热压铁氧体的显微结构

铁氧体的抗折强度与其密度和晶粒尺寸有关。晶粒尺寸增大,抗折强度减小。热压铁氧体磁头的寿命与晶粒尺寸有关。如图1所示。晶粒太小时(小于30～40μm)小晶粒容易崩落,使磁头缝隙和迹面破坏,磁头寿命减小。同时铁氧体磁头的信燥比也与晶粒尺寸有明显的依赖关系。如图2所示。当平均晶粒尺寸大于40～50μm时,磁头的信噪比显著降低。所     

磁头制备工艺对材料性能的影响

<正> 一、概述近几年来,我们已经研制了硬磁盘机铁氧体浮动磁头[1]和软磁盘机铁氧体磁头[2][3]。为寻求磁头性能的一致性,研究了磁头制备工艺对材料性能的影响。磁头制造工艺既精密又复杂,工艺因素对材料的性能影响很大。初步看来,影响的因素有以下几个方面:1、切割、开槽、抛光等机械加工使样品表面受力,而产生剩余变形及表面加工变质层,同时使样品内部受到应力,通过磁致伸缩影响磁性;2、玻璃焊缝过程中,在焊接温度范围可产生Fe、Mn 离子的变价问题。在氧的参予下:     

反正切垂直磁化MR头读出波形的理论分析

目前温式磁盘机的位密度已达20kbPI～50kbPI;道密度可达1000TPI～2000TPI.进一步提高面密度特别是道密度还有很大的发展潜力,但一个主要障碍在于传统的感应式磁头读出的信号的信噪比随着道密度的进一步提高而过分微弱,MR头是能满足高密度记录的新型磁头.磁阻材料用于磁头中检读信号首先是由Hunt提出的.近几年来,国外对MR头的实用化进行了许多研究.而到目前为止,国内尚未研制出实用的MR头.本文对数字磁记录中MR头的读出过程进行了理论分析,为MR头的研制提供了一定的理论依据.     

镍锌系列热压铁氧体的研究 Ⅰ.低频磁导率和磁谱与化学成分和热压条件的关系

镍锌系列的热压铁氧体,具有比较好的机械加工性能及很好的热稳定性,适宜于制做磁鼓、磁盘机的浮动磁头以及全铁氧体化的多路磁头,本文系统地研究了不同含铁量的镍锌铁氧体[(NiO)_(0.32)(ZnO)_(0.68)(Fe_2O_3)x](x=0.96,0.98,1.00,1.02,1.04)及不同合镍量的镍锌铁氧体[(1-y)NiO·yZnO·Fe)_2O_3](y=0.65,0.60,0.55,0.50)的低频磁导率随磁场和温度的变化以及磁头工作频段内的磁谱.在此基础上得到的两种热压Ni—zn 铁氧体:N—Ox—4型及 N—OX—8型具有优良的性能.     

用于288×4读出电路中的高效率模拟电荷延迟线(英文)

提出了一种带时间延迟积分功能的高性能CMOS读出电路芯片适用的高效率电荷延迟线结构。基于该结构,设计了一款288×4规格焦平面阵列组件适用的CMOS读出电路芯片,并已完成流片、测试。该芯片包括4个视频输出端,每个端口的像元输出频率为4~5MHz(如用于实现384×288规模的成像,帧频可达160Hz)。测试结果表明这款芯片具有高动态范围(大于78dB)、高线性度(大于99.5%)、高均匀性(大于96.8%)等特征。     

磁头表面氟代硅烷自组装膜的制备和表征

采用分子自组装成膜技术,在磁头表面制备了1H,1H,2H,2H-全氟癸烷基三乙氧基硅烷(FTE)自组装膜。使用时间飞行二次离子质谱仪(TOF-S IM S)、X射线光电子能谱仪(XPS)、原子力显微镜(AFM)和接触角测量仪对FTE自组装膜进行了表征。XPS测得的FTE自组装膜C 1s谱图中有分谱出现在287.905 eV位置,这证明FTE分子以C—O—S i键与磁头表面结合。通过分析TOF-S IM S测量的不同反应时间的膜厚和其对应的AFM表面形貌图发现,FTE自组装膜形成过程分为表面亚单层膜低覆盖、表面亚单层膜中等覆盖、团聚和聚结4个阶段。实验结果表明,控制反应时间可以在磁头表面制备超薄平整的FTE自组装膜,膜厚为(1.20±0.01)nm,表面粗糙度小于0.2 nm。该层超薄膜使磁头对水的接触角增加到110.5°±0.1,°令磁头的疏水性能得到很大提高,进而较大幅度地提高了磁头表面的抗污染能力。     

