Te掺杂ZnSe／[（CdSe）1（ZnSe）3]m超晶格荧光光谱

对垒区Ｔｅ掺杂浓度不同的ＺｎＳｅ／［（ＣｄＳｅ）１（ＺｎＳｅ）３］ｍ短周期超格量子阱的稳态和瞬态荧光进行了实验研究，通过不同激发强度下逐级饱和过程测得ＺｎＳｅ垒区自由激子寿命为３５ｐｓ，［（ＣｄＳｅ）１（ＺｎＳｅ）３］７阱区自由寿命为１７７ｐｓ，束缚在不同ｎ值的Ｔｅ束缚激子的复合寿命为０．５－１０ｎｓ。揭示了Ｔｅ掺杂浓度对能量传递、荧光波长和荧光寿命的灵敏的影响及其规律。     

（CdSe）m（ZnSe）n／ZnSe短周期量子阱的荧光光谱

对用原子层外延法生长的｛（ＺｎＳｅ）＿（７０）（ＺｎＳｅ：Ｔｅ）＿（２０）（Ｚｎｓｅ）＿８＋［（ＣｄＳｅ）＿１（Ｚｎｓｅ）＿３］＿７＋（ＺｎＳｅ）＿８（ＺｎＳｅ：Ｔｅ）＿（２０）（ＺｎＳｅ）＿（７０）｝×１短周期超晶格量子阱样品，在７７Ｋ进行了稳态和瞬态荧光光谱研究。在本征激发下，观察到在不同激发强度时荧光光谱有显著的区别，随着泵浦密度提高，荧光谱表现为绿带（Ｓ＿２）、蓝带（Ｓ＿１）和蓝锐线依次占优。利用时间分辩光谱测量了上述谱带的荧光产生时间和寿命，讨论了样品中激子的捕获和复合过程。认为上述荧光光谱对激发强度的依赖性，可能是束缚在势垒中Ｔｅ＿ｎ（ｎ≥２）原子簇和单Ｔｅ原子周围的激子态随激发功率提高而依次饱和的现象。     

1，1′─［四甲基二硅撑］双（环戊二烯基三羰基钨配合物）的合成及反应

１，２－二环戊二烯基四甲基二硅烷与丁基锂作用生成［四甲基二硅撑］双（环戊二烯基负离子盐），后者随即与六羰基钨反应形成１，１－［四甲基二硅撑］双［环戊二烯基三羰基钨负离子盐］，（Ｍｅ２ＳｉＳｉＭｅ２）·［Ｃｐ′（ＣＯ）３Ｗ－］２·２Ｌｉ＋（Ｉ）．（Ｉ）分别与六种卤化物反应，生成在钨原子上引入取代基的产物：（Ｍｅ２ＳｉＳｉＭｅ２）．［Ｃｐ′Ｗ（ＣＯ）３Ｒ］２，（Ｒ：Ｍｅ，Ｃ２Ｈ５，２；ＰｈＣＨ２，３；ＣＨ２ＣＯＯＣ２Ｈ５，４；ＣＨ３ＣＯ，５；Ｐ３ｈＳｎ，６）．（Ｉ）用醋酸处理后，随即分别与ＣＣｌ４，ＮＢＳ及Ｉ２作用，生成相应的钨卤化物，（Ｍｅ２ＳｉＳｉＭｅ２）［Ｃｐ′Ｗ（ＣＯ）３Ｘ］２，（Ｘ：Ｃ１，８；Ｂｒ，９；Ｉ，１０），（Ｉ）与Ｆｅ３＋／Ｈ３Ｏ＋作用发生氧化偶联，生成双核Ｗ－Ｗ键产物（Ｍｅ２ＳｉＳｉＭｅ２）［Ｃｐ′Ｗ（ＣＯ）３］２，１１．（Ｃｐ′＝Ｃ５Ｈ４）     

