、ＨＤＥＨＰ浓度及Ｉｎ（Ⅲ）含量的关系。用不同浓度的盐酸从有机相中反萃取Ｉｎ（Ⅲ），并测量了Ｉｎ（Ⅲ）的回收率。从回旋加速器内靶装置上，用α粒子辐照的镀银靶物质中，分离出高纯度、无载体的￣（１１１）Ｉｎ，并制成了￣（１１１）ＩｎＣｌ＿３注射液。     

从含Sn,Zn,Cu,Pb,In的盐酸溶液中用TBP萃取Sn

文题的最佳工艺条件为:25%TBP-10%癸醇-65%煤油,3mol/LHCl,20～30℃。负载有机相中的杂质离子Zn~(2+),Cu~(2+),In~(3+),Pb~(2+)用约5mol/L盐酸洗涤除去。负载有机相中的Sn~(4+)用0.24mol/L HCl反萃。萃取及反萃取的理论级数分别为2和7级。     

In_(1-x)Ga_xAs/InP多量子阱结构的LP-MOVPE生长

本文报导了在低温、低压下,以三甲基镓(TMG)、三乙基铟(TEI)为Ⅲ族源材料,100％砷烷(AsH_3)、100％磷烷(PH_3)为V族源材料,用金属有机化合物气相沉积技术在(100)InP衬底上生长出In_(1-x)Ga_xAs/InP多量子阱结构材料.X光摇摆曲线观测到由于周期性多量子阱结构而产生的多级卫星峰,光致发光测量给出了不同阱宽下由量子阱尺寸效应而导致的PL谱.     

铟—PAR络合吸附波的极谱行为研究

本文介绍了在0.09mol/L NH_3·H_20—0.21mol/L NH_4Cl介质中,当有8×10~(-5)mlo/L PAR存在时,In~(3+)在—0.85V(vs.S·C·E·)处产生一灵敏的络合吸附波,其线性范围为0.1～0.8μg/ml。对这一络合吸附波的性质进行了研究,并测定了该络合物的组成。利用In—PAR络合吸附的极谱行为进行了纯铅中微量铟的加入回收实验,测定了合成样品中的微量铟。     

Ga1—xInxAs1—ySby四元合金系光学性质的研究

以对ＧａＳｂ为衬底、外延生长的四元化合物Ｇａ１－ｘＩｎｘＡｓ１－ｙＳｂｙ（组分在ｘ＝０．０３２，ｙ＝０．９４到ｘ＝０．２６，ｙ－０．９范围内）进行了远红外反射谱、喇曼散射、光吸收和光致发光的测量。结果给出外延层晶格振动的性质及不同温度下（８３Ｋ－３００Ｋ）四元合金的能隙，并详细讨论了能隙随温度的变化。