陶瓷湿度传感器暂时性老化机制的分析

本文认为,在晶体中作为组成湿敏陶瓷的过渡金属元素,是以离子为主体形式存在的,易吸附有极性的媒质,并能与具有孤对电子的媒质形成络离子,使晶体表面活性降低,使器件产生暂时性老化。     

陶瓷湿度传感器永久性老化机理分析

本文经过实验对陶瓷湿度传感器永久性老化机理作了分析。文中认为,多孔半导瓷的表面在潮湿气相中存在着极薄的水膜,有溶解、析晶过程和污染上的杂质离子与晶粒表面离子的交换过程;在干燥气相中有蒸发、凝结过程。这些过程导致表面活性离子的替代、溶解和蒸发,使半导瓷表面活性降低,造成永久性老化。     

过烧功能瓷中气孔形成机理的探讨

瓷件在过高的烧成温度下易形成大量气孔,使瓷件的致密性降低,性能变劣。过烧的原因,一般认为是到了烧结的最高温度时保温时间过长,或烧成温度偏高。作者认为过烧气孔的形成原因,除了晶界的快速运动把气态杂质陷入晶体内部形成气孔外,还由于存在着肖特基缺陷而在晶体内缔聚形成气孔。     

羟基磷灰石陶瓷复合种植体的研究

1 引言 我们研制的羟基磷灰石具有以下特点:第一,这种陶瓷材料与生物骨组织中无机质的主要成份基本相同,因此和骨组织极易结合。第二,这种复合种植体不含有机成份,在生物体内不存在排异反应,其生物学稳定性高。第三,陶瓷-玻璃-金属复合种植体理化性能稳定,耐腐蚀,机械强度相当高。是理想的人造种植牙材料。     

石墨电阻炉生长Nd:YAG晶体中散射颗粒的研究〈二〉——Ar CO_2气氛减少散射颗粒的机理

本文在文献[1]的基础上,对炉内高温区的多种物理、化学过程进行较系统的分析讨论,利用化学反应自由焓判别各种反应的可能性。文中认为Al_2O_3分解的一系列铝的变价氧化物在高温区只能以气态存在,且对熔体污染小;强调碳和钼的挥发对熔体的污染是造成晶体中存在散射颗粒的主要原因;并指出高温区O_2,CO和CO_2对抑制熔体的气氛污染是有益的。解释了Ar CO_2气氛能显著减少晶体中散射颗粒的机理。     

石墨电阻炉生长Nd:YAG晶体中散射颗粒的研究(一)——炉内气氛的热力学分析

本文通过对碳和钼在高温下挥发性的讨论及实验数据的分析,指出在石墨炉内这种挥发会造成熔体的气氛污染.同时通过C-O_2-CO-CO_2系统在炉内不同温区的平衡态的定量热力学计算,给出了不同温区各种组分的分压值.文中还讨论了充入Ar CO_2混合气体对炉内气氛的影响.     

新型氧化物导电陶瓷的物理性质

以一氧化物为主要原料，掺以少量杂质，采用传统的电子陶瓷工艺制备了新型导电陶瓷．经检测表明：该导电陶瓷具有较优良的物理性质．其室温电阻率为０．０６８Ω·ｃｍ，密度为４．９６～５．４５ｇ／ｃｍ３，３０～２８０℃温度范围的平均比热为０．４５８Ｊ／ｇ·℃，１４～１０００℃时的平均线膨胀系数为５．８８５Ｘ１０－６℃－１，当跨距为１５ｍｍ时，其抗折强度（抗弯强度）的平均值为２５．２７５ＭＰａ，ＨＲＡ（洛氏）硬度的平均值为６３．０８．     

羟基磷灰石陶瓷湿敏元件

本文在实验的基础上,通过微观分析手段,研究了羟基磷灰石陶瓷材料的合成、烧结工艺及显微结构.进一步探讨了使用该材料制成的湿敏元件的感湿机理及老化机理.     

电阻炉生长YAG晶体的试料污染的分析

本文指出:生长YAG时,钨棒炉中试料的污染是由于钨钼氧化物的热稳定性差,因而在高温的坩蜗中分解析出钨钼所致.当在钨棒炉中放铝箔除氧时,可大大降低炉中氧的分压,从而减少对试料的污染和金属衣的生成.     

陶瓷湿度敏感元件的相对湿度-频率的线性转换

本文探讨了陶瓷湿敏元件的导电机理;介绍了用无稳态多谐振荡器的R-f转换,使该元件的非线性特性转换成线性化频率输出的一种新技术.通过理论推导给出了线性输出的解析表达式.还作了实验验证.采用这种新技术可以使湿敏元件的线性化问题简化.湿度-频率转换器的线性范围为20～80％RH,灵敏度可达30Hz/%RH.此种转换技术对解决其它非线性敏感元件线性化问题也有一定的指导意义.