支持逻辑电路辅助计算的相变存储系统设计

设计了一种支持逻辑电路辅助计算的相变存储系统,将计算密集型任务卸载至基于逻辑电路的相变存储器(PCM)中,以解决由于大量数据迁移而造成的传输瓶颈问题;同时,利用逻辑电路的并行执行能力来实现对数据的高效处理,并利用PCM的独特优势来提高系统的整体性能.结果表明,所提出的相变存储系统比传统的数据处理方式的性能更佳.     

纳米相变存储技术研究进展

相变存储技术是纳电子器件发展的主流技术之一,利用其电脉冲操作下的纳秒级的可逆相变过程制备的相变存储器（PCRAM）,在嵌入式与大容量存储方面有巨大的商用价值与应用前景,已成为国际大公司开发的热点,PCRAM芯片容量与技术以超常规的速度发展,同时,针对纳米尺度的可逆相变机理、纳米尺度可逆相变的有效控制、低功耗的器件结构、已成为国际上科研界的研究热点,本文对上述情况进行综述,进一步给出我国的PCRAM的研究现状、工业基础、合作状况与展望。     

一种基于相变存储器的高速读出电路设计

通过对相变存储器中的读出电路进行改进,以提升存储器的读出速度;通过降低读出电路中灵敏放大器输出端电压摆幅,使得输出端电压提早到达交点,显著减小了读出时间;同时,基于中芯国际集成电路制造有限公司(SMIC)40 nm的互补金属氧化物半导体(CMOS)芯片制造工艺,利用8 Mb相变存储器芯片对改进的新型高速读出电路进行验证,并对新型电路的数据读出正确性进行仿真分析.结果表明:在读Set态相变电阻(执行Set操作后的低电阻)时,新型电路与传统读出电路的读出时间均小于1 ns;在读Reset态相变电阻(执行Reset操作后的高电阻)时,新型电路相比传统读出电路的读出速度提高了35.0%以上.同时,采用蒙特卡洛仿真方法所得Reset态相变电阻的读出结果表明:在最坏的情况下,相比传统读出电路的读出时间(111 ns),新型电路的读出时间仅为58 ns;新型电路在最低Reset态相变电阻(R_(GST)=500 kΩ)时的读出正确率仍可达98.8%.     

一个计算象差的智能软件包

所介绍的软件系用人工智能语言（ＡＲＩＴＹ／ＰＲＯＬＯＧ）编程，可在微机上自动推导象差系数表达式的软件。文中以环形电场的象差计算为例给出了计算结果，以示软件的实际应用。     

计算机辅助推导非均匀扇形磁场的四阶象差系数

本文从理论上推出非均匀扇形磁场的四阶轨迹方程，通过符号运算和逻辑推理计算机自动设立待定解推出四阶的Ｇ一Ｓ关系，手工反解出四阶的Ｓ一Ｇ规则，本文结果为进一步计算出四阶离子轨迹及其斜率奠定了基础。     

带轻载变频模式的升压式DC-DC转换器设计

分析了传统升压式DC-DC转换器在全负载范围内实现高电源转换效率的局限性,在此基础上,提出了一种轻载检测和自适应变频机制.该技术无需额外的芯片管脚和器件,即能使转换器在电感电流断续模式下精确检测出负载状况.将所设计的升压式DC-DC转换器在CZ6H0.35μm标准CMOS工艺条件下进行仿真.结果表明,当负载电流发生变化时,转换器能够根据负载检测值的大小自适应地进行跳频变换.在负载电流为1mA的条件下,电源转换效率达到82%.系统环路能够在全负载范围内保持良好的稳定性,当负载电流以1.5μA/20μs跳变时,最大下冲和上冲电压分别为300和200mV,恢复时间分别只需80和60μs,版图面积约为1.26mm2.     

离子光学系统求解象差系数四阶的S—G关系

本文是文献［１］的后续部分．本文将进一步给出求解Ｇ—Ｓ关系的计算机实现过程和手工反解得到的四阶Ｓ—Ｇ规则，从而为计算四阶离子轨迹及其斜率奠定基础．     

计算机辅助推导环形电场轴向三阶象差系数

利用计算机推导出环形电场轴向所有三阶象差系数具体解析表达式，所有软件色均用人工智能语言Ａｒｉｔｙ－Ｐｒｏｌｏｇ编制，并简要地介绍了该软件包推导象差系数的过程，所得结果可直接应用于工程设计和计算。     

动力氢镍电池循环寿命仿真方法研究

研究动力氢镍电池循环寿命仿真问题,针对目前动力系统仿真中电池模型不考虑循环寿命的缺陷,为提高电池循环性能仿真精度,提出了动态更新模型参数进行电池寿命仿真的方法。以Olivier-Louis电池模型为基础,提取出7 A.h氢镍电池的模型参数,并在Simulink平台上对模型进行了仿真验证。结果表明,该模型充放电电压的误差在5%以内;然后结合已有的高温循环寿命测试数据对电池循环放电性能进行了仿真,得到了放电电压误差不超过0.6%的结果;用另一种电池的常温测试数据进行充电仿真,充电电压误差小于4%。这些结果表明电池寿命仿真方法具有可行性,有望进一步应用于电池组的循环寿命仿真。