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相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 62 毫秒
1.
研究了非晶态合金(Fe(1-x)Cox)82Cu0.4Si4.4B13.2(x=0.02,0.05,0.10,0.15)的电阻率和温度之间关系,样品的德拜温度在350~530K之间,在11K(T<100K和200K以上的温区,电阻率分别与温度平方户和温度T成线性关系,在11K<K200K的温区内,样品的导电机制可用衍射模型描述.  相似文献   

2.
将炭黑与丁腈橡胶混合制备导电复合材料,其中炭黑(N550)/丁腈橡胶电阻率随温度的变化呈一定强度的正温度系数(PTC)效应.讨论了不同炭黑填充率、硫化体系、配合剂等对复合材料室温电阻率、PTC效应和力学性能的影响.  相似文献   

3.
采用湿化学法制备了粒度在0.2~0.8μm范围的钙钛矿型La(1-x)Sr_xMnO_3粉末,用室温和高温X衍射法测定其晶体结构。发现其在1200℃高温发生了四方→立方的相变;制备的粉末粒度与水浴温度有一定的关系,在室温时电阻率在6.0×10 ̄(-3)~6.9×10 ̄(-3)Ω·cm范围内,在温度大于450℃后,随着温度的升高,电阻率亦升高。  相似文献   

4.
采用塑炼混合法,在碳黑及其它辅助填料的含量一定时,用正交实验法研究了模压压力、温度、时间及模压后样品冷却时间对HDPE/CB复合材料室温电阻率的影响,发现模压温度、模压时间和冷却时间都对复合材料的室温电阻率影响显著。在最佳模压条件(模压压力为10Mpa,模压温度155℃,模压时间20min,模压后样品冷却到室温的时间40min)下得到HDPE/CB复合材料的室温电阻率为0.6n·m,PTC强度达8.41,电阻率负温度系数(NTC)效应仅为0.2.  相似文献   

5.
通过共沉淀工艺合成了陶瓷化合物Nd0.67Ba0.33MnO3(NBM).与传统的陶瓷烧结法相比,成相温度降低了400℃。经X射线衍射分析表明,所得化合物为立方钙钛矿结构,其晶胞参数a=3.8838.样品的四极法电阻率测试结果表明:在该样品中的电阻率-温度曲线中存在两个电阻转变峰,并提出了一个假设模型用于解释该奇特异电性.  相似文献   

6.
在磁场下(H=1.3T)烧结得到的Y1-xGdxBa2Cu3O7-δ)(x=0~1.0)系超导体表现出明显的电阻率ρ超导转变零电阻温度Tcf和临界电流Jc各向异性,样品的常态电阻率在平行于烧结磁场方向上的值ρ比垂直于烧结磁场方向上的值ρ大8%~70%,零电阻温度Tcf∥比Tcf┴大1.0~5.0临界电流Jc比Jc大9%~73%,而且在外磁场(Ht=2.0T)下测得的临界电流Jc随外扬Ht与烧结磁场  相似文献   

7.
将炭黑与丁橡胶混合制备导电复合材料,其中炭黑(N550)/玎腈橡胶电阻率随温度的变化呈一定强度的正温度系数(PTC)效应,讨论了不同炭黑填充率、硫化体系、配合剂等对复合材料室温电阻率、PTC效应和力学性能的影响。  相似文献   

8.
以ZnS(荧光纯)与MnCl2(分析纯)为原料通过固相反应法,高温烧结制成ZnS:Mu荧光粉.采用化学共沉淀法在Zns:Mn荧光粉表面包覆上一层透明的SnO2:Sb薄膜来增加材料的导电性.用数字万用表和自制的测量盒测量了粉体的电阻.试验并讨论了包覆层中不同的Sb/Sn摩尔比,包覆量(Sn,Zn),热处理时间以及热处理温度对粉体电阻率的影响.  相似文献   

9.
在磁场下(H=1.3T)烧结得到的Y1-xGdxBa2Cu3O7-δ(x=0~1.0)系超导体表现出明显的电阻率ρ、超导转变零电阻温度Tcf和临界电流Jc各向异性.样品的常态电阻率在平行于烧结磁场方向上的值ρ比垂直于烧结磁场方向上的值ρ大8%~70%;零电阻温度Tcf比Tcf大1.0~5.0K;临界电流Jc比Jc大9%~73%,而且在外磁场(Ht=2.0T)下测得的临界电流Jc随外场Ht与烧结磁场HS间的夹角α呈椭圆形变化规律.这表明烧结过程中所加的磁场引起了该系超导体的各向异性.  相似文献   

10.
La1—xCaxMnO3多晶材料的巨磁阻特性   总被引:1,自引:0,他引:1  
用传统的电子陶瓷工艺制备了La1-xCaxMnO3(x=0.15,0.3,0.4,0.5,0.67,0.7)的系列多晶样品,测量了样品的直流电阻率随温度(4 ̄300K)、磁场的变化(0 ̄8T)。结果表明:x=0.3的样品具有最好的磁阻效应,x=0.15,0.67的样品在测量范围内没有巨磁阻效应,但x=0.7的样品出现较弱的巨磁阻效应,其金属-半导体转变温度为105K。  相似文献   

