基于ZERBST方法的少子寿命测量的数值仿真验证

针对半导体器件及其工艺制造中所需要测量的载流子寿命进行研究,利用MEDICI二维器件仿真软件对测量少子寿命的金属绝缘层半导体（metal insulator semiconductor,MIS）结构的恢复特性进行了仿真,并通过ZERBST法得出了器件的少子寿命,其结果与预设的参数相差不大,达到了验证的预定目的。该仿真验证对半导体器件制造中实际的少子寿命的测量具有一定的实践指导作用。     

用电荷抽取效应测定MOS晶体管中的少子复合寿命

本文介绍了应用电荷抽取效应测量MOS晶体管中少子复合寿命的方法.这种方法的优点是可以测定经过整个制造工艺过程后MOS晶体管中的少子体复合寿命和表面复合寿命,而且测试设备和数据处理都比较简单.文中给出了我们在室温和液氮温度下的初步测量结果,并对结果和方法本身进行了一些讨论.     

用光电导衰退法测量锗中少数載流子的壽命

引言半导体材料中少数载流子~(**)的寿命是一个非常重要的参数,它标志着半导体材料的性能及品格的完整性,而且在半导体器件特別是晶体管的制造时,半导体材料中少子寿命的大小对晶体管的性能有重大的影响。因此半导体材料中少子寿命的测量     

用开路电压衰减法测量p-n结太阳电池少子寿命的若干问题

本文根据p-n结电容放电理论为采用开路电压衰减法测量太阳电池异常少子寿命提出修正计算公式,分析指出,电池光致注入与电致注入少于寿命不同是由于p-n结基区少于寿命中的有效分量不同造成的。此外,还讨论了电致注入少子寿命测量技术。     

电子辐照GaP晶体中缺陷的产生和影响

本文描叙电子辐照GaP晶体中缺陷的产生过程及对少子扩散长度和发光的影响。测量了电子辐照前后的少子扩散长度的变化,观察了缺陷密度和形貌,通过阴极射线发光讯号和电子束感生电流讯号的检测,对少子扩散长度和缺陷的变化加以验证。分析了电子辐照GaP晶体中缺陷产生的机制,计算了GaP晶体的原子位移间能和电子辐照阔值能量。本工作证明GaP晶体中点缺陷和微缺陷是重要的无辐射复合中心,高密度微缺陷使材料少子寿命和发光效率显著降低,产生发光猝灭。     

基于少子寿命测量研究晶硅电子态缺陷

基于瞬态微波光电导少子寿命测试仪和MATLAB编程研究了确定硅片的复合中心浓度和陷阱中心浓度的方法。利用瞬态微波光电导少子寿命测试仪,我们测量了硅片的少子寿命及微波光电导瞬态电压信号随时间的变化特性。根据已知的注入水平和相关复合参数,建立少子寿命与复合中心浓度的关系,我们得到硅片中的复合中心浓度。利用瞬态电压信号的时间变化特性与非平衡载流子浓度的时间衰减特性的关系,我们得到非平衡载流子浓度随时间的衰减曲线。结合非平衡载流子时间衰减特性曲线和陷阱模型表达式,利用MATLAB软件进行数值拟合得到了硅片的陷阱中心浓度。     

P^＋掺杂浓度分布对硅半导体器件正向特性的影响

为提高硅半导体器件的正向导电特性,文中对器件浓硼扩散、磷扩散和烧结铝电极后P~+-P区掺杂浓度分布、少子寿命等因素的影响进行了实验研究.结果表明:对于烧铝电极器件浓硼扩散改善压降作用主要取决于能否提高器件的少子寿命;磷扩散工艺不当,引起结片阳极面反型,会造成正向压降过高而导致废品;采用烧结铝电极工艺形成的器件,铝硅接触处半导体表面浓度约为10~(18)个/cm~3,与原始表面浓度无明显关系;用P~+取代P~+-P区对降低压降明显有效.对以上实验结果,作者应用P—N结正向导电理论进行了分析和研讨.     

斜角造型高压硅器件表面特性的光感生电流法检测

采用激光探针表面电荷测量系统,实现了有机/无机介质膜保护下的高压硅器件表面耗尽区展宽的测量,分析了光感生电流(OBIC)曲线与硅表面少子扩散长度、表面复合速率以及波长相关吸收系数的关系.实验和计算结果表明,He Ne激光束由于具有较大的吸收系数(>3200cm-1)和适当的透射深度(≈3 1μm),对曲线上下沿变化影响很小,测量结果可以直接反映硅表面本身的响应.小正斜角造型大功率硅整流管在反向偏置下,表面耗尽区在稳态光电导下的扩展几乎都是在低掺杂的n区进行,p区的扩展被"钉扎".表面保护不良时,OBIC曲线可直接反映出局部的电场倍增状态.对不同腐蚀时间处理的磨角造型硅表面,OBIC测量结果表明,当腐蚀时间短时,表面少子寿命较低;反之,则寿命会有所提高.     

