日落黄分子印迹电化学传感器的研制与应用

利用分子印迹技术,以日落黄为模板分子、邻氨基酚为功能单体,采用循环伏安法在石墨电极表面电聚合形成邻氨基酚聚合膜,经电化学方法在0.5mol/L H2SO4溶液中将模板分子去除,制得具有特异识别空穴的日落黄分子印迹修饰电极,然后,采用紫外可见分光光度法和电化学法对聚合薄膜进行表征.实验表明,该分子印迹修饰电极对日落黄有较高的结合速率、特异识别能力和灵敏度,-0.010V处微分脉冲伏安法的峰电流与日落黄的浓度在1.00×10-6～1.00×10-4 mol/L范围内呈良好的线性关系,且检出限为2.00×10-7 mol/L.运用该方法测定了饮料中的日落黄,回收率为95%～108%,为饮料中日落黄的选择性分析提供新的实验方法.     

印迹电化学传感器对2,4-二氯苯氧乙酸的识别与检测

以2,4-二氯苯氧乙酸(2,4-D)为模板分子,邻苯二胺为功能单体,采用电聚合法在玻碳电极表面合成印迹聚合物,得到印迹聚合物电化学传感器.采用循环伏安法和差示脉冲伏安法对传感器的性质进行了表征.结果表明,该印迹传感器对2,4-D表现出良好的特异性结合能力和识别能力,可从2,4-二氯苯酚、4-氯苯氧乙酸、苯氧乙酸、苦杏仁酸等结构类似物中选择性地识别模板分子.同时,该传感器用于对2,4-D的灵敏检测,响应线性范围为1.0×10-9-2.0×10-7mol/L,检测限为1.8×10-10mol/L(S/N=3).     

分子印迹阻抗型沙丁胺醇电化学传感器的研究

以对氨基苯硫酚（ATP）为功能单体,沙丁胺醇（SAL）为模板分子,在纳米金修饰玻碳电极上,以电聚合法制备了沙丁胺醇分子印迹聚合物膜.采用扫描电镜和电化学交流阻抗法对该印迹电极修饰电极进行表征;研究与其结构类似的干扰物,如：特伦特罗、特布他林等对SAL测定的影响,结果表明该印迹选择性良好,有较好的重现性和稳定性;以铁氰化钾作为电化学探针,采用电化学阻抗法对SAL进行定量测定,该电极对SAL响应迅速,SAL的阻抗值与其浓度在6.2×10-9～2.4×10-7 mol/L范围内呈良好的线性关系,检测限为3.1×10-9 mol/L.该传感器可用于猪饲料中SAL含量测定.     

新型分子印迹敏感膜传感器直接快速检测饮料中的柠檬黄

构建了一种能够直接在样品中快速检测柠檬黄(tartrazine,TZ)的分子印迹电化学传感器(MIP-Pm DB/Po PDGCE).以间苯二酚(m-DB)和邻苯二胺(o-PD)为功能单体,柠檬黄为印迹分子,通过电聚合的方法在玻碳电极表面修饰了一层柠檬黄分子印迹敏感膜,通过循环伏安法(CV)和交流阻抗技术(EIS)对分子印迹敏感膜的分子印迹效应进行了表征.应用差分脉冲伏安法(DPV)研究了传感器对柠檬黄的响应性能,结果表明:响应电流与柠檬黄浓度在5.0×10~(-9)~1.1×10~(-6) mol/L范围内呈良好的线性关系,检出限为3.5×10~(-9) mol/L(S/N=3),检测时间为5,min.将该传感器应用于实际样品中柠檬黄的分析,加标回收率为96.35%,~101.32%,.     

