研究管线钢X70腐蚀的新方法

在加拿大的阿尔伯特省，石油工业是其支柱产业，阿尔伯特大学主要也是在石油产业的资助下兴建的。因此在其化工与材料系，主要的研究服务对象也就与石油产业有关。输送石油用的管线钢主要是X70钢，如何防止管线钢的腐蚀非常重要。虽然氢和氯离子促使X70钢的腐蚀是常见现象，但有关机理至今还不清楚，我们采用了非线性电化学方法和扫描参比电极技术来研究氢和氯离子对管线钢腐蚀的影响。结合我国正在进行的“西气东输”工程，这一研究具有重要的实际意义。     

腐蚀油气管线的可靠性分析

ASME B31G是国际通用的评价腐蚀管线失效应力的标准，考虑到这种方法的保守性，以修正后的B31G模型作为研究腐蚀管线失效应力的基础，考虑管壁厚度、腐蚀速率、工作压力、缺陷深度等随机变量，构建腐蚀油气管线可靠性极限状态函数。然后，采用一次二阶矩法对腐蚀管线进行可靠性分析，得出管线的失效概率、可靠性指标以及剩余使用寿命。此外，为了更加规范的管理腐蚀管线，参照美国石油组织的相关规定，对不同失效概率的管线进行了等级划分。在最后的案例分析中，还讨论失效概率对不同变异系数对的敏感性，计算结果表明失效概率对管壁厚度     

石油中的环烷酸及其脱除与精制工艺

简要介绍了环烷酸的来源及用途，通过对环烷酸腐蚀特点的阐述，指出了对原油或馏分油进行脱酸的重要性，并对石油中环烷酸的脱除及其精制工艺进行了综述。     

外加电流阴极保护在海洋石油平台161上的应用

随着海洋石油行业的迅猛发展,海洋石油平台需求量越来越多。海洋石油平台多为钢结构,平台及其导管架终年处于海水及海洋环境中,腐蚀防护层容易破损,钢铁严重被腐蚀,随之带来一系列问题。阴极保护是防止钢结构被海水腐蚀的一种重要方法,可以有效增长海洋平台寿命。介绍了外加电流阴极保护组成部分和原理,各功能设备在海洋石油平台161的布置安装,电缆路径的设计敷设,尤其是解决桩腿起升对电缆带来的问题。最后根据工作原理来进行调试,成功完成安装,并应用于海洋石油平台161。     

油水井井筒腐蚀原因及对策

自1995年我国正式成为石油出口国起，我国的石油行业面临着巨大的生产压力和挑战，在我国的地形和地质上我国的石油开发是一个技术难关和考验，在石油技术上有些已经跟上了国际发展的步伐和时代的要求，但是一些技术仍然存在着弊端和不适应的情况，在开发和生产中会因为技术和管理的不合理损失掉了经济利益和时间效益。本文就这种油井井筒腐蚀的现象探讨了我国油井腐蚀的原因以及针对这种原因的应对防腐蚀措施。     

金属材料及防腐蚀措施分析研究

金属材料被广泛应用于各种大型工程、核电站、石油与城市建设中，由于各种外部因素造成的腐蚀损失十分可观，加强腐蚀与防护问题就很突出。文章结合笔者的实际工作，简述了金属材料定义、性能。在此基础上，阐述了防腐蚀措施，仅供参考。     

浅析电流梯度法在DM型管道外防腐检测仪中的使用

本文针对管道的维护管理、防止管道腐蚀、泄漏,保证石油管道安全输送等问题进行了研究。     

输油管道腐蚀度监测仪表的设计与制作

设计一种对石油开采设备中的输油管道腐蚀度进行监测的仪表,该仪表采用了单片机和IC卡技术,通过串行数据存储器对采集到的数据进行存储,可长时间实现腐蚀度在线监测。具有电路简单、价格低廉、数据可经IC卡携带、现场可随时观察腐蚀度大小等优点。     

