非对称型集成门极换流晶闸管(IGCT)在PISCES-2ET软件平台上器件模拟

运用PISCES-2ET软件对非对称型集成门极换流晶闸管进行器件模拟，给出了器件的杂质浓度、电子和空穴浓度和电势的二维和三维分布；通过模拟结果来验证设计是否合理，对下一步设计器件的物理参数和结构参数起到指导作用。     

基于ZERBST方法的少子寿命测量的数值仿真验证

针对半导体器件及其工艺制造中所需要测量的载流子寿命进行研究,利用MEDICI二维器件仿真软件对测量少子寿命的金属绝缘层半导体(metal insulator semiconductor,MIS)结构的恢复特性进行了仿真,并通过ZERBST法得出了器件的少子寿命,其结果与预设的参数相差不大,达到了验证的预定目的。该仿真验证对半导体器件制造中实际的少子寿命的测量具有一定的实践指导作用。     

基于ZERBST方法的少子寿命测量的数值仿真验证

针对半导体器件及其工艺制造中所需要测量的载流子寿命进行研究,利用MEDICI二维器件仿真软件对测量少子寿命的金属绝缘层半导体（metal insulator semiconductor,MIS）结构的恢复特性进行了仿真,并通过ZERBST法得出了器件的少子寿命,其结果与预设的参数相差不大,达到了验证的预定目的。该仿真验证对半导体器件制造中实际的少子寿命的测量具有一定的实践指导作用。     

利用TCAD方法优化设计金属栅CMOS工艺及电路

为了降低集成电路制造工艺的成本,用计算机辅助工艺设计(TCAD)的方法开发了金属铝栅CMOS工艺.首先利用3μm金属铝栅工艺对模拟软件TSUPREM-4和器件模拟软件MED ICI进行了校准,再对金属铝栅1.5μm短沟道CMOS工艺进行器件结构、工艺和电气性能等参数的模拟,以最简约工艺在现有工艺线上成功流水了1.5μm铝栅CMOS.实际测试阈值电压为±0.6V,击穿达到11V,各项指标参数的模拟与实际测试误差在5%以内,并将工艺开发和电路设计结合起来,用电路的性能验证了工艺.利用TCAD方法已成为集成电路和分立器件设计和制造的重要方法.     

PDP选址驱动芯片高压管设计

PDP选址驱动芯片实现低压控制高压输出，其中高压管的设计是关键，文中提出了能与低压CMOS工艺相兼容的高压管HV—CMOS结构及其中的高低压转换电路，采用TSUPREM-4与MEDICI软件对其击穿特性进行了相应的模拟分析；通过对已流水的芯片中的高压管进行分析验证看出该结构击穿电压大于80V，工作电流大于40mA。     

对接沟道NMOS结构击穿特性的二维数值分析

对VDMOS－NMOS兼容集成结构击穿时的电场特性进行了二维数值模拟,模拟结果分析表明：在适当的器件几何尺寸与制造工艺条件下,对接NMOS的对接区域对VDMOS－NMOS兼容结构的击穿特性影响很小,对接沟道NMOS结构可以较好地实现VDMOSFET与p阱NMOS电路的兼容集成．同时通过原理性实验对模拟结果进行了验证．     

双排0.5mm间距QFN装配可靠性工艺研究

随着电子元器件日新月异的发展，QFN器件已经发展为双排中心间距0.5mm封装形式，且体积较小，适用于高密度板级电路设计需求，但这种封装的发展对组装工艺技术提出更高的要求。如何进行该器件的钢网设计以及优化焊接工艺参数已成为急需解决的重要课题，本文主要以一种无铅QFN器件为例详细讲述双排微间距QFN的组装工艺方法。     

适用于电力器件的磷扩散模型

针对电力半导体器件的特性和工艺特点,提出了一种适用于电力器件的磷扩散模型并应用MATHMATICA4对该模型进行计算,计算的结果与SUPREM IV.GS模拟软件在相同的工艺条件下得到的结果趋于一致.并且与实际扩散结果接近.此种方法为电力器件其他杂质的扩散工艺过程的模拟提供了一定指导作用.     

利用Tsuprem4和Medici对200伏VDMOS进行虚拟制造

通过将已知工艺参数与工艺模拟软件Tsuprem4结合起来，将模拟结果直接导入器件模拟软件Medici，对击穿电压及阈值电压，终端保护环进行了模拟计算，获得了具体的设计参数，并对利用这两个软件进行虚拟制造的过程中需要注意的问题进行了阐述．     

晶闸管电路分岔,混沌行为研究

对包含晶闸管这一双稳负阻器件非线性电路交流响应的研究发现，在这一定的工作条件下，电路出现倍周期分岔和混沌以及间歇混沌现象，对实验结果进行了理论验证和分析，从而建立了简洁的理论模型，较好地模拟了实验结果。     

双向buck-boost直流变换装置仿真

针对某大功率双向buck-boost直流变换装置进行了设计和仿真研究,确定了装置的主电路拓扑结构,根据设计需要计算选择了主元器件参数,搭建了基于电流模式闭环控制的双向直流变换装置的仿真模型.引入工程设计法设计了该装置的电流调节器和电压调节器.该方法简化了闭环系统的设计,满足工程设计指标的需要.基于所搭建的仿真模型对双向直流变换装置的输出特性进行了仿真,仿真结果符合设计要求,设计方法合理有效.     

