激光直接刻蚀图形的质量分析

在激光剥离机制的基础上，分析了激光直接刻蚀过程中，蒸气压及热传导对图形刻蚀质量的影响，并得出了刻蚀不同厚度Ａｌ的激光能量密度，脉冲频率和刻蚀脉冲数的最佳组合，对Ｔａｌｂｏｔ成像法中对比度对图形刻蚀质量的影响也进行了分析。     

离子束混合Al(Ti),Al(Pd)表面合金层的钝化

用三扫描极化测量，背散射和电镜方法研究了离子束混合Ａｌ（Ｔｉ），Ａｌ（Ｐｄ）非晶合金层在ＮａＨＣＯ３溶液中的印化，Ｔｉ３５Ａｌ６５的腐蚀速度为纯铝的１／２４，而Ｐｄ３０Ａｌ７０的腐蚀速率比纯铝增大了４４％。     

激光直接刻蚀图形的质量分析

在激光剥离机制的基础上，分析了激光直接刻蚀过程中，蒸气压及热传导对图形刻蚀质量的影响，并得出了刻蚀不同厚度Ａｌ膜的激光能量密度、脉冲频率和刻蚀脉冲数的最佳组合．对Ｔａｌｂｏｔ成像法中对比度对图形刻蚀质量的影响也进行了分析     

3%NaCl溶液中55%Al—Zn—1.6%Si合金镀层电化学参数测定及…

提出一种弱极化曲线测量数据计算机处理方法，并计算了５５％Ａｌ－Ｚｎ－１．６％Ｓｉ合金镀层在３％ＮａＣｌ溶液中腐蚀过程的电化学参数，研究了镀件在３％Ｎａ－Ｃｌ溶液中发生整体腐蚀加速的机理。     

多功能超声成像测井仪设计

基于超声脉冲反射法测量原理,设计了一种多功能超声成像测井仪器,并介绍了该仪器测量的具体实现方
法。该仪器在裸眼井中采用成像测量模式可完成井眼内壁高分辨率成像测量;在套管井采用全波测量模式可同时完
成套损检测及水泥胶结质量评价测量。应用该仪器在实际裸眼井及套管井进行了测试,实测资料表明其在裸眼井中
可对井壁进行裂缝、孔洞、层理等地质构造分析;在套管井中可进行套管厚度成像、套管内外径成像及水泥声阻抗成像
等评价。该仪器可对套管腐蚀及第I 界面水泥胶结质量做定量评价。     

斜视SAR带状成像算法的比较

对可用于斜视ＳＡＲ成像处理的算法，从它们的聚焦能力，处理大距离弯曲能力以及处理相关核空变特征的能力上，进行了研究，认为二维处理算法具有最全面的处理能力，但其成像的实时性最差；二维快速多项式变换处理算法（ＦＰＴ）同样具有全面的处理能力，但其成像的实时性较好；一维校正处理算法，具有较好的处理能力，其成像的实时性最好，而且能与正侧视成像算法相容合，有利于多模式ＳＡＲ成像。     

新型抗H2S腐蚀钻管钢30CrMoVTiAl的焊接性能

采用手工电弧焊，闪光对焊，焊接热模拟及焊后抗Ｈ２Ｓ应力腐蚀试验等方法对３０ＣｒＭｏＶＴｉＡｌ的焊接性能进行了研究。研究结果表明，３０ＣｒＭｏＶＴｉＡｌ钢的焊接性能良好，可以满足工艺对其焊接性能的要求。     

3％NaCl溶液中55％Al－Zn－1．6％Si合金镀层电化学参数测定及电偶腐蚀的电化学行为

提出了一种弱极化曲线测量数据计算机处理方法，并计算了５５％Ａｌ－Ｚｎ－１．６％Ｓｉ合金镀层在３％ＮａＣｌ溶液中腐蚀过程的电化学参数，研究了镀件在３％ＮａＣｌ溶液中发生整体腐蚀加速的机理．结果表明，镀层表面微电偶局部腐蚀的发展形成了基体钢与镀层金属的宏观电偶腐蚀，电偶电位Ｅｇ随时间的正移，使镀层金属的溶解电流密度迅速增大，钢基体受到的保护效应减小．     

