反应烧结碳化硅的显微组织

对不同生坯进行硅化处理后得到的反应烧结碳化硅的显微组织进行了研究。结果表明：选用α－ＳｉＣ＋Ｃ粉的混合物作为生坯，ＳｉＣ相的体积分数随生坯中ｗＣ的增加而增加，但过大的ＷＣ将使硅化后的试样出现残碳；选用碳毡作为毛坯，反应烧结碳化硅的显微组织特点是Ｃ／ＳｉＣ反应生成的碳化硅颗粒均匀细小，并呈线状分布在游离硅中，浸渍过树脂的碳毡硅化处理后的显微组织特点是反应生成的碳化硅颗粒粗大呈不均匀分布。Ｘ射线衍射结     

中硅耐热铸铁中碳硫的分析及研究

对中硅耐热铸铁中碳硫含量进行了分析及研究,并对坩埚的选择与保存、助熔剂的选择、分析时间的设定及试样的称量都作了较详细的研究,这是一种利用红外碳硫仪及坩埚测定中硅耐热铸铁中碳硫含量的一种快速灵敏的方法。通过试验获得了最佳的分析条件,测碳硫的RSD<1%,结果令人满意。     

碳/碳复合材料的渗硅抗氧化复盖层

在碳/碳复合材料上渗硅可得到碳化硅复盖层。对不同渗硅温度和时间下得到的碳化硅层进行破坏性试验。实验指出,有碳化硅复盖层保护下的碳/碳复合材料,其抗氧化性能提高约2个数量级。     

铝酸钠溶液碳分母液深度碳分制备片钠铝石

对铝酸钠溶液碳酸化分解制备冶金级氢氧化铝后所得碳分母液进行深度碳分制备片钠铝石纤维,研究深度碳分过程中铝和硅的析出行为;通过FTIR,XRD和SEM等分析手段,研究深度碳分所得最终产物物相及其形貌的主要影响因素。研究结果表明:在深度碳分过程中,溶液中铝的析出存在一临界pH,即随着CO_2气体的通入,当溶液pH降低到11.8以下时,溶液中铝迅速析出;溶液中硅的析出趋势与铝的析出趋势基本相同;控制深度碳分终点pH为10.5左右,所得最终产物均为片钠铝石;随着深度碳分温度升高,最终产物由颗粒状向纤维状转变;随着初始Al_2O_3质量浓度的增加,所得片钠铝石纤维的直径变小,长径比增大,且其均匀性提高。     

半羟化的碳化硅片的第一性原理研究

通过密度泛函理论,研究了碳化硅片被羟化时的电磁特性.所研究的碳化硅片为六角蜂窝状结构,碳硅原子之比为1∶1,相间排列.由于碳化硅片中含碳、硅两种元素;为此,分别考虑了全部的碳原子以及全部的硅原子分别被羟化的情形,结果发现了丰富的电磁特性.由于羟基对羟化原子的吸引作用,碳硅原子出现分层,对应于碳、硅原子被羟化时的碳硅层间距分别为0.671、0.390,碳硅键长度也分别伸长为1.904、1.861,而对应的键角C-O-H与Si-O-H分别为107.8°、114.1°,表现了新奇的几何结构特点.由形成能计算发现羟化是放热的,说明此过程易实现.为寻找到最稳定的磁状态,分别考察了铁磁、反铁磁以及非磁三种构型,结果发现,当所有碳原子被羟化时,材料为非磁性的正常金属;而当其中所有的硅原子被羟化时,是直接带隙为1.12 eV的反铁磁半导体.其中,硅被羟化时的结构更稳定.这些说明通过调节碳化硅片中羟化的不同位置,可以有效地调节碳化硅片的电磁特性,预示着在未来的纳米功能材料中可能的应用.     

土壤中有机质含量测定方法研究

通过对土壤中有机质含量测定方法要点消解温度、消解时间、试液酸度的研究,得出在测定土壤中有机质含量时,试样消解温度、试样消解时间、试样消解酸度对试样测定结果影响较大,影响顺序为试样消解温度试样消解时间试样消解酸度;若消解温度控制在170～180℃、试样酸度约为9.2 mol/L、消解时间≥5 min时,试样中的有机碳将全部被氧化,测定结果稳定可靠.     