基于石墨烯分子印迹电化学传感器测定氯霉素

采用改进的Hummers法合成氧化石墨烯,通过共沉淀作用在氧化石墨烯表面生成磁性Fe3O4纳米微粒,经硅烷化修饰巯基,将金纳米颗粒自组装到复合材料中,得到磁性氧化石墨烯复合金纳米颗粒,将其滴涂在金电极表面,以氯霉素为模板分子,通过溶胶-凝胶法将分子印迹膜修饰到金电极上,制得氯霉素分子印迹电化学传感器,并对制备电化学传感器进行条件优化和电化学性能研究。结果显示,基于石墨烯分子印迹电化学传感器测定氯霉素的线性范围为2.5×10-9~5.0×10-6mol/L,检出限为8.0×10-10mol/L。     

纳米金/还原氧化石墨烯修饰的盐酸环丙沙星分子印迹电化学传感器

以吡咯和邻苯二胺为功能单体,以盐酸环丙沙星为模板,在纳米金和还原氧化石墨烯(AuNP/rGO)修饰的玻碳电极上,采用电化学方法制备分子印迹聚合物薄膜电化学传感器.利用扫描电镜对修饰电极表面形貌进行表征;电化学技术测试分子印迹传感器性能.研究了纳米金和还原氧化石墨烯用量对电极电化学性能的影响,并对传感器制备和测试条件进行了优化.在优化条件下,分子印迹传感器对盐酸环丙沙星具有宽的线性检测范围(1.0×10^-8～1.0×10^-2 mol/L),低检测限(7.41×10^-12 mol/L(S/N=3)),选择性高,稳定性好.此外,该传感器成功检测出了实际药品和牛奶样品中的盐酸环丙沙星.     

尼古丁分子印迹聚邻氨基酚敏感膜传感器

研制了电化学聚合制备尼古丁分子印迹聚邻氨基酚敏感膜传感器,并对分子印迹膜的结构和性能进行了探讨与研究.在弱酸性条件下,以邻氨基酚为单体,尼古丁为模板分子,用循环伏安法电聚合成膜制备传感器.该传感器对尼古丁具有良好的选择性和敏感度,用恒电位计时安培法,尼古丁浓度在4.0×10-7～3.3×10-5mol/L范围内与电流增量成线性关系,检测下限为2.0×10-7mol/L,加标回收率在99%～102%之间.     

在抗坏血酸存在下噻二唑类导电聚合物修饰电极测定肾上腺素

在玻碳电极表面电聚合5-氨基-2-巯基-1,3,4-噻二唑,制备了导电聚合物修饰电极.通过循环伏安法和示差脉冲伏安法研究了肾上腺素和抗坏血酸在该修饰电极上的电化学行为.发现肾上腺素在1.00×10-7～1.20×10-4 mol/L的浓度范围内与其氧化峰电流有良好的线性关系,检测限为3.80×10-8 mol/L.由于肾上腺素和抗坏血酸的电位差达220mV,大量抗坏血酸的存在不干扰肾上腺素的测定.     

呋喃它酮的高灵敏伏安测定方法

以循环伏安法电聚合制成聚对氨基苯磺酸薄膜修饰石墨电极,发现对呋喃它酮(FTD)的电化学还原有明显的电催化作用.在pH 2.00的磷酸盐缓冲溶液中,以微分脉冲伏安法为激发信号,FTD在-0.230V处产生一个灵敏的还原峰,还原峰电流与浓度分别在1.00×10~(-8)~1.00×10~(-6)、2.00×10~(-6)~9.00×10~(-6)mol/L范围内呈良好的线性关系,检出限为1.00×10~(-8)mol/L.将该方法应用于水样中目标物的测定,加标回收率为92.52%~101.3%.研究了FTD的电极反应机理,表明其在电极上发生了由吸附控制的有2质子参与的2电子转移反应.     

邻苯二酚分子印迹传感器的制备及其电化学性能研究

以丙烯酸(AA)为功能单体,邻苯二酚为模板分子,硅氧烷为交联剂,溶液聚合法制备邻苯二酚分子印迹电化学传感器.通过对聚合物膜亲水性和小分子率进行表征,并以差分脉冲伏安法(DPV)研究交联剂种类、用量,单体比例以及测试条件等对传感器性能的影响.最佳实验条件下,该邻苯二酚电化学传感器在2.0×10~(-9)2.0×10~(-5)mol/L范围内具有良好的线性关系,线性方程为I_p=0.080 17c+0.587 89(R~2=0.998 9),检测限为6.24×10~(-10)mol/L(S/N=3).另外,在人血清样品和自来水样品中具有较好的重现性和稳定性,且抗干扰能力强,具有一定的实用价值.     