我校HIP铁氧体材料和磁头通过鉴定

兰州大学磁性材料研究所研制成功的热等静压(HIP)铁氧体材料,以及用这种材料制作的立体声盒式磁带快速复制机铁氧体磁头,最近在兰州通过了鉴定。填补了我国在这方面的两项空白。这次鉴定会由甘肃省高教局主持,来自全国各地的高等院校、科研机构、专业工厂等17个单位的教授、副教授、高级工程师等专家、同行对这两项成果进行了评论。一致认为根据不同用途研制的四种材料的抗折强度及显微硬度优     

双管推挽超音频偏磁振荡电路探讨

在盒式收录机教科书中,给出的双管推挽偏磁振荡原理电路如图1示。图中,振荡变压器B_1的次级线圈L_4与电容C_4、C_5,抹音磁头线圈L_E等组成谐振选频回路,决定偏磁振荡信号的频率。但厂家生产的收录机实际线路中,往往在B_1的初级线圈两端并联一电容器C_6,组成另一个谐振回路(如图1中虚线所示)。本文的目的在于说明两个问题:(1)图1给出的双管超音频推挽振荡电路可否等效为图2所示的集基耦合多谐振荡电路?(2)在具有两个谐振回路的双管推挽振荡电路中,偏磁振荡的频率如何决定?两谐振回路各自有何作用?     

超高密度计算机硬盘系统磁记录材料的噪音和差错分析

为研究计算机硬盘的信号和噪音 ,建立了硬盘系统读写过程的微磁模拟模型。在写入过程中采用了模拟的三维薄膜磁头 ,在读出过程中用的是巨磁阻 (GMR)磁头。根据模拟的结果 ,分别计算出了 0 ,1信号读出电压的概率密度分布函数 ,得到了硬盘磁记录密度在 15 .5 Mb/mm2 ,31.0Mb/mm2 ,40 .3Mb/m m2 ,46 .5 Mb/mm2 几种不同情况下的数据差错率。结果表明在颗粒大小 a L=13.5 nm时 ,非 0的差错率在密度为 40 .3Mb/mm2时开始出现。本系统中 ,磁道宽 W约为比特长度 B的 5倍 ,当比特长度与颗粒大小之比 B/a L>4时 ,平均差错率很小 ;但当 B/a L<4时 ,平均差错率会急剧上升     

稳定状态法可适性条件的探讨

本文对机理为A??B??C的连续反应,给出了稳定状态法的适用条件为:k_2与k_1的商很大,而差很小[即k_2/k_1》1且(k_2-k_1)→0].指出P.W.Atkins等人给出的稳定状态法的适用条件为k_2远远大于k_1(即k_2》k_1)是不充分的.定义了稳态偏离(dy)/(dt),它表示中间物质B对假想的绝对稳定状态((dy)/(dt)??0)的偏离程度.并对给定的稳态偏离,从活化能垒的角度讨论了稳定状态法的适用条件.     

基于实测数据的机场水泥道面变温效应分析

利用上海浦东国际机场"道面状态监测系统"实测的温度、应变和弯沉,分析了水泥道面温度以及温度作用下道面翘曲变形、弯沉、接缝传荷能力的变化.结果表明,土基和基层温度日变化较小,但季节性变化较大;道面板温度沿板厚分布呈非线性,下午时段更显著;全年正、负温度梯度占比基本相同,零温度梯度集中在7:00～10:00和19:00～22:00,且全年呈周期性;此外,在横缝(假缝)和纵缝(企口缝)板边中部以及板角,温度翘曲变形呈同步周期性变化,板角处最大,纵缝(企口缝)板边中部最小,向上(下)翘曲变形的全年最大值均分布在12月～1月(7月～8月);板中最大弯沉基本保持不变,而板角和横缝(假缝)板边中部最大弯沉日变化和季节性变化显著;假缝和企口缝的传荷能力随平均温度的增大而增大,具有良好的二次曲线关系.建议在道面设计和评价中考虑温度作用的影响.     