N2O2型Sc hiff碱配体和锰(Ⅲ)配合物的合成与光谱表征

报道了８ 个水杨醛及邻香草醛与二胺缩合生成的Ｓｃｈｉｆｆ碱与锰（Ⅲ）的配合物：［Ｍｎ（ｓａｌｐｎ）Ｃｌ］,［Ｍｎ（ｓａｌｉｐｎ）Ｃｌ］,［Ｍｎ（ｖａｎｉｐｎ）Ｃｌ］,［Ｍｎ（ｓａｌｅｎ）（Ｈ２Ｏ）］ＣｌＯ４,［Ｍｎ（ｖａｎｅｎ）（Ｈ２Ｏ）２］２（ＣｌＯ４）２（Ｈ２Ｏ）２,［Ｍｎ（ｖａｎｉｐｎ）（Ｈ２Ｏ）２］２（ＣｌＯ４）２（Ｈ２Ｏ）２,［Ｍｎ（ｓａｌｅｎ）（ＮＣＳ）］,［｛Ｍｎ（ｏｓａｌｐｈｅｎ）（ＮＣＳ）｝｛Ｍｎ（ｓａｌｐｈｅｎ）（ＮＣＳ）（ＤＭＦ）｝］（其中ｓａｌ为水杨醛,ｖａｎ 为邻香草醛,ｅｎ 为乙二胺,ｐｎ 为１,３丙二胺,ｉｐｎ 为１,２丙二胺,ｏｐｈｅｎ 为邻苯二胺）．对所有的配合物进行了元素分析．对配合物中的ν（Ｃ＝ Ｎ）,δ１（ＣＨ３,ＣＨ２）,δ２（ＣＨ３,ＣＨ２）,ν（Ｃ－ Ｎ）,ν（Ｃ＝ Ｃ）,ν（Ｍｎ－ Ｏ）以及ＤＭＦ和ＣｌＯ－４ 、ＮＣＳ－ 的振动吸收进行了归属．紫外光谱测试表明,配合物中存在着芳环的π→π,金属到配体的ＣＴ电荷转移跃迁,Ｃ＝ Ｎ的π→π以及ｄ→π跃迁．磁距测定表明,配合物的中心离子为ｄ４ 锰（Ⅲ）高自旋的电子结构．     

新双亚砜过渡金属配合物的合成、表征及性质研究

合成了Ｍｎ（Ⅱ）、Ｃｏ（Ⅱ）及Ｎｉ（Ⅱ）与双（苯基亚砜）丙烷（ｂｐｈｓｐ）和α－双（苯基亚砜）丁烷（α－ｂｐｈｓｂ）的系列固体配合物：［Ｍｎ（ｂｐｈｓｐ）３］（ＣｌＯ４）２、［Ｃｏ（ｂｐｈｓｐ）３］（ＣｌＯ４）、［Ｍｎ（ｂｐｈｓｂ）３］（ＣｌＯ４）２、［Ｃｏ（ｂｐｈｓｂ）３］（ＣｌＯ４）２及［Ｎｉ（α－ｂｐｈｓｂ）３］（ＣｌＯ４）２等,并用元素分析、电导、差热分析、红外光谱、紫外光谱和磁化率等手段对上述配合物的结构和性质进行了表征．     

Tween80-水杨基荧光酮-(NH_4)_2SO_4体系萃取分离Mo(Ⅵ)

研究了 Ｔｗ ｅｅｎ８０－ 水杨基荧光酮（ Ｓ Ａ Ｆ）－ （ Ｎ Ｈ４）２ Ｓ Ｏ４ 体系萃取钼的行为及 Ｔｗ ｅｅｎ８０ 水溶液分相条件的选择．实验表明,在适当ｐ Ｈ 条件下,该体系能使 Ｍｏ（Ⅵ）与 Ｆｅ３＋ 、 Ｃｏ２＋ 、 Ｎｉ２＋ 、 Ｍｎ２＋ 、 Ｚｎ２＋ 、 Ｃｄ２＋ 、 Ｃｕ２＋ 等常见离子分离     