11.
通过简易的化学反应,将导电性颗粒Cu_xS引入到聚丙烯腈(PAN)纤维中,可使其体积电阻率ρv达0.08Ω·cm~0.1Ω·cm.通过V-I特性、电阻与温度的关系以及SEM、X光及XPS等,对导电纤维的导电机理和微结构进行了研究.  相似文献   

12.
研究了添加剂BN对(Sr0.4Pb0.6)TiO3V型PTCR陶瓷材料电性能和显微结构的影响,试验结果表明,BN含量在0.1% ̄0.4%范围内可以改善材料的显微结构,降低室温电阻率和烧结温度,从而使材料获得良好的V型PTCR电性能。  相似文献   

13.
碳纤维水泥基材料的温阻效应及其测试方法   总被引:2,自引:0,他引:2  
对碳纤维水泥基材料(CFRC)进行的两极法和四极法的对比测试研究表明,两种方法都能得到稳定的电阻值;但两极法的测试结果包含了测试电极的电阻和电极与CFRC材料之间的接触电阻,难以准确反映CFRC材料的真实电阻值;采用四极法测试可消除电极电阻和接触电阻.同时还研究了不同碳纤维掺量(0.4%和1.O%)的CFRC材料的温阻效应.结果表明,在-10-60℃的温度范围内,CFRC材料的电阻率随温度的升高而减小,灵敏度随着碳纤维掺量的增加而减小.  相似文献   

14.
采用电桥及X射线衍射线形分析法研究磁控溅射Cu/Ni多层膜(CLI及Ni单层厚度均为5nm)的室温电阻率及平均位错密度随对层(bilayer)层数的变化规律.结果表明,随层数增加,电阻率及平均位错密度减少;多层膜电阻率大于单层膜电阻率;单层膜电阻率大于同质块状体的电阻率.并对其微观机制进行分析.  相似文献   

15.
本研究了橡胶/炭黑复合材料体系的导电性能。实验指出,其电阻率随温度的变化呈不同强度的正温度系数(PTC)效应,讨论了不同炭黑粒子填充率,橡胶基体的性质,炭黑的结构及表面性质,加工工艺和硫化条件等对室温电阻率及PTC效应的影响。  相似文献   

16.
室温射频磁控溅射沉积ITO薄膜的研究   总被引:4,自引:1,他引:4  
报道透明导电膜不加衬底温度、无需沉积后的退火工艺、用射频磁控溅射沉积氧化铟、锡(ITO)薄膜获得电阻率3×10-4Ω·cm,在可见光区平均透光率84%的优良性能.用扫描电子显微镜和X射线衍射法研究了ITO薄膜的结晶形貌和晶体结构  相似文献   

17.
利用溶胶凝胶法在单晶LaAlO3(100)衬底上成功的外延生长了La0.7Sr0.3MnO3薄膜。用X射线衍射、直流四探针法对其进行了研究。结果表明,薄膜为赝立方钙钛矿结构,晶胞参数为α=3.872nm,具有良好的单晶外延结构。电阻率随着温度的增加,从金属导电行为向绝缘体行为转变,利用双交换理论对此现象作了合理的解释,转变点温度为TMI=340K。其电阻率在T〈TMI时满足ρ=ρ0+ρ1T^2,其导电机制是电子与电子的散射,在T〉TMI时主要是小极化子输运。  相似文献   

18.
通过对Ba(Sn,Sb)O3和Bi2O3化合物的复合,设计并得到了晶界偏析型复合陶瓷结构.由于复合材料的晶粒具有极小的B值而晶界势垒也极小,使得该复合材料的电阻-温度特性呈现出良好的线性特征.通过调节Bi2O3的含量,可以方便地调节复合材料的室温电阻率.  相似文献   

19.
研究了Zn—V-B玻璃料的添加对(Ba,Sr)TiO3PTC陶瓷微观结构和电性能的影响,并分析了玻璃料增强PTC效应的原因.扫描电镜结果显示,1240℃烧结后玻璃料促进了晶粒长大,但1280℃烧结后对晶粒生长影响不大.玻璃料一方面有助于晶粒长大和室温电阻率的降低;另一方面高阻的玻璃料存在于晶界增大了晶界电阻随玻璃料加入量增加,1240℃烧结后室温电阻率先减小后增大;烧结温度高于1240℃,室温电阻率单调增大.通过分析Mn02和V205在ZnO压敏陶瓷中的变价以及Mn提高BaTiO3陶瓷PTC效应的机理,初步认为V的变价是玻璃料显著改善PTC效应的原因.  相似文献   

20.
以一氧化物为主要原料,掺以少量杂质,采用传统的电子陶瓷工艺制备了新型导电陶瓷.经检测表明:该导电陶瓷具有较优良的物理性质.其室温电阻率为0.068Ω·cm,密度为4.96~5.45g/cm3,30~280℃温度范围的平均比热为0.458J/g·℃,14~1000℃时的平均线膨胀系数为5.885X10-6℃-1,当跨距为15mm时,其抗折强度(抗弯强度)的平均值为25.275MPa,HRA(洛氏)硬度的平均值为63.08.  相似文献   

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