利用碳纳米管-nafion修饰电化学传感器对磺胺嘧啶电化学性质的研究

利用制备了碳纳米管-nafion修饰电化学传感器,并对磺胺嘧啶的电化学性质进行了研究。表明,磺胺嘧啶在其电化学传感器上具有一对氧化还原峰。利用差示脉冲伏安法研究了磺胺嘧啶在修饰电极的还原峰峰电流与其浓度之间的关系,还原峰峰电流随着磺胺嘧啶的浓度增大而增大,磺胺嘧啶在浓度为1×10-5mol/L~5×10-4mol/L之间其还原峰电流与浓度呈现很好的线性关系,其检出限为5×10-6mol/L。     

一种多巴胺分子印迹的电化学传感器

利用分子印迹技术,结合聚苯胺、多壁碳纳米管和金纳米粒子-丝素蛋白复合物构建新型检测多巴胺的分子印迹电化学传感器。分子印迹聚合物以多巴胺为模板,正硅酸乙酯和苯基三乙氧基硅烷为功能单体合成。当pH值为7.0,模板与单体的物质的量比为1∶5时,该传感器的线性范围为5.0×10-8～9×10-6mol/L,检测限(LOD)为1.02×10-8mol/L。重复实验的相对标准偏差为5.4%。     

石墨烯增敏莱克多巴胺分子印迹电化学传感器

采用两步修饰的方式,先通过恒电位还原,将易分散于水的氧化石墨烯还原至玻碳电极表面形成均匀的还原氧化石墨烯修饰膜,再以吡咯为功能单体,采用电化学原位印迹技术制备了以莱克多巴胺(RAC)为模板分子的分子印迹聚合物膜,由此构建了用于莱克多巴胺的选择性灵敏测定的电化学印迹传感器。实验结果发现,在优化条件下,RAC的DPV响应电流在浓度为1.0×10~(-7)~7.0×10~(-6)mol/L范围内呈现良好的线性关系,且传感器对RAC具有良好的重现性(RSD=1.9%,n=7)。在印迹前修饰rGO,使印迹膜传感器对RAC的亲和力增强,响应速度提高,吸附量增加4.32倍,且其印迹因子IF=2.36,反映了良好的印迹效果及增敏效应。     

聚结晶紫膜传感器测定槲皮素

利用电化学聚合法制备聚结晶紫膜修饰玻碳电极传感器.在磷酸盐缓冲溶液中,采用循环伏安法和差分脉冲伏安法研究槲皮素在该修饰电极上的电化学行为.结果表明,此修饰电极对槲皮素氧化和还原能力具有明显的增强作用.实验条件经优化后,槲皮素在聚结晶紫膜修饰电极上的氧化峰电流与其浓度在5.0×10~(-6)~1.5×10~(-4)mol/L范围内呈良好线性关系,相关系数为0.997,检出限为8.0×10~(-7)mol/L.用于芦丁水解产物中槲皮素的测定,回收率为102.8%~104.3%,RSD2.5%.     

间对硝基苯酚异构体的电化学测定及取代机理研究

制备了单壁碳纳米管修饰玻碳电极(SWCNT/GCE),采用伏安法研究了间、对硝基苯酚异构体在修饰电极上的电化学行为,分别观察到间硝基苯酚(m-NP)和对硝基苯酚(p-NP)的准可逆氧化还原峰,两物质氧化峰电位差为0.192V,说明间、对硝基苯酚异构体可在SWCNT修饰电极上同时测定.采用线性扫描伏安法优化了硝基苯酚同分异构体电化学响应条件.优化条件下,m-NP在浓度2.7×10~(-6)~1.0×10~(-4)mol/L范围内,其峰电流(Ip)和浓度呈线性关系;p-NP在浓度2.0×10~(-6)~1.0×10~(-4)mol/L范围内,Ip和浓度呈线性关系.两者的Ip都与扫速(v)成线性关系,这说明它们在修饰电极上的电化学过程均与吸附传质有关,电极过程是受吸附控制.基于Nicholson方法,获得m-NP和p-NP的电极反应速率常数(kS),并用Hammett方程计算出Hammett反应取代常数ρ.     

