对4J42合金蚀刻问题的初步研究

本文通过对４Ｊ４２合金在喷淋条件下的失重腐蚀实验进行研究，结果表明：腐蚀速度随ＦｅＣｌ３Ｂｅ＾＋的提高而降低，随温度升高而增加，随盐酸浓度的增加而降低，在喷淋条件下的标准板实验和金相观察结果表明：腐蚀速度越快，蚀刻因子越大。     

用于散热器的冷轧钢板耐蚀性

利用化学浸泡及电化学方法研究了４种钢制散热器材质在不同含氧量和氯离子浓度下的腐蚀速度及耐蚀性，并用Ｘ射线衍射对锈蚀物进行了结构分析。实验结果表明，钢材腐蚀速度主要取决于供热水系统中的溶氧量。在脱氧条件下则形成Ｆｅ３Ｏ４保护膜，此时氯离子将加速材料的腐蚀。腐蚀极化电阻则随残余应力的增加而下降。     

用于散热器的冷轧钢板耐蚀性

利用化学浸泡及电化学方法研究了４种钢制散热材质在不同含氧量和氯离子浓度下的腐蚀速度及耐蚀性，并用Ｘ射线衍射对锈蚀物进行了结构分析。实验结果表明，钢材腐蚀速度主要取决于供热水系统中的溶氧量。在脱氧条件下则形成Ｆｅ３Ｏ４保护膜，此时氯离子将加速材料的腐蚀。腐蚀极化电阻则随残余应力的增加而下降。     

Mn-Cu耐候钢在模拟工业大气环境下的腐蚀行为

利用干湿交替加速腐蚀实验和电化学实验研究了实验钢在模拟工业大气环境下的腐蚀演化行为.结果表明,在腐蚀初期腐蚀速度随循环周期的增加而增大,在后期随循环周期的增加而降低,耐候钢的腐蚀速度与SPA-H钢相当但低于16Mn钢.在腐蚀初期,细晶粒耐候钢比粗晶粒腐蚀速度快,在后期腐蚀速度基本一致.耐候钢锈层分为内外两层,内锈层致密主要由α-FeOOH和少量γ-Fe2O3组成,晶粒尺寸对腐蚀产物的组成影响不大.16Mn钢锈层主要由α-FeOOH,γ-Fe2O3和Fe3O4组成.在腐蚀后期,Cu的作用使耐候钢的耐腐蚀性能优于16Mn钢.电化学实验表明,腐蚀产物促进阴极过程,抑制阳极过程.细晶粒有利于保护性内锈...     

质子导体氢泵在铝液脱氢过程中的动力学

实验采用自制的BaCe09Y01O3-α质子导体组装氢泵,进行了铝液脱氢实验,通过拟合分析氢含量随时间的变化曲线,研究铝液脱氢的动力学过程.实验结果表明:铝液氢含量S随着脱氢时间的增大而降低,脱氢速度随氢含量的降低而产生变化,当氢含量S≥0246mL/100g时,脱氢速度v为000116mL/(100g·min);当S<0246mL/100g时,脱氢速度v=00120S-00022,即脱氢速度随氢含量的降低而减小,脱氢化学反应为此阶段的速率控制步骤.氢泵脱氢极限氢含量随着外加电压的增加而降低,当外加电压达到20V以上时,铝液氢含量低于0096mL/100g,满足高纯铝对氢含量的要求.     

硫酸盐还原菌对碳钢腐蚀的影响研究

研究了ＳＲＢ在无氧气氛下对碳钢的腐蚀作用，以ＡＰＩ培养基为基础的腐蚀失重试验表明，在接种ＳＲＢ后，碳钢腐蚀速度明显下降，而当加入Ｆｅ２＋离子后，ＳＲＢ的繁殖速度明显加快，且腐蚀速度的增加幅度更大，进一步的研究结果显示，碳钢在此条件下的腐蚀速度与ＳＲＢ的数量和活性并无直接的关系，而主要在于细菌繁殖过程和钢铁腐蚀过程中，在金属表面所产生的铁硫化物膜的性质     

醋酸钾型除冰液薄液膜厚度对飞机用2024铝合金腐蚀电化学行为的影响

利用新型低温薄液膜腐蚀实验装置,对飞机用2024铝合金在低温(-5℃)条件下的醋酸钾型除冰液薄液膜下的电化学腐蚀电化学行为进行了研究。结果表明:在较薄(低于240μm)的除冰液薄液膜下飞机用铝合金腐蚀电流密度随液膜厚度增加而增加,电荷转移电阻1/Rct随薄液膜厚度增加而增加;在较厚(高于240μm)的除冰液薄液膜下飞机用铝合金腐蚀电流密度随液膜厚度增加而减小,电荷转移电阻1/Rct随薄液膜厚度增加而减小。研究表明除冰液薄液膜对飞机铝合金的腐蚀速度随薄液膜厚度增加呈现先增加后减小的规律。     