一种基于相变存储器的高速读出电路设计

通过对相变存储器中的读出电路进行改进,以提升存储器的读出速度;通过降低读出电路中灵敏放大器输出端电压摆幅,使得输出端电压提早到达交点,显著减小了读出时间;同时,基于中芯国际集成电路制造有限公司(SMIC)40 nm的互补金属氧化物半导体(CMOS)芯片制造工艺,利用8 Mb相变存储器芯片对改进的新型高速读出电路进行验证,并对新型电路的数据读出正确性进行仿真分析.结果表明:在读Set态相变电阻(执行Set操作后的低电阻)时,新型电路与传统读出电路的读出时间均小于1 ns;在读Reset态相变电阻(执行Reset操作后的高电阻)时,新型电路相比传统读出电路的读出速度提高了35.0%以上.同时,采用蒙特卡洛仿真方法所得Reset态相变电阻的读出结果表明:在最坏的情况下,相比传统读出电路的读出时间(111 ns),新型电路的读出时间仅为58 ns;新型电路在最低Reset态相变电阻(R_(GST)=500 kΩ)时的读出正确率仍可达98.8%.     

新型低功耗QSBDI红外读出电路设计

提出了一种新型红外读出电路的像素结构--四像素共用BDI结构(Quad-Share Buffered Direct-Injection: QSBDI).在这种电路结构中,4个相邻的像素共用一个反馈放大器.在开关的控制下,像素可以实现积分然后读出(ITR)和积分同时读出(IWR)功能.在30 μm×30 μm的像素面积中,实现了略大于0.9 pF的电容和4.2 pC的电荷存储能力,平均功耗只有500 nW.在实现低功耗的同时,该结构使像素级的固定模式噪声(FPN)只来源于局部的失配,与整个像素阵列的失配无关,从而使得这种像素结构非常适用于大规模2-D 读出电路(Readout IC:ROIC).后续的版图设计以及后仿真也表明这种像素结构是一种非常实用的像素结构.基于该结构的128×128的测试芯片已经设计完成,将在0.5 μm工艺下进行流片测试.     

请注意改正"见图×所示"这类错误

在一些科技书刊中,经常可以看到这样的行文:“……见图×所示”“……见表×所示”等。这种句子是不对的,因为它把“如图(表)×所示”和“见图(表)×”这2种说法(或说这2种结构)套在了一起,造成结构混乱。修改的方法委有简单:选用一种结构即可,如说成“见图(表)×”,或者说成“     

假缝设置间距对道床板裂缝性能的影响

为实现假缝设置对道床板裂缝发育的有序引导及其裂缝性能的控制,针对假缝设置间距对相邻假缝间轨道力学状态和假缝处裂缝性能的影响展开研究。基于理论推导建立假缝设置间距与假缝处裂缝宽度和钢筋应力的数学关系,结合现场试验验证,提出假缝设置间距计算方法,并分析其适用环境及应用建议。研究结果表明:假缝处裂缝宽度和钢筋应力均随着假缝设置间距减小而降低,在温降不大于25°C的一般温度环境地区,1.0～6.0 m范围内的假缝设置间距降低50%,对应的裂缝宽度和钢筋应力将分别降低约50%和28%;改变假缝设置间距可以灵活控制裂缝宽度,但对于降低钢筋应力的能力却存在上限;线路所处地区的温降越大,满足其裂缝宽度控制要求的假缝设置间距上限越小,对应的钢筋应力下限越高;此外,道床板设置假缝时,其上层钢筋的断开对裂缝性能影响较小。     

