NMR束缚流体体积确定方法及其应用条件

NMR测井不能直接测定束缚流体饱和度(Swir)和束缚总流体(BVI)体积,而是根据T2分布和有效孔隙度(Φe)间接确定。其精度取决于解释T2分布所选用的方法及其相关参数。NMR测井确定BVI方法有T2截止值方法,频谱BVI(简称SBVI)方法和BVI加权函数方法。     

MgO及其它矿物质的体积弹性模量和剪切模量与温度间关系研究

通过假设泊松比率和无量纲参量在温度T高于德拜温度时与温度无关，推导出了体积弹性模量BT（T）和剪切模量G（T）与温度T之间的关系。将推得的关系式应用于计算8种矿物质的BT和G，所得结果与实验值符合得很好。     

大体积混凝土墙水化放热温度场分析

为有效进行大体积混凝土施工温度控制，对大体积混凝土施工过程中温度场分布规律进行研究．针对混凝土水化放热过程中内热源随时间变化的问题，采用杜哈美尔定理推导出第三类边界条件下大体积混凝土墙水化放热温度场的解析解．由大体积混凝土墙水化放热温度场解析解可知，混凝土水化放热过程中，混凝土内某一点温度随时间增加先增大后减小，且温度变化近似符合指数函数之和；某一时刻混凝土内温度从核心到表面逐渐降低，且温度分布近似符合三角函数．结合解析解与数值分析方法研究发现，随着混凝土厚度、入模温度、混凝土绝热温升和单方胶凝材料对应系数的增大，混凝土养护阶段核心最高温度升高，导致混凝土里表温差增大；随着表面传热系数增加，混凝土养护阶段核心最高温度和表面温度降低，但是混凝土里表温差增大．混凝土内最大自约束应力正比于里表温差，因此通过分层浇筑、降低混凝土的入模温度、减小混凝土表面传热系数、降低混凝土绝热温升值和单方胶凝材料对应系数等方式可以减小混凝土内最大自约束应力，降低大体积混凝土开裂风险．     

多孔物料干燥中物料体积的收缩特性

以生姜、胡萝卜、土豆和香蕉为实验材料，引入体积收缩系数和各向同性率的概念，研究了多孔物料干燥过程中的体积收缩特性，分析了脱水量与物料收缩率之间的关系，并探讨了干燥介质温度和相对湿度对收缩特性的影响．结果表明，干燥强度越大则物料的体积收缩率越大，且多孔物料的微观结构也对收缩特性有着重要的影响．最后通过无量纲化方法建立了考虑收缩特性的土豆-水分扩散模型，实验数据与模拟结果趋于一致．     

线型聚酯的结构对介电损耗及体积电阻的影响

本文研究了八种聚酯的介电损耗角正切(tgδ)、体积电阻率(ρv)与结构的关系,实验证明;①链的柔顺性增加,介电损耗峰温度(t 极大)降低,结晶程度影响很小;②tgδ的大小依赖于链节中偶极基团浓度和不对称性的增加;③晶态的聚酯和非结晶性聚酯不同,在1gρv-1/T 关系中,T_m 附近有一拐折点.     

温湿度变化对室内甲醛体积分数影响的实验研究

甲醛是影响人体健康的室内主要污染物之一，正确测量室内甲醛体积分数很重要。室内甲醛体积分数在很大程度上受室内温度和湿度的影响。实验结果表明．甲醛体积分数单独受温度或相对湿度影响时，呈指数上升的趋势。当温湿度同时变化时，甲醛体积分数受温度的影响要大些。实验结果不但可为甲醛体积分数的测量提供参考，而且为了有效降低室内甲醛体积分数，可考虑在人体热舒适范围保持较低的室内温度和相对湿度。     

广义逆A(2)T,S的体积

研究了广义逆A（T,S）^（2）是的体积，在不必首先计算出广义逆A（T,S）^（2）的前提下，导出了广义逆A（T,S）^（2）的体积表示，推广了文献[3]中的结果．由此分别给出了A的加权Moore-Penrose逆，Drazin逆Ad及群逆Ag的体积表示式．     