单壁碳纳米管-Nafion修饰电极同时测定硝基苯酚异构体

采用单壁碳纳米管(SWCNTs)-Nafion修饰电极作为工作电极,对邻、间、对硝基苯酚进行同时测定,实现了硝基苯酚异构体不经分离同时测定.邻硝基苯酚(o-NP)、间硝基苯酚(m-NP)和对硝基苯酚(p-NP)的线性范围分别为3.0×10-5～9.0×10-5,1.0×10-5～7.0×10-5,8.0×10-6～5.0×10-5 mol/L;检出限分别为6.0×10-6,4.0×10-6,1.0×10-6 mol/L.     

分子印迹传感器对标本中塑化剂直接快速检测

本文构建了能够快速检测邻苯二甲酸二异壬酯(DINP)的分子印迹电化学传感器.首先利用分子印迹技术以热聚合的方法制备了分子印迹聚合物颗粒(MIPs);然后将优化的MIPs与琼脂糖溶液混匀固定在玻碳电极表面制备成DINP分子印迹电化学传感器;传感器可以特异性结合模板分子DINP且其电化学信号与DINP的浓度相关.再利用传感器检测样品中DINP的含量,检测过程不需要样本前处理,可以用于现场直接检测.该方法的线性方程为ΔI=0.03c+3.07,相关系数R~2=0.998,线性范围5×10~(-8)~1×10~(-6),mol/L,检测限为2.7×10~(-8),mol/L,在实际样品中的加标回收率为105.3%,~115.7%,.     

叶蝉散分子印迹电化学传感器制备及其性能研究

首先制备叶蝉散分子印迹聚合物,再将该聚合物自组装至玻碳电极上,将构建的分子印迹电化学传感器用于叶蝉散农药的检测。实验表明,采用差分脉冲伏安法以铁氰化钾、氯化钾的混合液作为底液时,叶蝉散分子印迹传感器对叶蝉散在0~3.3×10-4 mol/L浓度范围内,有良好的线性关系,并且该电极有良好的灵敏度和识别性。利用该传感器测定水果中的农药含量。该分子印迹电化学传感器的线性关系为:In-I0(nA)=8.128 7C-9.327 4,相关系数R2=0.999 6,检出限为1.05×10-8 g/L。     

吲哚乙酸分子印迹电化学传感器的制备及分析应用

应用分子印迹技术,以吲哚乙酸为模板分子,吡咯为聚合单体,采用电聚合法在玻碳电极表面合成了性能稳定的吲哚乙酸分子印迹聚合物膜。利用方波伏安法分析吲哚乙酸在该印迹电极上的电化学行为,结果表明:0.55 V(vs.SCE)处的峰电流与浓度为5.0×10-6～2.4×10-4mol/L的吲哚乙酸呈线性关系,检出限(S/N=3)为2.0×10-6mol/L,响应时间为90 s;同一支印迹电极对吲哚乙酸响应值的RSD为1.7%(n=9);该印迹电极对吲哚乙酸具有较好的选择性,相对误差小于5%时,20倍的色氨酸、多巴胺和抗坏血酸以及50倍的组氨酸均对吲哚乙酸的测定不产生干扰。用该印迹电极对绿豆芽和黄豆芽进行分析,吲哚乙酸的浓度分别为5.07μmol/L和18.86μmol/L;对黄豆芽样品进行回收率测定,回收率在97%～104%之间。     

聚L-谷氨酸/石墨烯修饰电极对碘的测定

使用循环伏安法制备了聚L-谷氨酸/石墨烯修饰电极,应用扫描电镜和阻抗对修饰电极进行了表征,建立了示差脉冲伏安法测定碘的新方法。研究结果表明,在最佳实验条件下,使用示差脉冲伏安法(DPV)法测定碘,碘浓度在1.00×10-3～5.00×10-7 mol/L浓度范围内与峰电流呈现良好的线性关系,检出限为1.00×10-7 mol/L。该方法用于测定样品中的碘,结果令人满意。