Zerbst C-t法确定少子体产生寿命的误差分析

本文完成了Zerbst C-t法确定少子体产生寿命的误差分析。结果表明,主要的影响来之于电容的测量误差,而时间的测量误差(≤10％)可以忽略不计。对于其它影响寿命测量的原因,亦进行了讨论。     

用开路电压法测晶体硅太阳电池少子寿命的研究

根据太阳电池的工作原理,详细论述了用脉冲光源照射n/p结太阳电池瞬间时,由于光电压,即开路电压的建立,将有电子从n区通过n/p结向p区边界注入,这些注入p区的过剩电子(少子)在运动中复合所需的时间,我们定义为少子寿命.理论上给出了注入p区的电子复合带来的开路电压与寿命的关系式(Voc(t)),同时也研究了n/p结势垒电容放电对Voc(t)的影响.因此建议使用开路电压随时间的衰减关系式(Voc(t))测量少子寿命的方法.     

固化降温过程中固体火箭发动机材料参数的影响分析

给出了药柱在固化降温过程中的热传导和热应力分析的基本方程，且应用有限元法对固体火箭发动机药柱在固化冷却过程中的三维瞬态温度场进行了数值模拟．同时得出了药柱危险点的位置．然后模拟了推进剂参数对危险点的应力应变值的灵敏度．计算结果符合工程实际．     

改进的傅立叶变换轮廓法在三维面形检测中的应用

提出一种改进的傅立叶变换轮廓法，可以不必确定主频点的位置和移频处理，而直接对栅线图像频谱的一级频谱作傅立叶逆变换，不影响相位差结果。最后给出了一个仿真实验，实验结果证明了方法的可行性和有效性。     

大跨度悬索桥随机风场的模拟研究

利用改进的线性滤波器法模拟具有空间相关性的脉动风荷载,给出了用该方法模拟脉动风荷载的步骤.利用MATLAB编写了模拟的具体程序,并把程序应用于鼓山大桥脉动风荷载模拟,将模拟值与目标值进行校验.结果表明,模拟的效果较好,可满足工程实际的需要.     

故障诊断理论及其在机电系统中的应用

介绍了故障诊断理论的提出过程和内容;简要地阐述了基于解析模型的故障诊断方法、基于知识的故障诊断方法和基于数据驱动的故障诊断方法;详细介绍了基于观测器的故障诊断方法的步骤,并举例说明了该方法在机电系统中的运用,给出了Matlab的仿真结果。最后,通过对仿真结果的分析,得出了基于观测器的故障诊断方法能够较好地完成系统监控的任务,但对复杂系统的故障定位精确度不够的结论。     

接触器结构的动态特性的灵敏度分析

以直动式Ｂ系列交流接触器为例，就其结构的动态特征对设计参数改变的灵敏程度进行分析。实例数值计算结果表明，灵敏度分析法对接触器结构设计参数的局部调整与优化设计提供了一条有效途径与理论依据。     

柴达木盆地三湖气聚集区某区第四系浅层气层AVO特征研究

在分析测井资料的基础上深入研究了柴达木盆地三湖新凹陷第四系的物性参数 ,结合地质、地震等多信息资料 ,选择某区中型气田 ,从浅至深设计了 1 1个薄互层模型进行平面波波动方程正演模拟 ,计算固体多层介质的平面波合成记录。结合测井储层评价 ,对合成记录作了精细的解释 ,选取了主力气层组所在的模型 3作了详细的描述 ,给出了实际处理的 AVO分析CMP道集的实例。结果表明 AVO技术可以用于该区第四系浅层天然气的识别。     

动态无功补偿用有源滤波器设计

重点介绍了四阶带通滤波器的设计方法,并给出设计思路和调试方法.仿真结果验证了设计和调试方法的正确性.     

超薄氩膜热传导的分子动力学模拟

采用基于经典理论的平衡态分子动力学(EMD))方法，在无量子化修正的条件下，计算了固态氩(Ar)在低于其Debye温度(92K)下的导热系数．温度在20K以上时，模拟结果和实验值吻合较好，说明固态Ar的量子化效应对其热传导性能影响不大，温度低于20K时，由于模拟区域对长波声子的裁剪作用使得模拟结果比实验值低．在此基础上，使用经典分子动力学基于三向、两向周期性边界条件的各向异性非平衡态薄膜模型，模拟了超薄Ar膜在40K的导热系数，2种模型给出了具有相同变化趋势的薄膜热传导特性曲线，即：随着膜厚的增加，导热系数增大，且模拟结果同模拟区域横截面大小无关．在相同条件下，2种模型得到的氩膜导热系数相差10％左右．     

基于Pro／E和ANSYS的齿轮仿真分析研究

Pro／E拥有强大的实体和曲面造型功能,ANSYS具有完善的有限元分析功能。结合两软件的优点,首先给出基于Pro／E和ANSYS的齿轮仿真分析流程,然后按照流程对一对圆柱齿轮进行了仿真分析。分析结果显示,齿轮接触应力和齿根弯曲应力与用赫兹公式计算的结果相一致,提高了齿轮参数化设计与优化设计的效率和质量,降低了设计研制成本。