中空碳化硅微球的制备及其在催化NaBH_4制氢中的应用

首先利用酵母菌为模板合成空心的椭球状二氧化硅,以它为硅源和模板,将作为碳源的酚醛树脂包覆在二氧化硅表面,经过碳热还原反应制备出中空碳化硅微球。利用X射线衍射(XRD)、氮气吸脱附(BET)、扫描电镜(SEM)和傅里叶变换红外(FT-IR)等测试手段对产物进行组分、形貌和结构表征,同时考察了反应温度、碳与硅物质的量之比(nC/nSi)对产物比表面积的影响,并对产物形成机理进行了探讨。然后以SiC作载体制备了Ru/SiC催化剂,实验表明该催化剂用于硼氢化钠水解制氢反应时具有较好的催化活性,最大产氢速率可达2 280mL/(g·min)。     

添加元素对反应烧结碳化硅导电特性的影响

研究了Ni、Mo和Al元素对反应烧结碳化硅导电特性的影响．试样通过室温、高温电阻率的测定和显微组织分析，可知在室温与高温下，加入Ni、Mo和Al均可明显降低反应烧结碳化硅的电阻率，随着Ni、Mo和Al加入量的增加，碳化硅的室温电阻率也下降．其中，Ni、Mo对反应烧结碳化硅电阻率的影响比Al大．在烧结过程中，Ni、Mo分别与液态Si反应，并在碳化硅粒子界面处生成Ni     

油品中碳、氢含量测定方法的研究

作者提出了油品中碳、氢含量的测定方法，用标准有机试剂检验了该方法的准确性，并用该方法测定了两种油品试样的碳、氢含量     

臭氧氧化苊及其中间产物特征分析

为考察生化法代替部分臭氧氧化的可能,研究了苊这种分子中含有饱和C-C键的典型性多环芳烃的臭氧氧化过程。使用液相色谱和紫外光谱观察了氧化过程和中间产物的变化,测定了中间产物水溶液的总有机碳浓度(TOC)和中间产物对活性污泥氧吸收速率(OUR)的影响。结果表明,苊被臭氧降解的同时将有中间产物生成;臭氧可以与中间产物继续反应,但过量的臭氧未实现对有机物的矿化;臭氧氧化改善了苊的可生化性。臭氧不完全氧化结合生物降解,有望成为兼顾经济性与效率的处理废水中苊的方法。     

采用聚硅碳硅烷与乙酰丙酮铝合成聚铝碳硅烷的机理

聚铝碳硅烷是耐超高温Si-Al-C纤维的先驱体. 为了制备合适的先驱体,采用聚硅碳硅烷与乙酰丙酮铝反应合成聚铝碳硅烷,并对其反应机理进行了详细的研究. 其中聚硅碳硅烷是含有Si-Si-Si和Si-C-Si的低聚物. 通过在反应过程中从反应体系中抽取样品,并采用FTIR、GPC、1H-NMR、27Al-NMR和紫外可见光谱对反应过程进行追踪分析. 结果表明:反应过程中存在Si-Si-Si向Si-C-Si转化的Kumada重排反应;乙酰丙酮铝的交联作用使得聚铝碳硅烷的相对分子质量和支化度大大提高,乙酰丙酮铝的反应主要发生在330 ℃以下和400 ℃以上,反应产物中Al以Si-O-Al结构存在.     

浅淡热力设备水汽样品中活性硅测定的误差来源

主要介绍水汽样品中活性硅测定结果在电厂热力系统热力设备运行中的重要性。从活性硅测定方法原理和测定操作步骤等方面详细分析了在利用钼蓝比色法测定水汽样品中活性硅时，在测定过程中误差的来源以及在测定过程中注意事项，提高活性硅测定结果的准确度，更好为指导电厂热力设备安全、经济、稳定地运行提供可靠数据。     

氮气中C-Si系材料的高温变化过程

以9组不同配料比的炭黑和单质硅为原料压制成试样, 在氮气气氛下,分别于1350,1400,1450,1500,1550℃下烧结,获得5个不同温度点合成样品: 采用XRD分析技术研究试样的物相演变过程, 研究C-Si系原料在氮气气氛合成过程中的物相变化和反应动力学机制.试验结果表明:试样在氮气气氛下合成,最终物相为SiC,α-Si3N4和β-Si3N4,硅含量高时还存在Si2N2O相,石英相和方石英相作为中间产物出现:氮化硅不仅可由单质硅氮化生成,还可由SiO2,Si2N2O与C还原氮化生成,α-Si3N4先于β-Si3N4生成,且温度升高会向β相转化,温度高于1500℃时,Si3N4会与残余的C反应生成SiC:合成温度和配料比是影响C-Si系原料合成产物的重要动力学因素.     

基于透射光谱确定硅碳氧薄膜的光学常数

硅碳氧薄膜是一种含有Si、C和O三种元素的玻璃状化合物材料,同时拥有碳化硅薄膜及氧化硅薄膜多种优异的特性,如热稳定性好、能带宽、折射率大、硬度高和热导率高等,是一种具有潜在应用价值的新颖光学薄膜.基于硅碳氧薄膜的紫外/可见/近红外透射光谱,采用Swanepoel极值包络线法,结合WDD色散模型,建立了一套精确、方便并适合于计算硅碳氧薄膜光学常数的方法.方便地获得了硅碳氧薄膜折射率、厚度等光学常数.并将厚度计算结果与实际测量值进行了比较.结果表明,试验中研究硅碳氧薄膜光学常数所采用的方法是合理的,能够准确地获得硅碳氧薄膜的折射率及厚度等光学常数.     