T001萃取除铁工艺研究

采用自制的萃取剂T001进行深度除铁研究．探讨了Fe3+质量浓度、HCl浓度、T001体积分数、相比、温度等 因素对萃取过程的影响．同时,从界面吸附角度对萃取过程作出了初步的解释．根据实验,得出了T001萃取除铁的最 佳工艺参数为:Fe3+质量浓度为8 g／L左右、水相酸度c(HCl)为5 mol／L、T001体积分数30％、相比1 : 1、温度为室 温．     

正负极性CMT铝焊丝熔滴体积增长量分析

为了定量研究铝焊丝在正负极性冷金属过渡时熔滴体积的变化情况，搭建了VPCMT熔滴过渡图像及电信号采集平台．利用数字图像处理技术，对拍摄得到的熔滴过渡图像进行处理，得到了仅包含焊丝、熔滴轮廓的二值图像．结合焊丝直径与熔滴径向尺寸之间的关系特征，将熔滴与焊丝之间“固-液”分界面的判定分为焊丝直径大于、等于、小于熔滴径向尺寸3种情况进行讨论，提出了判别熔滴与焊丝之间“固-液”分界面的具体方法．首先基于此方法得到了不同工艺参数下，铝焊丝在燃弧阶段不同时刻的瞬时熔滴体积．依据燃弧阶段末期与燃弧阶段初期的熔滴体积，计算得到了不同极性下的熔滴体积增长量．发现在相同的工艺参数下，焊丝极性接负(EN)阶段的熔滴体积增长量明显大于焊丝极性接正(EP)阶段．之后给出了燃弧阶段输入功与熔滴体积增长量之比(W/ΔV)参量，并定量对比了在不同的工艺参数下，EP和EN阶段的W/ΔV变化．结果表明，熔化相同体积的铝焊丝，EP阶段所需要的燃弧阶段输入功约为EN阶段的2.2倍．最后结合焊丝作为阴(阳)极时的产热以及电弧在EN阶段沿焊丝产生“上爬”现象对上述结果进行了解释．该研究为后续精确控制溶滴尺寸，进而控制焊缝成形提供...     

体积效应对k介子HBT关联函数的影响

对于不同尺寸的源,体积效应会对π介子产生影响.对于较小的源,体积效应会导致归一化参数明显减小,HBT半径减小,归一化参数也会减小,体积效应对于HBT半径和混沌参量的影响是非常小的.同时,体积效应也会对k介子关联函数产生影响.分别讨论了在小的粒子对横动量区域(0.15＜KT＜0.25)以及大的粒子对横动量区域(0.35＜KT＜0.45),体积效应对关联函数的影响.结果发现,当没有考虑体积效应时,随着动量q的增加,关联函数C(q)逐渐减小,趋近于1;考虑了体积效应的影响,随着动量q的增加,关联函数C(q)逐渐减小,趋近于1,且小于1;同时讨论了随着截断时间的增加,这种趋势变得更加明显,截断时间越大,关联函数小于1就出现的越早,这与实验观测结果相吻合.     

MgO等矿物质的弹性系数与温度间的关系研究

本文研究了体积弹性模量、剪切模量、二级弹性模量与温度间的函数关系.Bs(T) 和 G(T)的关系式是在假设两个Anderson-Grüneisen参数δS和δT及对应于剪切模量的无量纲参数g在温度高于德拜温度θD时它们与温度无关的基础上推导给出.将它们的关系式推广应用于二级弹性模量.由以上关系式对MgO等矿物质计算得到的结果与相应的实验数据进行了比较,它们与实验数据符合得很好,这说明本文的研究方法是正确的.     

纯钛BT1-0低周疲劳损伤机理的研究

在室温拉-扭载荷下研究了纯钛BT1-0低周疲劳循环变形的宏观特性,结果显示材料的循环变形行为与应变幅值有关,遵循Coffin-Manson关系.通过透射电镜观察了在低周疲劳过程中位错组态,TEM观察表明:材料在比例载荷的损伤变形为滑移位错;在非比例载荷形成了孪晶结构,孪晶形态和尺寸与相位角相关.分析了该材料在低周疲劳损伤的微观行为.     