r重gcd－closed集合上的LCM矩阵

设Ｓ＝｛ｘ１，ｘ２，…，ｘｎ｝为一个ｎ元正整数集合．Ｂｏｕｒｑｕｅ和Ｌｉｇｈ猜想最大公因子封闭（ｇｃｄ－ｃｌｏｓｅｄ）集合Ｓ上的最小公倍（ＬＣＭ）矩阵［Ｓ］ｎ是非奇异的．作者引进ｒ重ｇｃｄ－ｃｌｏｓｅｄ集合来研究上述猜想．证明了当ｎ≤５时上述猜想成立．当ｎ≥６时，（ｎ－５）重最大公因子封闭集合Ｓ上的ＬＣＭ矩阵［Ｓ］ｎ是非奇异的     

路和回路的各种乘积图的联结数

图的联结数是图的示性数之一．Ｄ．Ｒ．Ｗｕｏｄａｌｌ［１］首先引进了这个概念，研究了联站数与 图的其它量之间的关系．Ｖ．Ｇ．Ｋａｎｅ，Ｓ．Ｐ．Ｍｏｈａｎｔｙ和Ｒ．Ｓ．Ｈａｌｅｓ［２］研究了一些乘积图 的联结数．［３］中证明了［２］中提出的关于ｂｉｎｄ（Ｃｍ×Ｃｎ）的猜想．本文进一步研究了［２］、［３］未 解决的若干乘积图的联结数，得到了Ｌｍ×Ｃｎ，Ｃｍ　Ｃｎ，Ｌｍ　Ｃｎ，Ｃｍ＊Ｃｎ，Ｌｍ＊Ｃｎ，Ｃｍ（Ｃｎ），Ｌｍ（Ｃｎ）等图的联结数。     

MOCVD制备GaAs／AlGaAs多量子阱的光致发光特性

对ＭＯＣＶＤ生长的ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ多量子阱结构进行了光致发光特性的测量。结果观察到三个发光峰；位于１．６６４ｅＶ处的峰是自由激子发光；峰值处于１．４８ｌｅＶ的发光是ＧａＡｓ中施主Ｓｉ（Ｇａ）原子上的电子向受主Ｓｉ（Ａｓ）跃迁引起的；而在１．５２９ｅＶ处的弱发光峰是ＧａＡｓ阱层中Ｓｉ（Ｇａ）原子上的电子与价带量子阱中基态重空穴复合形成的。     

三草酸合铝(Ⅲ)酸钾水合物失水过程的非等温动力学研究

通过热分析法对Ｋ３［Ａｌ（Ｃ２Ｏ４）３］·３Ｈ２Ｏ配合物的失水过程进行分析，证明为两步失水反应．根据积分法中的Ｃｏａｔｓ－Ｒｅｄｆｅｒｎ方程和相关理论，推断出第一步失水过程的可能机理为ｎ＝１的成核与生长过程．第二步失水过程的可能机理为二级化学反应．其动力学方程式分别为：ｄα／ｄｔ＝Ａ（１－α）ｅ－Ｅ／ＲＴ和ｄα／ｄｔ＝Ａ（１－α）２ｅ－Ｅ／Ｒ．并求得两步失水反应的表观活化能Ｅ、指前因子Ａ和补偿效应表达式．     

Zn1-xCdxSe/ZnSe多量子阱光伏效应研究

测量以GaAs为衬底的Zn1-xCdxSe／ZnSe应变层多量子阱在不同温度下（18～300K）的光伏谱，研究Zn1-xCdxSe／ZnSe多量子阱的光伏效应和带间激子跃迁，实验结果表明，Zn1-xCdxSe／ZnSe量子阱具有显著的量子限制效应，从18K直至室温，都能观测到清晰的激子跃迁峰，说明Zn1-xCdxSe／ZnSe是制作室温下工作的蓝绿激光器等发光器件的合适材料。     

Synthesis of Water-Dispersed Thioglycolic Acid-Capped ZnSe Quantum Dots in Aqueous Media