硫酸盐还原菌对碳钢磨蚀的影响研究

研究了ＳＲＢ在无氧气氛下对碳钢的腐，ＡＰＩ培养基为基础的腐蚀失重试验表明，在接种ＳＲＢ后，碳钢腐蚀速度明显下，而当加入Ｆｅ＾２＋离子后，ＳＲＢ的繁殖速度明显加快，且腐蚀速度的增加幅度更大，进一步的研究结果显示，碳钢在此条件下的腐蚀速度与ＳＲＢ的数量和活性并无直接的关系，而主要在于细菌繁殖过程和钢铁腐蚀过程中，在金属表面所产生的铁硫化物膜的性质。     

G105钢及其化学镀Ni—P合金的化学腐蚀磨损

研究了无润滑磨损条件下，G105钢及其化学镀Ni—P合金在空气和氮气中的化学腐蚀磨损行为．结果表明，两种材料的磨损速度随载荷、滑动速度增大而增大，磨擦系数随之降低．气体介质中的氧含量对G105钢影响较大．在无润滑磨损条件下，化学镀Ni—P合金不适合作为G105钢抵抗化学腐蚀磨损的表面改性镀层．     

土壤含水量对红豆杉紫杉醇含量及相关生理指标的影响

以曼地亚红豆杉扦插苗为材料,在温室条件下研究了不同土壤含水量对其枝叶紫杉醇含量及相关生理指标的影响。结果显示：（1）枝叶中紫杉醇产量均随土壤含水量的降低而降低,在土壤含水量（258 %）大于对照（184 %）时,单株枝叶干质量比对照提高3366 %,相应紫杉醇产量提高5356 %。在土壤含水量为129 %、86 %和43 %的处理下,枝叶产量分别比对照减少885 %、1849 %和2958 %,而紫杉醇产量相应减少2415 %、5108 %和8297 %。（2）随着土壤含水量的降低,枝叶叶绿素含量随土壤含水量的降低而降低,脯氨酸和溶性糖含量先增加后降低,而丙二醛含量先降低后增加。     

等离子体刻蚀中边缘离子轨迹的控制与优化

由于常规等离子体刻蚀系统在晶圆边缘处的阻抗与晶圆中心处的阻抗不一致, 使离子在晶圆边缘处的运动轨迹发生偏移, 很难满足越来越高的刻蚀工艺均匀性及深宽比的要求。本文提出一种通过调整晶圆边缘阻抗进行边缘离子运动方向优化的方法, 可以连续实时地调整边缘离子的运动轨迹, 实现对边缘离子运动方向的控制。研究结果表明, 离子的运动方向可以被优化为垂直于晶圆表面, 从而能获得良好的刻蚀速率均匀性及垂直的刻蚀形貌。     

紫外压印光刻中阻蚀胶残膜刻蚀工艺

针对紫外（UV）压印光刻在压印工艺过程中会产生阻蚀胶残膜的技术特点，采用以O2为反应气体来清除阻蚀胶残膜的反应离子刻蚀（RIE）工艺方法，研究了不同的反应气体流量、反应腔室压力、射频功率等刻蚀参数对刻蚀速率和刻蚀各向异性的影响，得到了刻蚀速率和刻蚀各向异性随各刻蚀参数的变化趋势图．实验结果表明，减小反应气体压力和气体流速可以降低刻蚀速率，提高刻蚀各向异性．通过对刻蚀参数的优化配置，当射频功率在200W、反应气体流速在30mL／min、反应腔室压力为0．6Pa时，刻蚀速率可以稳定在265nm／min，各向异性值可以达到13，因此实现了对压印图质形的高质量转移．     

硅低速刻蚀和钨膜刻蚀研究

针对半导体器件研制过程中等离子体刻蚀工艺的具体需要,研究了硅的低速率刻蚀和钨薄膜的刻蚀,得到了加磁场条件下刻蚀速率与刻蚀气体流量,射频功率的关系曲线,得到了不加磁场时不同的刻蚀气体流量下钨的刻蚀速率,以及在刻蚀气体中掺杂不同比例氧气时硅的刻蚀速率,对上述结果加以简单的讨论并给出了符合工艺要求的刻蚀条件。     

