189W衰变纲图

用14．8MeV中子同天然锇反应，取道192^O（n，α）反应产生189^W。通过放射化学分离流程，从反应产物中分出W。用高纯Ge探测器完成放射性W样品γ射线单谱的测量。在189^Re激发能级文献值的基础上并依据衰变和能级的关系以及189^W衰变的γ射线能量和相对强度的实验数据．给出了建议的189^W衰变纲图。     

141Nd中的粒子-核芯耦合

通过^130Te(^16O,5nγ）^141Nd反应研究了141^Nd的高自旋态．建立了激发能达7614．5keV的141^Nd能级纲图，新发现了12条γ射线和15个能级．用粒子—振子模型和半经验壳模型分别计算了141^Nd的集体和单粒子激发的能级位置．根据计算的能级位置以及实验测量得到的γ跃迁强度和多极性信息，讨论了141^Nd激发态的能级结构．     

深能级瞬态分析法研究纳米氧化锌的绿光发光机制

目的 研究纳米氧化锌的绿光发光机制.方法 深能级瞬态分析法.在实验设计中.根据衬底和薄膜的性质,利用示波器、纯电阻箱、信号源等简单的实验设备.在理论计算方面,用Matlab语言编程计算得到缺陷能级.结果 实验精度较高;缺陷能级距导带1.62 eV,这个能量差值恰和孙玉明在ZnO缺陷能级计算的博士论文中氧空位缺陷能级相符.结论 绿光发射是电子由导带到氧空位缺陷能级的跃迁所致.     

掺杂石墨背接触层CdS/CdTe太阳电池的深能级瞬态谱

深能级中心能显著影响太阳电池性能.制作了以掺杂石墨为背接触层的CdS/CdTe薄膜太阳电池,用深能级瞬态谱研究了它们的深能级中心.共发现了6个深中心,确定了其中两个深中心的能级位置,分别是位于EC-0.223 eV的 E3和位于EV＋0.077 eV的H3.它们主要来源于Cd与Te的空位和间隙离子、O和Cl离子以及它们相互作用形成的复合体等.     

用DLTS和ODLTS技术研究ZnSe晶体中与Ga有关的深能级

本文应用深能级瞬态谱(DLTS)和光深能级瞬态谱(ODLTS)技术研究了掺Ga的ZnSe晶体中的深能级.发现ZnSe:Ga晶体中有一个与Ga有关的施主能级位于导带底下0.17eV处,两个与Ga有关的受主能级分别位于价带顶上0.65eV和0.72eV处.文中还对这些能级的起源进行了讨论.     

AlO分子基态势能曲线的理论研究

采用完全活化空间自洽场(CASSCF)方法及内收缩多参考组态相互作用(MRCI)理论,对AlO分子基态(X2Σ+)的势能曲线进行了理论研究.在得到De,Re,ωe,ωeχe,Be,αe等光谱常数的基础上,通过求解分子核运动的径向Schrdinger方程,找到了J=0时该分子基态存在的64个全部振动态.并第一次全面计算了每一振动态的振动能级、经典转折点、转动惯量Bυ和离心畸变常数Dυ与现有实验及其它理论相比较,本文的计算结果更为全面精确.     

自旋轨道耦合因子对多重态能级次序的影响

利用微扰方法计算出两个价电子自旋轨道相互作用的能级精细结构，对给定电子组态，经过LS耦合所形成的多重态能级的讨论，得出能级次序由耦合因子A(LS)决定，并对He原子Is^2p态能级次序作说明．     

GaAs0.55P0.45发光二极管中的无辐射陷阱

应用深能级瞬态谱(DLTS)技术,研究了GaAs0.55P0.45红色发光二极管深能级.结果表明,有B陷阱的GaAS0.55P0.45红色发光二极管亮度比有C陷阱的低;并对B陷阱深能级位置的真实值进行了详细计算.     

在均匀强磁场中氢原子能级的计算

根据简并态微扰理论导出了在均匀强磁场中氢原子能级计算公式.该公式表明,只需给出量子数,可用简单的代数方法计算出相应的氢原子能级.本文应用该公式计算了在强磁场中(10≤B≤104T)氢原子n=4激发态的能级,并给出n=4的能级图.计算结果表明在强磁场中,氢原子的库仑场的对称性遭到破坏,n=4的能级简并几乎被全部解除.     

单个未知多能级粒子态的概率隐形传输

提出利用多对两能级粒子的非最大纠缠态作为量子信道实现单个未知多能级粒子态的概率隐形传输.讨论了单个三能级粒子的概率隐形传输,把其推广到单个多能级粒子,并得出单个多能级粒子的概率隐形传输的成功概率.     

UIC-189电脑美容仪治疗痤疮20例临床分析

目的观察UIC-189专业电脑美容仪器对面部痤疮的治疗效果。方法应用UIC-189专业电脑美容仪对20例不同程度的面部痤疮进行治疗,每日一次,十次为一疗程。结果20例患者中痊愈12例,显效2例,有效6例。结论UIC-189专业电脑美容仪对面部痤疮治疗疗效明显,无副作用,值得临床推广。     

重组VEGF-A_189发酵、纯化及鉴定

为了获得大量重组血管内皮生长因子(VEGF-A_(189))蛋白的可溶性表达,对重组VEGF-A_(189)工程菌进行发酵条件的优化并开展发酵研究.通过摇瓶培养进行可溶性发酵条件优化,在5 L发酵罐中发酵重组VEGF-A_(189)工程菌,将发酵产物经镍离子柱亲和层析纯化,并对发酵产物进行SDS-PAGE,Western Blot和ELISA等分析鉴定.结果表明,重组VEGF-A_(189)工程菌可溶性发酵条件为:37℃培养重组VEGF-A_(189)工程菌4 h,加入0.3 mmol/L的异丙基-β-D-硫代半乳糖苷(IPTG)于28℃诱导表达4 h.在5 L发酵罐中按比例放大发酵,在补料发酵3.5 h后菌体密度(A_(600nm))达到8.0,调整发酵温度到28℃,IPTG诱导4 h后的菌体密度为13.72,菌体产量为40 g/L.镍离子柱亲合层析纯化后重组VEGF-A_(189)纯度达到90%以上,回收率大于80%,Western Blot、ELISA分析结果显示,重组VEGF-A_(189)蛋白和抗VEGF抗体有良好的结合活性.结果表明经过发酵条件优化后发酵可获得有免疫结合活性的可溶性重组VEGF-A_(189)蛋白.     

应用瞬时混沌强度解读混沌

应用瞬时混沌强度对Logistic模型进行了研究，发现它具有表现混沌程度的作用；尽管它是一个随机过程，有较强的随机性，然而它对Logistic模型的r仍有很强的指示作用。定义了步数混沌强度(n-step chaometry)的概念，它更方便于实际计算，而使用者并不必理会均方积分的概念。应用于研究Henon映射时，发现了以21为基数的周期窗口体系．在一个狭窄的区间内混沌与周期交替出现，其中还包含以189和252为初始周期的倍周期分岔。     

连续映射的扩充I

本文采用格论观点研究拓扑学中连续映射的扩充问题，给出陪域为局部紧的Ｔ＿２空间时连续映射扩充的充要条件，此结果包括陪域为紧空间或实数域的情况作为特例．