基于GMFM的脉冲涡流检测亚表面腐蚀缺陷成像技术

将磁场梯度测量技术和脉冲涡流检测技术有效融合,集中探究基于脉冲涡流磁场梯度信号的亚表面腐蚀缺陷成像手段及其优势性。首先,采用三维有限元仿真分析了脉冲涡流磁场梯度信号在亚表面腐蚀缺陷成像中的有效性和优势性,模拟仿真结果显示磁场梯度信号对于缺陷边缘的检测具有优势。基于模拟仿真结果,搭建了一套脉冲涡流检测实验系统,通过成像实验比较了基于两类信号的亚表面腐蚀缺陷扫描结果,并进一步研究了该类缺陷的成像技术。成像结果表明采用磁场梯度信号可实现对缺陷边缘的高效成像,基于磁场梯度测量的脉冲涡流检测技术较传统脉冲涡流检测技术,具有高效、高灵敏度的优势。     

渗铝钢在硫化氢盐水体系中的腐蚀研究

以热浸镀方法制备了渗铝钢，静态腐蚀失重实验，极化曲线测量，交流阻抗图谱测试以及电子探针微观分析对渗铝钢在Ｈ２Ｓ－ＮａＣｌ－Ｈ２Ｏ体系中的腐蚀行为进行了研究，并对腐蚀机理进行了一些探索，实验结果表明：由于表面氧化膜，富铝层和中间合金化层的存在，使得渗铝钢在Ｈ２Ｓ－ＮａＣｌ－Ｈ２Ｏ体系中的平均腐蚀速率比碳钢低两到三个数量级；体系中存在的Ｃｌ＾－对渗铝钢表面氧化膜有破坏作用，易诱发点蚀，在渗铝钢合金化层     

用聚焦离子束气体辅助刻蚀在 LiNbO3上制备亚微米圆孔点阵

使用聚焦粒子束(FIB) 在LiNbO₃上刻蚀用于光子晶体的亚微米圆孔二维点阵, 研究了刻蚀束流、刻蚀时间和填充率等刻蚀参数对刻蚀结果造成的影响。为获得更好的刻蚀效果, 还采用了FIB的气体辅助刻蚀方法(gas-assisted etching , GAE) 。研究发现,与直接刻蚀结果相比,GAE 减小了反沉积效应, 得到了更好的孔形。禁带模拟计算表明, 与常规FIB 刻蚀出的锥形圆孔相比, 使用XeF₂气体辅助刻蚀得到的这种侧壁更陡直的圆孔阵列构成的光子晶体禁带更趋近于理想光子晶体的禁带。     

用于强功率半导体激光器的石英柱微透镜阵列

采用光刻热熔法及离子束溅射刻蚀制作面阵石英柱微透镜阵列．表面探针和扫描电子显微镜的测试表明,在不同的工艺条件下制成的柱微透镜的表面轮廓具有明显的差异,给出了描述柱微透镜制作过程中的几个重要工艺参量的拟合关系式．     

离子束刻蚀光栅掩模图形转移分析

依据特征曲线法推导出非晶体表面的离子束刻蚀模拟方程;结合全息光栅的刻蚀特点开发出离子束刻蚀模拟程序。模拟程序获得的模拟刻蚀参数可以用于类矩形光栅的刻蚀工艺参数设计,准确地描述不同工艺过程、工艺参数对最终刻蚀结果的影响,进而实现离子束刻蚀过程的可控性和可预知性。     