Monsoonal oscillation revealed by the upper-troposphere water vapor band brightness temperature

The measurements of brightness temperature (BT) from the upper-troposphere water vapor channel 12 of the National Oceanic and Atmospheric Administration polar satellites from 1979 through 1995 are used to analyze the interannual variations of the global monsoon strength. Results show that in the interannual time-sclae the BT variability in the equatorial eastern Pacific (EEP) is out of phase with the BT variabilities in other four regions, i. e. South Asia, tropical south American, two subtropical areas in the South and North Pacific. The BT interannual variation mode may be called monsoonal oscillation (MO). The MO is the result of the atmospheric circulation anomaly in the troposphere.     

Shah-Shingh定理的推广

shah和shingh曾导出了具有满亏量和的亚纯函数的特征函数与其导函数的特征函数之间的一些关系。本文主要是对代数体函数建立类似的关系。     

n维理想玻色气体的内能和热容量

给出了Ｔ〉Ｔｃ和Ｔ〈ＴＣ情况下不同能谱的ｎ维简交理想玻色气体的内能及热容量的普遍表达式，应用于三维极端相对论理想玻色气体时则在Ｔ－ＴＣ处热容量ＣＶ出现跃变，这与通常玻色气体的ＣＶ在ＴＣ处连续的结果不同。     

THE RANKS OF L-FUZZY REGULAR MATRICES AND INVERTIBLE MATRICES

L表示有最小元(记为0)与最大元(记为1)的分配格,对于L上的矩阵给出了保持Schein秩不变的前提下的一种化简方法,并给出矩阵的Schein秩为1的条件.对于L上的正则矩阵,证明了它的行秩、列秩与Schein秩三者相等;对于L上的可逆方阵,证明了它是满秩的.     

关于代数体函数的亏量

设u(z)为γ值ρ(0<ρ<∞)级代数体函数,T(r,u)为其特征函数,ρ(r)为关于T(r,u)的邻近级,定义δp(r)(a)=li mr→∞mm(r,a)rρ(r)为u(z)的亏量.本文讨论了相应于代数体函数的亏量问题,并获得一些重要结果.     

由硫醇分子组成的三元混合膜表面及电子传递性质的研究

采用共吸附法制备了两种三元混合膜,并通过扫描隧道显微镜（STM）、导电原子力（C-AFM）等技术对混合膜表面结构及电子传递性质进行了研究.三元混合膜一种由戊硫醇（C5T）、癸硫醇（C10T）和十六烷基硫醇（C16T）组成,另一种由C5T,C10T和连噻吩二硫醇（BT）组成.在烷基硫醇混合膜中,C10T和C16T插入C5T形成的基底中,且二者出现在组装膜的缺陷处或畴界处,3种分子的导电能力为C5T〉C10T〉C16T.在含BT的混合膜中,BT出现在组装膜的内部,C10T则出现在组装膜的缺陷处以及BT分子周围,3种分子的导电能力为BT〉C5T〉C10T.两种三元混合膜均产生相分离现象,降低组装液中成膜分子的浓度后,相分离的现象有所减轻.由此,可通过调节成膜分子的种类及其在组装液中的浓度,控制其在膜中的含量和表面结构,从而为电子传递提供3种可选择的通路.     

Room-temperature ferroelectricity in strained SrTiO3

Systems with a ferroelectric to paraelectric transition in the vicinity of room temperature are useful for devices. Adjusting the ferroelectric transition temperature (T(c)) is traditionally accomplished by chemical substitution-as in Ba(x)Sr(1-x)TiO(3), the material widely investigated for microwave devices in which the dielectric constant (epsilon(r)) at GHz frequencies is tuned by applying a quasi-static electric field. Heterogeneity associated with chemical substitution in such films, however, can broaden this phase transition by hundreds of degrees, which is detrimental to tunability and microwave device performance. An alternative way to adjust T(c) in ferroelectric films is strain. Here we show that epitaxial strain from a newly developed substrate can be harnessed to increase T(c) by hundreds of degrees and produce room-temperature ferroelectricity in strontium titanate, a material that is not normally ferroelectric at any temperature. This strain-induced enhancement in T(c) is the largest ever reported. Spatially resolved images of the local polarization state reveal a uniformity that far exceeds films tailored by chemical substitution. The high epsilon(r) at room temperature in these films (nearly 7,000 at 10 GHz) and its sharp dependence on electric field are promising for device applications.