Water-dispersible ZnSe quantum dots (ZnSe QDs) were prepared in aqueous media and characterized by ultraviolet-visible absorption, fluorescence emission spectroscopy, X-ray powder diffraction, transmission electron microscopy, energydispersive spectroscopy, and inductively coupled plasma atomic emission spectroscopy. The influences of various experimental variables on the photoluminescence properties of ZnSe QDs were investigated. The results showed that the average diameter of these nanocrystals was 4 nm with narrow size distribution. The optimized conditions were as follows: pH value of 9.5, Zn/NaHSe molar ratio of 10:1, Zn/TGA molar ratio of 1:3, heating time of 1 h, and irradiation time of 19 h. Under optimized conditions, the photoluminescence quantum yield of ZnSe QDs in aqueous solution reached 20%.     

碲化锌修饰掺铜硒化锌量子点的合成

以巯基丙酸（mercaptopropionic acid,MPA）作为稳定剂,在水相中合成Cu离子掺杂的ZnSe量子点（quantum dots,QDs）,并以ZnTe修饰其表面（ZnSe:Cu/ZnTe QDs）.采用X射线衍射（X-ray diffraction,XRD）、高分辨透视电子显微镜（high resolution transmission electronic microscopy,HRTEM）、紫外可见吸收光谱（ultraviolent-visible spectroscopy,UV-VIS）和光致发光(photoluminescence,PL)荧光光度计对其结构、相貌和光学特性进行表征.结果表明,合成所得荧光量子点的大小为4～6 nm;当激发波长325 nm时,荧光发射峰约为510 nm;经160 ℃热处理后,荧光发射峰会红移至540 nm左右,初步说明ZnTe的修饰会改变ZnSe:Cu量子点荧光发射峰的位置.     

ZnSe/5B2O3-95SiO2纳米复合材料的制备及性能表征

采用溶胶凝胶工艺在室温合成合有Zn、Se成分和玻璃相成分的均匀透明凝胶，并通过CO还原气氛热处理，在凝胶玻璃中原位生长出ZnSe纳米晶体．利用BET比表面积、透射电镜、吸收光谱、荧光光谱等分析手段对ZnSe纳米复合材料的组成结构及量子尺寸效应影响下的光学性能进行了表征，结果表明：5B2O3—95SiO2凝胶玻璃的多孔结构可有效地分散ZnSe纳米晶粒；纳米复合材料中ZnSe纳米晶粒呈球形，粒径约为3．5nm；吸收光谱中，ZnSe纳米复合材料的吸收边相对于ZnSe体材料发生蓝移，随着ZnSe在凝胶玻璃中摩尔分数的增大，蓝移量减小，相应ZnSe纳米晶粒尺寸增大；在荧光光谱中，500nm附近的发光带是凝胶玻璃中的ZnSe纳米晶体表面态复合和缺陷发光，当ZnSe的摩尔分数达到0．07时，观测到了浓度的荧光淬灭现象．     

ZnSe纳米颗粒的制备及光学性能研究

以硝酸锌和硒粉为源物质,以乙二醇和氢氧化钠的水溶液为反应介质,采用水热法制备了ZnSe纳米颗粒,利用差热分析仪(TG-DTA)、X射线衍射仪(XRD),扫描电子显微镜(SEM)和光致发光谱(PL)对产物进行热稳定性、结构、形貌和光学性能表征.差热结果表明ZnSe在常温下具有一定稳定性,直到450℃以上时在空气中可转化为ZnO纳米材料.XRD和SEM研究结果表明,纳米颗粒具有闪锌矿结构并且随着反应时间的增加颗粒尺寸有所增大.PL测试显示近带边发射峰较强,这说明产物的结晶状况良好,并且具有较好的光致发光性能.     