基于ICCP海洋腐蚀防护工程的应用研究

盐类物质、水和泥沙等腐蚀介质会加快海洋环境对金属构架物的腐蚀,严重影响港口、石油平台等海洋工程中金属结构的性能。为了减少复杂海洋环境对金属构架的腐蚀破坏,工程上通常采用外加电流阴极保护法(ICCP,Impressed current cathodic protection)的腐蚀防护方案对金属构架进行保护。针对ICCP海洋腐蚀防护工程的应用,从电解池组成的角度进行梳理分析,对电解质、外加电源和阴阳电极层面涉及的关键问题进行了总结。     

管道腐蚀原理及防腐保护

输送油、气的管道大多处于复杂的土壤环境中，所输送的介质也多有腐蚀性，因而管道内壁和外壁都可能遭到腐蚀。一旦管道被腐蚀穿孔即造成油、气漏失不仅使运输中断，而且会污染环境甚至可能引起火灾造成危害。文中分析避免管道遭受土壤、空气和输送介质（石油、天然气等）腐蚀的防护技术。     

微机械加工中恒温腐蚀系统的设计研究

本文设计了一个恒温腐蚀系统，用于微机械加工制作中的腐蚀工艺．系统装备了冷凝回流与加热搅拌装置，保证了腐蚀过程中，腐蚀液浓度的稳定与均匀；特殊设计的加热设备，提高了热量的利用效率．同时，采用内藏式温度传感器和基于模糊专家系统的温度控制算法，使腐蚀系统的温度控制更加精确、灵活．与传统水浴恒温相比，不仅使用方便，而且提高了腐蚀的效率与质量．     

金属辅助湿法化学刻蚀黑硅机理的探讨

为了理解金属辅助湿法化学刻蚀的机理,单晶硅片分别在氢氟酸/过氧化氢/氯金酸(HF/H2O2/HAuCl4)体系、氢氟酸/硝酸/硝酸银(HF/HNO3/AgNO3)体系、氢氟酸/过氧化氢/硝酸铜(HF/H2O2/Cu(NO3)2)体系中被刻蚀,经过三种体系刻蚀的单晶硅样品的减重量与减薄量之比值分别约为1.622、0.960、0.560.利用电动模型分析认为:差异性刻蚀的发生主要取决于电子的得失和电荷的传输两个方面。     

用于X光成像系统像传递函数的Al静态成像靶

介绍用热蒸发结合光刻技术以及离子束刻蚀或低磷酸腐蚀的方法，制备用于测量Ｘ光成像系统像传递函数的Ａｌ静态成像靶的工艺，对两种腐蚀工艺进行了比较，确定了郭束刻蚀是获得所需图形的理想方法，经扫描电镜（ＳＥＭ）和台阶仪测量，Ａｌ静态成像靶的参数满足实验要求。     

改进Turner法制备光纤探针的研究

研究了化学腐蚀方法制备近场光学显微镜光纤探针时外界因素和腐蚀溶液与保护液体系本身性质对光纤探针形貌的影响。结果表明腐蚀溶液和保护液二元体系的界面在光纤上形成的弯月面的高度与界面和探针之间形成的接触角、界面张力、密度差有关,在一定范围内弯月面的高度与光纤直径成正比。通过理论分析和实验结果相结合,对比管式腐蚀方法制备的光纤探针的形貌,我们发现Turner法制备光纤探针时探针锥面蜂窝状粗糙形貌是光纤探针成尖过程的本质上缺陷造成的。通过改进Turner法制备光纤探针的工艺,结果表明采用第二次修饰性腐蚀可以有效地改进探针的粗糙锥面,并增大探针的圆锥角。     

等离子体刻蚀中边缘离子轨迹的控制与优化

由于常规等离子体刻蚀系统在晶圆边缘处的阻抗与晶圆中心处的阻抗不一致, 使离子在晶圆边缘处的运动轨迹发生偏移, 很难满足越来越高的刻蚀工艺均匀性及深宽比的要求。本文提出一种通过调整晶圆边缘阻抗进行边缘离子运动方向优化的方法, 可以连续实时地调整边缘离子的运动轨迹, 实现对边缘离子运动方向的控制。研究结果表明, 离子的运动方向可以被优化为垂直于晶圆表面, 从而能获得良好的刻蚀速率均匀性及垂直的刻蚀形貌。     

