微波等离子体CVD方法制备金刚石薄膜

采用微波等离子体化学气相沉积方法分别在ＣＨ４／Ｈ２，ＣＯ／Ｈ２和（ＣＨ４＋ＣＯ）／Ｈ２气体体系下合成了金刚石薄膜。结果表明，所合成的金刚石薄膜具有明显的柱状生长特性和较高的品质。（ＣＨ４＋ＣＯ）／Ｈ２体系合成的金刚石薄膜具有较高的生长速率和晶面定向生长的特性。     

CVD金刚石薄膜表面晶形研究

本文较详细地研究了采用ＨＦＣＶＤ方法在Ｓｉ、Ｍｏ等衬底上生长出的不同表面晶形的多晶金刚石薄膜，讨论了生长条件（衬底温度、碳源浓度、反应压强）对金刚石薄膜晶粒形貌的影响．结果表明在ＨＦＣＶＤ方法中，金刚石薄膜表面晶形对生长条件十分敏感，生长条件的微小变化就会导致不同表面晶形的生长．     

MPCVD法沉积金刚石薄膜中等离子体光谱

从等离子体发射光谱变化这一角度研究在不同沉积条件下等离子体中电子平均能量的特点，分析碳源气体分析与电子的碰撞以及碳氢基团的能态变化，从而对等离子体法沉积金刚石薄膜微观机理进行初步探索。     

热阴极辉光PACVD金刚石厚膜的生长特性

对用热阴极辉光ＰＡＣＶＤ方法合成的金刚石厚膜，采用扫描电子显微镜进行了观察，研究了金刚石的生长机制。     

硅衬底温度对金刚石薄膜品质影响

采用PCVD法制备金刚石薄膜的设备研究硅衬底温度变化对沉积金刚石薄膜品质的影响.实验发现,温度从750℃增加到950℃的过程中,随着硅衬底温度上升,金刚石薄膜的质量先变好,生长速率减小;850℃质量达到最好,生长速率降到最低;850℃后质量开始变差,生长速率增加;950℃膜由反聚乙炔构成.随着硅衬底温度增加,氢原子刻蚀作用逐渐增大且愈加集中,膜表面空洞缺陷和晶界缺陷增加.综合考量,金刚石薄膜的品质先变好后变差.     

镜面抛光硅衬底上金刚石薄膜的生长

在镜面抛光硅衬底上加负偏压,利用微波等离子体化学气相沉积方法生长金刚石薄膜。通过改变偏压成核阶段的不同条件制备出一系列样品,与直接在镜面抛光硅衬底上不加偏压直接生长的金刚石膜相比,成核密度明显提高,可达４×１０＾９ｃｍ＾－２。     

用原子力显微镜观察金刚石膜核化过程

对衬底负偏压热灯丝ＣＶＤ金刚石膜核化过程进行了研究。利用原子力显微和扫描电子显微镜观察和分析结果表明,在衬底负偏压下正离子对Ｓｉ衬底表面轰击导致产生了大量的小坑几尖劈端,以此作为核化点,从而促进了核化过程。     

硅微尘上金刚石膜的生长

采用微波等离子体方法在硅微尖上生长了金刚石膜，并利用ＳＥＭ和Ｘ射衍射方法对金刚石膜进行了研究。     

Si衬底上金刚石薄膜的成核和生长机理

以酒精为碳源,用热丝CVD法,对不同表面状况的Si衬底作金刚石沉积比较.讨论了薄膜的成核、生长机制,认为CH_2是成核的主要气相种类,H原子直接参与了成核和生长,它们在薄膜沉积中起了极为重要的作用.解释了毛糙表面的Si衬底上金刚石易成核的现象.     

金钢石合成技术取得突破

<正> 日本技术学院的洋一弘漱教授首次成功地在大气条件下进行了金钢石人工合成。这一化时代的新技术称为“不闭合大气燃烧法” (Open atmosphere combustiOn flame method)。传统的金刚石合成技术需要一个抽掉空气的反应室,使室内维持真空条件下的高温和高压。洋一弘漱教授的方法之所以是划时代的,是其使得金刚石的合成过程能够在自然的大气条件下进行,所需要的只是一个燃烧器。这一方法的成功意味着金刚石合成的费用将大大降低,并能进行大规模的金刚石生     

松口蘑菌丝体生长对碳源需求的研究

本了纯培养状态下松口蘑菌丝对不同种类碳源的利用情况，能利用的单糖有葡萄糖、果糖和甘露糖，能利用的双糖有麦芽糖和蔗糖，多糖类和其它形式的碳源几乎不能被利用，在所有碳源中对松口蘑菌丝最适宜的是葡萄糖，本还对松口蘑菌丝在不同碳源上的生长状态进行了比较分析。     