电致发热SiC多孔陶瓷导电性能研究

研究了Al，B和Zr元素对电致发热多孔碳化硅陶瓷导电性的影响。室温电阻率测定表明，加入Al，B和Zr都可显著降低电致发热多孔碳化硅陶瓷的电阻率，随着Al，B和Zr加入量的增加，试样的室温电阻率下降。讨论了Al，B和Zr在碳化硅中的存在形式，并分析了试样的导电机理。     

温压-原位反应法制备C/C-SiC材料过程中裂纹的形成机制

以短切炭纤维、石墨粉、硅粉、树脂和粘结剂为原料,采用温压一原位反应法制备C／C-SiC制动材料,研究C／C-SiC制动材料裂纹的形成机制。研究结果表明：树脂炭化裂解产生大量的气体产物,一部分气体产物碰到裂纹壁时受阻凝聚成含C,P,O和H等元素或自由基团的液滴,炭化后液滴转变成直径为2-4μm的高含碳量碳球;另一部分气体产物沿着裂纹试图从试样中排出,当裂纹为封闭状态时便促使微裂纹向前扩展,直至材料开裂;在高温热处理过程中,硅粉熔化后与就近碳源反应生成连续的网络状SiC基体,它对裂纹的扩展有一定的抑制作用,并能愈合试样中的微裂纹。     

利用V_2O_5制备氮化钒铁的反应过程及动力学研究

采用TG-DSC技术对V_2O_5直接制备氮化钒铁的反应过程进行研究,并采用Coats-Redfern积分法对相关反应的动力学参数进行计算。研究结果表明:碳还原V_2O_5的反应在670℃左右开始显著发生,随温度升高,反应速度加快。在1 000℃以上时,碳化反应开始进行,在1 200℃左右,氮化反应可以显著发生,试样中可检测到氮化产物。在1 150～1 350℃反应的活化能要比970～1 100℃时的高,说明随着反应的进行,生成的碳化钒铁和氮化钒铁产物产生了一定的包覆作用,扩散过程阻碍了反应的进一步进行。高温还原氮化后的试样,碳、氮元素在四周分布密集,而在中间区域分布较少,这也印证了碳化产物和氮化产物存在着明显包覆作用的推论。     

短SiC纤维增强玻璃陶瓷氧化行为的研究

文章研究了单向短切碳化硅纤维增强玻璃陶瓷复合材料的氧化行为。结果表明：复合材料氧化过程中氧的扩散与复合材料中气孔或纤维基体热匹配微裂纹有关,早期氧化造成碳化硅纤维－基体界面富碳层消失和非晶态ＳｉＯ２的形成,非晶态ＳｉＯ２向玻璃陶瓷基体的扩散形成纤维－基体的强结合,导致复合材料整体脆化,强度降低２。     

碳还原粉煤灰制备SiC/Al2 O3系复合材料

在氩气气氛下,以粉煤灰为原料,石墨为还原剂,研究碳还原粉煤灰制备SiC/Al2 O3系复合材料的反应过程,并探索其制备的工艺条件.利用X射线衍射分析还原产物的物相变化规律,使用扫描电镜和能谱仪观察复合材料的微观结构.结果表明：在1673 K粉煤灰中石英相与碳反应生碳化硅,1773 K莫来石相基本分解完全.随着反应温度的升高,生成碳化硅和氧化铝含量增加,较合适的温度条件为1773~1873 K;保温时间的延长,有利于碳化硅和氧化铝的生成,较好的保温时间为3~4 h;增加配碳量对碳化硅和氧化铝的生成有促进作用,较合适的C/Si摩尔比为4~5.在制备出的SiC/Al2 O3复合材料中碳化硅在产物中分散较为均匀,并且粒度小于20μm.     

稀土镁硅铁合金中稀土总量、硅、镁的联合测定

针对球墨铸铁生产中的球化剂———稀土镁硅铁合金中的稀土总量、硅、镁含量的测定,提出了1种经济简便、快速准确的测定方法,传统测量方法是在铂金皿中加碱熔融试样后,用沉淀重量法测定,其操作不易掌握,且成本高。本法是在塑料烧杯中用硝酸、氢氟酸溶解试样,定容后分取不同体积母液,调节不同pH值,用偶氮氯膦Ⅲ与稀土元素显色、钼酸铵与硅显色、偶氮氯膦Ⅰ与镁显色,利用分光光度计比色,测得其质量分数,其结果具有较好的准确度和精密度,适合在工厂实验室推广应用。