硅低速刻蚀和钨膜刻蚀研究

针对半导体器件研制过程中等离子体刻蚀工艺的具体需要,研究了硅的低速率刻蚀和钨薄膜的刻蚀,得到了加磁场条件下刻蚀速率与刻蚀气体流量,射频功率的关系曲线,得到了不加磁场时不同的刻蚀气体流量下钨的刻蚀速率,以及在刻蚀气体中掺杂不同比例氧气时硅的刻蚀速率,对上述结果加以简单的讨论并给出了符合工艺要求的刻蚀条件。     

对4J42合金蚀刻问题的初步研究

本文通过对４Ｊ４２合金在喷淋条件下的失重腐蚀实验进行研究，结果表明：腐蚀速度随ＦｅＣｌ３Ｂｅ°的提高而降低，随温度升高而增加，随盐酸浓度的增加而降低在喷淋条件下的标准板实验和金相观察结果表明：腐蚀速度越快，蚀刻因子越大     

紫外压印光刻中阻蚀胶残膜刻蚀工艺

针对紫外（UV）压印光刻在压印工艺过程中会产生阻蚀胶残膜的技术特点，采用以O2为反应气体来清除阻蚀胶残膜的反应离子刻蚀（RIE）工艺方法，研究了不同的反应气体流量、反应腔室压力、射频功率等刻蚀参数对刻蚀速率和刻蚀各向异性的影响，得到了刻蚀速率和刻蚀各向异性随各刻蚀参数的变化趋势图．实验结果表明，减小反应气体压力和气体流速可以降低刻蚀速率，提高刻蚀各向异性．通过对刻蚀参数的优化配置，当射频功率在200W、反应气体流速在30mL／min、反应腔室压力为0．6Pa时，刻蚀速率可以稳定在265nm／min，各向异性值可以达到13，因此实现了对压印图质形的高质量转移．     

水力裂缝形貌对酸刻蚀行为及导流能力影响

目前酸压裂缝导流能力实验多采用光滑岩板模拟地层水力裂缝，忽略了裂缝粗糙形貌对酸刻蚀行为、导流能力影响。采用自研装置"酸压裂缝导流能力测试系统"，分别用光滑岩板、粗糙岩板模拟光滑裂缝、粗糙裂缝，研究了不同注酸排量、注酸时间下两种不同形貌水力裂缝的酸刻蚀行为和导流能力特征。结果表明，酸刻蚀后光滑裂缝轮廓线迂曲度增加；粗糙裂缝相反，酸刻蚀作用体现为削"峰"深"谷"。增加注酸排量或注酸时间，粗糙裂缝的高程变化、裂缝宽度、酸溶蚀量和导流能力增加幅度均明显大于光滑裂缝，且导流保持能力更好；粗糙裂缝对注酸参数变化更敏感。粗糙岩板利于真实评价储层条件下酸压裂缝导流能力，提高酸压方案设计的针对性，改善酸压效果。     

Etching mechanism of barium strontium titanate （BST） thin films in CHF_3/Ar plasma

Reactive ion etching was used to etch barium strontium titanate thin films in a CHF3/Ar plasma.BST surfaces before and after etching were analyzed by X-ray photoelectron spectroscopy to investigate the reaction ion etching mechanism,and chemical reactions had occurred between the F plasma and the Ba,Sr and Ti metal species.Fluorides of these metals were formed and remained on the surface during the etching process.Ti was almost completely removed because the TiF4 by-product is volatile.Minor quantities of Ti?F could still be detected by narrow scan X-ray photoelectron spectra,and Ti?F was thought to be present in the form of a metal-oxy-fluoride.These species were investigated from O1s spectra,and a fluoride-rich surface was formed during etching.BaF2 and SrF2 residues were difficult to remove because of their high boiling point.The etching rate was limited to 12.86 nm/min.C?F polymers were not found on the surface,indicating that the removal of BaF2 and SrF2 was important for further etching.A 1-min Ar/15 plasma physical sputtering was carried out for every 4 min of surface etching,which effectively removed remaining surface residue.Sequential chemical reaction and sputtered etching is an effective etching method for barium strontium titanate films.