金属辅助化学刻蚀法制备尺寸可控的硅纳米线

为制备粗细均匀、大长度的硅纳米线,通过金属辅助化学刻蚀方法,以银作为辅助金属,利用场发射扫描电镜(FESEM)和FIB/SEM双束系统作为检测手段,结合微加工工艺,研究了不同的反应离子刻蚀时间和化学刻蚀时间对制备的硅纳米线的尺寸和形貌的影响。结果表明,通过该方法制备的硅纳米线粗细均匀、长度较大。控制反应离子刻蚀时间和化学刻蚀反应时间,可以控制硅纳米线的形貌与尺寸。     

微光学阵列元件离子束刻蚀制作的分析与讨论

阐述了利用离子束刻蚀技术制作微光学阵列元件的工艺条件．研究和实验结果表明,通过光刻热熔法制作的光致抗蚀剂掩模图形经具有不同能量的离子束刻蚀后可以有效地实现向衬底材料上所作的选择性转移,所作的理论分析结果为非球面微光学阵列元件的制作提供了一条可行的技术途径．     

用OMA-Ⅲ对Si单晶的激光喇曼谱的研究

用OMA-Ⅲ型光学多道分析仪对Si的激光拉曼谱进行了检测,通过综合提高信噪比的实验手段,得到了满意的结果。并对用OMA-Ⅲ进行离子注入过程中二次荧光谱的测定的可行性进行了讨论。     

条形射频源大口径离子束刻蚀机性能

针对大尺寸基底往复扫描条形离子束来实现大面积刻蚀的特点，实验测试了基于射频感应耦合等离子体离子源大型离子束刻蚀机的性能．利用法拉第筒扫描探测系统在线测量束流密度，通过控制气体流量、调节加速电压等，得到了纵向束流密度±5．3%均匀性的较好结果．刻蚀实验表明40cm长度范围刻蚀深度均匀性为±5．4%，同时具有较好的束流稳定性．添加束阑，并结合掩模修正束流，会得到更好的束流密度与刻蚀深度均匀性．     

硅单电子晶体管制备及特性

采用电子束光刻技术和反应离子刻蚀等工艺，在P型SIMOX硅片上成功地制备了一种单电子晶体管。提供了一种制备量子线和量子点的工艺方法，在器件的电流，电压特性上可观测到明显的库仑阻塞效应和单子隧穿效应，该器件的工作温度可达到77K。     

电感耦合式射频离子源放电与引出特性实验

为研究电感耦合式射频离子源性能受离子束流、功率强度、工质流量和栅间电压的影响,以束流直径11 cm射频离子源为对象,完成了射频离子源点火起弧关键物理参数的设计和选择,设计并搭建了电感耦合式射频离子源性能试验系统,通过试验研究了射频放电中离子束流、射频功率、工质流量、栅间电压之间的规律。结果表明:射频离子源试验系统设计合理,能够可靠稳定地工作,真空度低于1. 0×10~(-3)Pa的氩工质条件下离子束能量大范围独立可调,在100～1 500 eV范围引出80～460 mA的离子束流,当工质流量一定时,离子源离子束流随射频功率的增大以1 mA/W比率增加,射频功率一定时,离子源束流强度随工质流量增大,在20 sccm时,离子源束流强度至稳定值或者略微增加,合理控制离子源工作参数可以提高离子源工作性能和效率。     

等离子处理时TiN-MoSx/Ti涂层中S大量刻蚀的XPS分析

采用XPS对TiN-MoSx/Ti复合膜表面S被Ar^ 大量刻蚀后化学组成及摩擦学性能的变化机理进行了研究。长时间离子轰击后复合膜表层的化学计量值x从最初的2.03降至1.25,Mo3d5/2的结合能从231.73eV相应减小到231.07eV。刻蚀5min后的涂层表面为深黑色的致密结构,摩擦学性能优异;而刻蚀15min后的涂层表面为浅灰色的疏松结构,且摩擦损性能也大幅下降。