纵场式片状铁氧体相移器

本文叙述了三厘米纵场式片状铁氧体相移器的微扰理论和一些实验结果。实验所用的材料是Mg-Mn型鉄氧体。铁氧体两端加上介质头,以使阻抗匹配。我们测量了:(1)这一单片在波导中不同位置时,相移和磁化电流之间的关系;(2)当这单片紧靠波导窄壁或宽壁时,相移和单片厚度之阴的关系;(3)当单片靠窄壁时,相移和频率、温度及波导宽度a的关系;(4)当单片靠窄壁并加介质片时,相移和介厚片厚度之间的关系;(5)当单片靠窄壁,同时缩小波导宽度a和加介质片时,相移和磁化电流之间的关系。实验结果指出:一根长71.50毫米,高8.10毫米,厚1.55毫米,靠窄壁的鉄氧体片,在某一磁场下,相移为0.8度/厘米。加上厚为2.55毫米的云母片后,相移为4.2度/厘米,较不加时增加五倍多。如果再将波导宽度a缩小为17毫米,则相移为5.6度/厘米,较原先增加了七倍。铁氧体片靠壁后,插入损耗降低,散热能力提高,估计可以提高功率承受能力。     

位置不同,读法有别

今天的数学课上,惠老师出了一道思考题:用两个0,两个5和小数点"·",组成符合要求的小数(末尾不是0)。(1)读出两个"零"的小数。(2)读出一个"零"的小数。(3)一个"零"都不读的小数。这道题目可真有意思,同学们你一言我一语地讨论起来。乐乐:"既然要读出两个零,我们就把两个0全部放在小数部分,由于小数的末尾不能是0,所以,符合要求的小数只有一个:5.005,读作:五点零零五。"     

U75V 60kg/m重轨欠速冷却后的组织及性能

U75V 60kg/m重轨试样加热至900℃,模拟重轨万能轧制成品道次出口温度;随后,空冷25 s,模拟重轨从成品道次出口至冷床的温降;最后,将试样放入喷风通道对轨头表面和两个侧面进行欠速冷却.通过实验获得了U75V 60kg/m重轨最佳冷却工艺参数:喷嘴离轨头表面距离15mm,喷风压力0.26MPa,喷风时间80 s,风温28℃.在此欠速冷却条件下,轨头硬化层为对称帽形,轨头中心部位硬化层厚度大于24mm;组织为细珠光体,其平均片层间距比冷却前减小约50 nm;在轨头上圆角部位强度大于1 300 MPa,延伸率大于13%,分别比冷却前提高20%和60%以上.     

平板式SOFC封接的实验研究

为了解决平板式固体氧化物燃料电池(planar SOFC)的密封问题,在大气中采用Ag-8CuO+2YSZ新型复合钎料对平板式SOFC单电池进行了封接实验,研究了YSZ((Y2O3)0 08(ZrO2)0 92)陶瓷颗粒的加入对钎缝显微组织的影响,通过多次热循环实验,以及单电池开路电压的测试对钎焊质量进行了评价.结果表明:YSZ与Ag-CuO组织结合紧密,陶瓷颗粒均匀分布在钎料基体中,有利于改善接头性能,降低接头的热膨胀不均匀性,抑制钎缝内孔洞的生成.经过15次热循环实验(200～750 ℃),单电池的开路电压稳定在1 02～1 09 V之间,证明该钎料适用于750 ℃工作的平板式SOFC的密封.     

皮鞋擦油抛亮器

该实用新型由刷头和刷体组成。如图2所示:(4)后盖、(5)弹簧、(6)电池、(7)外壳、(8)隔板、(9)微电机、(10)刷头、(11)(13)刷毛、(12)电机轴。刷头部分横截面图1所示,开有椭圆形孔,与电机轴配合,与孔中心线垂直并相贯的另一孔内装有钢珠(1),利用孔内弹簧(2)用螺钉(3)压紧在电机轴端部线形凹槽上,将刷头、刷体可靠地联接为一体。如改变鞋油颜色可方便地调换刷头。动力用干电池或外接电源。使用时微电机带动刷头旋转,刷毛(11)即可将挤在皮