应变层超晶格（ZnSe）n／（ZnS）m的亚带结构

本文讨论了应变对越晶格（ＺｎＳｅ）＿ｎ／（ＺｎＳ）＿ｍ在Ｔ点带边结构的影响，计算了带偏移：并在双量子阱近似下，用有效质量近似方法计算了应变层超晶格（ＺｎＳｅ）＿ｎ／（ＺｎＳ）＿ｍ的亚带结构。     

Co掺杂ZnSe团簇稳定性和磁性质

采用密度泛函理论研究了Co原子单掺杂和双掺杂(ZnSe)12团簇的结构、电子性质和磁性质.考虑了三种掺杂方式:替代掺杂、外掺杂和内掺杂.首先比较了各种掺杂团簇的稳定性.单掺杂时,外掺杂团簇是最稳定结构,双掺杂时,内掺杂团簇是最稳定结构.在结构优化的基础上,对掺杂团簇又进行了磁性计算.团簇磁矩主要来自Co-3d态的贡献,4s和4p态也贡献了一小部分磁矩.由于轨道杂化,相邻的Zn和Se原子上也产生少量自旋.最重要的是,我们指出内双掺杂团簇是铁磁耦合,在纳米量子器件领域有潜在的应用价值.     

ZnSe/ Zn_(1-x)Cd_xSe非对称双量子阱中电子声子相互作用(英文)

采用转移矩阵方法研究了 Zn Se/Zn1-x Cdx Se非对称双量子阱结构中界面光学 ( IO)声子模和电子 -IO声子相互作用哈密顿量 .发现 IO声子的色散关系和电子 -IO声子耦合强度是波矢的复杂函数 ,并且长波声子是主要的 .使用简化的相干势近似数值计算 Zn Se/Zn1-x Cdx Se非对称双量子阱结构 ,结果表明高频声子与 IO声子的相互作用较低频声子与 IO声子的相互作用强     

Towards Bose-Einstein condensation of excitons in potential traps

An exciton is an electron-hole bound pair in a semiconductor. In the low-density limit, it is a composite Bose quasi-particle, akin to the hydrogen atom. Just as in dilute atomic gases, reducing the temperature or increasing the exciton density increases the occupation numbers of the low-energy states leading to quantum degeneracy and eventually to Bose-Einstein condensation (BEC). Because the exciton mass is small--even smaller than the free electron mass--exciton BEC should occur at temperatures of about 1 K, many orders of magnitude higher than for atoms. However, it is in practice difficult to reach BEC conditions, as the temperature of excitons can considerably exceed that of the semiconductor lattice. The search for exciton BEC has concentrated on long-lived excitons: the exciton lifetime against electron-hole recombination therefore should exceed the characteristic timescale for the cooling of initially hot photo-generated excitons. Until now, all experiments on atom condensation were performed on atomic gases confined in the potential traps. Inspired by these experiments, and using specially designed semiconductor nanostructures, we have collected quasi-two-dimensional excitons in an in-plane potential trap. Our photoluminescence measurements show that the quasi-two-dimensional excitons indeed condense at the bottom of the traps, giving rise to a statistically degenerate Bose gas.     

Quantum nature of a strongly coupled single quantum dot-cavity system

Cavity quantum electrodynamics (QED) studies the interaction between a quantum emitter and a single radiation-field mode. When an atom is strongly coupled to a cavity mode, it is possible to realize important quantum information processing tasks, such as controlled coherent coupling and entanglement of distinguishable quantum systems. Realizing these tasks in the solid state is clearly desirable, and coupling semiconductor self-assembled quantum dots to monolithic optical cavities is a promising route to this end. However, validating the efficacy of quantum dots in quantum information applications requires confirmation of the quantum nature of the quantum-dot-cavity system in the strong-coupling regime. Here we find such confirmation by observing quantum correlations in photoluminescence from a photonic crystal nanocavity interacting with one, and only one, quantum dot located precisely at the cavity electric field maximum. When off-resonance, photon emission from the cavity mode and quantum-dot excitons is anticorrelated at the level of single quanta, proving that the mode is driven solely by the quantum dot despite an energy mismatch between cavity and excitons. When tuned to resonance, the exciton and cavity enter the strong-coupling regime of cavity QED and the quantum-dot exciton lifetime reduces by a factor of 145. The generated photon stream becomes antibunched, proving that the strongly coupled exciton/photon system is in the quantum regime. Our observations unequivocally show that quantum information tasks are achievable in solid-state cavity QED.