浮栅型有机非易失性存储器的研究

有机柔性电子器件具有低制造成本、大面积、可柔性折叠等优点，是近年来国内外学术界和工业界的研究热点。有机非易失存储器是一种重要的有机柔性电子器件。本文阐述了浮栅型有机非易失性存储器件的工作原理；系统介绍了当然国内外学术界对浮栅型有机非易失性存储器的研究进展，存在的一些问题以及一些可能的解决对策。     

用比例差分方法从NMOSFET输出特性提取界面陷阱密度

在均匀的高电场应力下,MOSFET器件的阈值电压和输出特性的比例差分峰值会有所改变.这是由于在应力过程中产生的缺陷引起的.在本文中,用比例差分方法从NMOSFET器件的输出特性提取了阈值电压、输出特性的比例差分的峰值和界面陷阱密度.得到了阈值电压和比例差分峰值,界面陷阱密度和应力时间的关系.此种方法也适用于PMOSFET器件.这是一个简单而快捷的技术.用这个技术实验数据可以在测量的过程中进行分析.     

基于磁集成变压器的光伏电站直流并网

针对光伏电站直流并网系统中存在的升压比较低,各光伏单元输出变化时复杂的功率控制和电压平衡问题,提出了一种基于磁集成变压器(Magnetic Integrated Transformer,MIT)的光伏电站直流并网拓扑方案。首先给出系统拓扑结构、设计了MIT参数和功率控制策略,通过Boost电路和磁集成变压器的双重升压,使光伏电站能够输出高压直流,并实现电压和功率的灵活控制。然后建立了系统数学模型,在稳态和暂态下进行了仿真分析。仿真结果验证了所提出并网方案和控制策略的可行性和有效性。     

基于电压稳定度的分布式储能选址定容规划

本文针对配网中引入高比例风电、光伏等新能源引起的电压波动问题,提出基于电压稳定度的优先选址和改进粒子群算法的储能系统选址规划。首先以电压稳定度为指标,选出配网中部分相对稳定性较弱的节点,进行优先选址;然后以系统日有功损耗最小为目标,由改进的粒子群算法对储能系统的容量优化配置问题进行求解。最后对改进的33节点配电网系统进行仿真,验证该方法在储能选址定容工作中的有效性和可行性,为含高比例新能源的配网进行储能电站选址定容问题提供参考。     

碳化硅电力电子器件及其在电力电子变压器中的应用

随着“坚强智能电网”建设的不断深化以及“泛在电力物联网”概念的提出,硅基电力电子器件以及电力电子化装置正面临着新的挑战。以碳化硅基为代表的宽禁带功率半导体器件,因其高耐压、高耐温、高频开关等优良特性,在中高压领域前景广阔。其典型应用之一即因硅基器件耐压水平有限而难有突破的电力电子变压器。电力电子变压器除了能实现传统工频交流变压器的电压变换和电气隔离功能之外,还在故障切除、功率调控、分布式可再生能源接入等方面有独特优势。本文首先对碳化硅电力电子器件的研究与发展作简要概述,而后对电力电子变压器的发展进行了简单梳理。最后,重点介绍了几种典型的应用碳化硅器件的电力电子变压器,以便相关研究的进一步开展。     

双导层结构横向功率器件的导通电阻模型及应用研究

横向高压器件是智能功率集成电路的核心器件,而漂移区结构参数是影响器件导通和击穿性能的重要因素。为此,提出了LDMOS三种经典结构的导通电阻模型并研究了漂移区结构参数对导通电阻的影响,它们分别是:Single RESURF,Double RESURF,Dual conduction layer结构。然后借助这些模型研究了漂移区掺杂浓度、漂移区长度、漂移区厚度对器件导通电阻的影响。利用MATLAB计算相同器件参数下模型的解析结果。对比模型的解析结果和仿真结果,发现解析结果和仿真结果基本一致,证明了解析模型的正确性。     

SCR谐振逆变在低压大电流开关电源中的应用

电源作为各种用电设备的重要组成部分,其性能的优劣对设备的工作状态会产生直接的影响。首先介绍了一种可控硅（SCR）谐振式变换电路的工作原理,之后通过结合理论计算、仿真分析及实验测试的方法,证明了将该逆变电路应用在低压开关电源中设计方法的可行性,且在论文最后给出了在带载1200W、输出电流为20A时开关管阴极与阳极之间电压的仿真波形及实验波形。这种开关电源最大的特点是：整个开关电源只采用一个可控硅来实现逆变,因而器件少,电路结构非常简单,可靠性强,易小型化,为大功率开关电源的设计提供了一个很好的解决方案。     

模块化多电平换流器子模块故障仿真与诊断

分析了模块化多电平换流器(MMC)的工作原理和故障特性,搭建了基于MATLAB/Simulink的五电平MMC故障仿真平台,对子模块中IGBT器件的开路、短路和高阻等故障状态进行模拟,总结出发生不同故障时输出直流电压、子模块电容电压和交流侧三相电流的变化特征,可为MMC故障诊断与故障模块定位提供参考。     

二甘醇的提纯及在电解电容器中的应用

介绍了实验室生产规模的二甘醇提纯工艺和设备。由于采用了特殊的预处理技术和真空分馏提纯工艺，二甘醇产品纯度高于电容器级试剂的规定指标，还介绍了二甘醇在电解电容器中的应用效果。使用二甘醇－乙二醇混合溶剂体系，可显著提高电解电容器工作电解液的闪火电压，改善电容器的性能。这种溶剂体系特别适用于中、高压电解电容器。