金刚石厚膜的制备方法及应用展望

热丝化学气相沉积是制备金刚石厚膜的传统方法,但是所得到的金刚石厚膜成品率低,限制了其作为刀具和散热片的应用。本文针对此方法进行设备改造,采用复合技术-射频等离子体辅助热丝化学气相沉积(RF-HFCVD)提高金刚石厚膜的沉积速率和质量。同时,对金刚石厚膜的应用及展望进行了简要综述。     

电沉积方法制备银纳米薄膜的研究

通过对甲磺酸银体系和硝酸银体系中电沉积制备银纳米膜时的电沉积速率的比较及对所得纳米膜形貌的分析发现,在相同工艺条件下,硝酸银体系中得到的银纳米膜晶粒粒径比较小,膜的生长速率较快。选定硝酸银体系为电沉积体系,考察了槽压、电解液的浓度和温度及电解液的pH值对电沉积制备纳米膜的影响,确立了电沉积制备银纳米膜的最佳电解液组成及工艺条件。     

金刚石膜的内应力研究

采用微波PCVD方法在单晶硅片上制备出了金刚石膜．利用拉曼光谱和X射线射三行射（XRD）研究了不同甲烷浓度对在硅基底上沉积金刚石膜的内应力的影响，同时用XRD研究，抛光对于自支撑金刚石膜的宏观应变和微观应变的影响．     

N离子注入金刚石膜方法合成的CNx膜的成键结构

使用N离子（能量分别为10keV,60keV)注入金刚石膜方法合成CNx膜，用Raman光谱和XPS光谱研究注入前后金刚石膜的成键结构。结果表明，金刚石膜经10keVN离子注入后，在Raman光谱中出现一个较强的金刚石峰（1332cm^-1)和一个弱的石墨峰（G带，-1550cm^-1)。而XPSN1s资料显示两个主峰分别位于～398.5eV和～400.0eV。金刚石膜经60keVN离子注入后，N1sXPS光谱中的主峰位于～400.0eV；相应地，Raman光谱中的石墨峰变得较强，通过比较，对注入样品的XPS谱中N1s的成键结构作如下归属：～400.0eV属于sp^2C-N键；～398.5eV则属于sp^3C-N键。     

硅烷外延生长速率和衬底取向的关系

用硅烷热分解方法生长硅膜时,硅膜的生长速率与衬底取向及材料无关.不同衬底在低温区具有相同的生长激活能.作者认为硅烷外延生长和四氯化硅外延不同,其生长机制是硅烷气相分解产物通过滞流层向衬底的定向扩散并在衬底上堆积.     

长链烷烃降解菌生长条件优化及降解特性研究

采用微生物学方法,从俄国生物制剂Ленойл中筛选出一株可降解长链烷烃的优势菌株,该菌株可利用柴蜡碳源为唯一碳源和能源.通过对该菌株在不同温度、pH,以及不同柴蜡碳源初始浓度下的生长量和柴蜡碳源降解率的研究,确定该菌株的最适生长温度为10℃,最适pH为7.6,可在柴蜡碳源初始浓度可达2000 mg/L的培养基中生长并有较强的柴蜡碳源降解能力.在10℃、pH为7.6、培养基体积25 mL、接种量为10％ （v/v）、摇床转速在170rpm的条件下,培养6d后可使400 mg/L的柴蜡碳源降解率达87％以上,可用作长链烷烃污染的微生物修复领域.     

噻吩浓度对陶瓷和石英为基底的CVD法制备碳纳米管的影响

采用二甲苯为碳源,二茂铁为催化剂,分别在陶瓷和石英基底上进行化学气相沉积(CVD),制备出多壁碳纳米管(MWNTs)及大面积的碳纳米管列阵膜。结果表明,噻吩的加入量对能否生成碳纳米管及其产量具有重要影响。对于不同基底,噻吩浓度对碳纳米管生长的影响亦不同,石英基底对噻吩浓度的敏感性更强,在石英基底上能够生长出碳纳米管列阵膜。     

金刚石薄膜／立方氮化硼异质结的制备

利用高温高压合成的立方氮化硼单晶材料，采用恒浓度高温扩散方法制备ｎ型立方氮化硼半导体材料。通过化学气相沉积方法在ｎ型立方氮化硼上外延生长ｐ型金刚石薄膜。在基础上，通过欧姆接触电极的制作，制备出金刚石薄膜／立方氮化硼异质ｐｎ结，并给出ｐｎ结的伏安特性曲线。     

几株红假单胞菌混菌培养条件的探讨

通过三株红假单胞菌在不同碳源、氮源、pH值和不同温度等条件的混菌培养实验,筛选出适合其生长的最适碳源、氮源、pH值和培养温度.试验结果表明:该混合菌株在乙醇、丙酸钠、乙酸钠等5种碳源中,以乙酸钠为最适碳源;在氯化铵、硫酸铵等5种无机氮源中,以硫酸铵为最适氮;最适pH为8.5;最适培养温度为38℃.