用聚焦离子束气体辅助刻蚀在 LiNbO3上制备亚微米圆孔点阵

使用聚焦粒子束(FIB) 在LiNbO₃上刻蚀用于光子晶体的亚微米圆孔二维点阵, 研究了刻蚀束流、刻蚀时间和填充率等刻蚀参数对刻蚀结果造成的影响。为获得更好的刻蚀效果, 还采用了FIB的气体辅助刻蚀方法(gas-assisted etching , GAE) 。研究发现,与直接刻蚀结果相比,GAE 减小了反沉积效应, 得到了更好的孔形。禁带模拟计算表明, 与常规FIB 刻蚀出的锥形圆孔相比, 使用XeF₂气体辅助刻蚀得到的这种侧壁更陡直的圆孔阵列构成的光子晶体禁带更趋近于理想光子晶体的禁带。     

金属辅助化学刻蚀法制备尺寸可控的硅纳米线

为制备粗细均匀、大长度的硅纳米线,通过金属辅助化学刻蚀方法,以银作为辅助金属,利用场发射扫描电镜(FESEM)和FIB/SEM双束系统作为检测手段,结合微加工工艺,研究了不同的反应离子刻蚀时间和化学刻蚀时间对制备的硅纳米线的尺寸和形貌的影响。结果表明,通过该方法制备的硅纳米线粗细均匀、长度较大。控制反应离子刻蚀时间和化学刻蚀反应时间,可以控制硅纳米线的形貌与尺寸。     

提高均质致密碳酸盐岩储层酸蚀裂缝导流能力效果研究

均质致密碳酸盐岩储层岩心经酸刻蚀后主要形成均匀刻蚀形态,裂缝主要通过少量凸起点支撑,岩性较软或在储层闭合应力时支撑点容易破碎或嵌入裂缝壁面使得裂缝大部分闭合,无法形成有效的自支撑渗流通道。通过向酸蚀裂缝内加入一定量的支撑剂能有效提高酸蚀裂缝导流能力。深入研究支撑剂粒径、铺砂浓度以及闭合应力等因素对酸蚀裂缝导流能力的改善情况。结果表明:自支撑裂缝随闭合压力增大下降迅速,在34.5 MPa时的导流能力已不足初始闭合压力下的2%,难以在储层闭合压力下有效保持,达不到长期增产的目的。增加额外支撑点的酸蚀裂缝,其导流能力在储层闭合压力下是自支撑裂缝导流能力的3~7倍。大粒径支撑剂能提供更高的裂缝导流能力,在酸压允许的情况下尽量选用大粒径支撑剂。现场对PG4井进行了加砂酸压改造技术,获得了6.314×104m3/d的产量,证实了均质致密碳酸盐岩储层酸压改造中提供额外裂缝支撑剂的必要性。     

斯特林发动机低硫柴油和二甲醚冷态喷雾

基于斯特林发动机喷雾特性,建立了斯特林喷嘴的数学物理模型,模拟了冷态工况下低硫柴油(ULSD)和二甲醚（DME）2种不同燃料在不同背压下斯特林发动机的喷雾过程,并与实验结果进行了对比分析.研究发现,背压的增大对ULSD的雾化具有促进作用, 对DME的雾化具有抑制作用;相同流量和背压下,DME的贯距比ULSD小,喷雾锥角比ULSD大.当背压增加较大时,继续提高背压对喷雾锥角的影响减弱,且喷雾锥角随着流量的增大而增大.     

激光诱导单晶硅的液相腐蚀

本文研究了利用聚焦的Ar~+激光束对单晶硅液相腐蚀的原理与特性。考察了腐蚀速率随激光功率密度的变化,讨论了腐蚀坑的形状与腐蚀条件关系(功率、时间),最后给出几点结论。     

高压电解电容器阳极铝箔扩面腐蚀机理的研究

从扩面腐蚀机理的研究出发，针对国产铝箔的特点，设计出行之有效的扩面腐蚀工艺，从而使国产铝箔制成高比容高强度的高压电解电容器阳极用腐蚀铝箔。     

改进Turner法制备光纤探针

采用改进的Turner法制备近场光学显微镜光纤探针,考察了外界因素、腐蚀溶液及保护液体系性质等对探针形貌的影响,并与管式腐蚀方法制备的光纤探针的形貌进行了对比,对Turner法制备光纤探针的工艺进行了改进.结果表明:升高反应温度可明显提高反应速度,温度由0℃升至32℃时,反应速度增加1.6倍;腐蚀溶液浓度越高,制备的探针锥长越短、表面越粗糙;适当延长反应时间可增大探针的锥角;Turner法制备光纤探针时探针锥面蜂窝状粗糙形貌是光纤探针成尖过程的本质缺陷造成的;采用第二次修饰性腐蚀可以有效地改进探针的粗糙锥面,并增大探针的圆锥角.