A3钢基体磁控溅射离子镀铝膜的物相分析

本文应用 Ｘ射线衍射分析和电子衍射分析研究了Ａ３钢基体磁控溅射离子镀铝 膜的相组成，结果表明，膜的相组成主要是基板负偏压所决定的。文中论述了正离子 对基板的溅射作用所引起的靶材原子和基板（基体）原子在基板上共同沉积的成膜机 理。     

磁控溅射离子镀膜组织与相结构的电镜研究

本文主要应用JEM-100CXⅡ型透射电镜研究了在Ｃ-u基材上磁控溅射离子镀Ａl及ＣｒＮｉ不锈钢时的沉积层组织与相结构。研究发现; 在一系列沉积工艺条件下，Ｃｕ基镀 ＣｒＮｉ不锈钢时，其涂层结构只含一种 Ｆｅ基 α相;镀 Ａl时，随基板偏压升高,可获得一系列新合金相，如；Al,AlCu,Al-2Cu-3,Al-4Cu-9,ＡlＣｕ-3，ＡlＣｕ-4，ａＣｕ等。这些结果将为进一步探索这类涂层的形成机理提供必要的理论与实验根据。     

基片负偏压对PEMSIP法TiN涂层的影响

应用Ｘ射线衍射分析研究了基片负偏压对ＰＥＭＳＩＰ法ＴｉＮ涂层相组成的影响；结果表明，随着基片负偏压增加，膜层相组成朝着富氮相及其含量增加的方向发展，进而影响膜层的硬度。通过微区化学成分分析（ＥＤＳ）研究了膜基界面附近的成分分布。结果表明，界面处有过渡层；偏压愈高，过渡层愈显著。     

等离子体增强磁控溅射离子镀TiN膜的电镜研究

利用透射电镜研究了铁基体等离子体增强磁控溅射离子镀ＴｉＮ膜的组织和结构。在沉积ＴｉＮ之前先镀一层极薄的钛中间层，继之再沉积ＴｉＮ。研究结果表明：在基体和中间层界面处有ＦｅＴｉ相；在中间层与后继膜的交接处α－Ｔｉ与Ｔｉ２Ｎ有结构匹配关系；靠近中间层的后继膜由Ｔｉ２Ｎ和ＴｉＮ两相组成；而远离中间层的后继膜部分是ＴｉＮ组成的。     

CrN/Cr镀膜改性的H13钢摩擦学性能

为提高AISIH13钢的硬度和耐磨性能,采用多弧离子镀(multi-arc)方法在H13钢表面沉积CrN/Cr双层膜。在600V直流负偏压下对样品表面进行氩离子轰击,随后沉积Cr中间层,采用3种不同的氮气分压,在200V直流负偏压下沉积CrN膜。SRV往复式摩擦磨损实验及表面形貌分析显示,H13钢镀膜样品磨痕深度只有未镀膜样品的1/4,膜层的显微硬度可达HV=1684,高于未镀膜样品的HV=780。膜层的主要相成分是CrN、Cr2N和少量的Cr。     

基体偏压对CrTiAlN镀层摩擦磨损性能的影响

应用闭合场非平衡磁控溅射离子镀技术在高速钢和单晶硅基体上制备了一组随基体偏压变化的CrTiAlN梯度镀层,并测试了其摩擦学性能。结果表明,随偏压的增大,镀层的厚度、硬度、膜基结合强度和耐磨性能表现出先升后降、摩擦系数较低、具有良好的韧性;在-75 V左右偏压下沉积的镀层具有最佳的综合性能。通过XRD、SEM的分析表明,由CrN、TiN、AlN、Cr和Ti2N等微晶组成的复合镀层,晶粒细小,属于纳米级颗粒,从而使镀层具有良好的摩擦学性能。     

射频离子镀氮化钛的实验研究

较系统地研究了射频离子镀氮化钛工艺。分析了各参数之间的制约关系,提出了合理控制工艺参数的方法。研究结果表明,射频离子镀的成膜速度随炉内压力的减小而加快,电子枪功率的加大将提高了离子束电流强度,基板与蒸发源距离的加大将降低成膜速度;粒子的入射角度在 45°—135°为宜。但成膜速度与射频起振器功率、基板的负偏压无关。要想提高离子的密度,必须加大电子枪功率,同时要增大射频的起振动率。     

基板直流偏压对高频溅射Co-Cr膜的影响

本文在国产高频溅射仪上研究了基板直流偏压对Co-Cr溅射膜性能的影响。实验研究表明,溅射膜的M,不仅随Cr含量增加而减小,而且随负偏压的绝对值的增加而减小,在适当的负偏压下,可以得到C轴取向度△θ_(50)和磁性参数的某种最佳值。本文研究了得到这种最佳值的条件,找到了降低饱和磁化强度和改善薄膜性能的新途径。     

偏压对电弧镀TiN薄膜结构和机械性能的影响

采用SA-6T电弧离子镀设备在抛光后的W18Cr4V高速钢表面沉积TiN薄膜,在其他参数不变的情况下,考察偏压对薄膜结构和机械性能的影响.通过扫描电镜观察了TiN薄膜的表面形貌,采用X射线衍射仪对结构进行物相分析,利用XP-2台阶仪测试了薄膜的厚度,并用纳米压痕仪和多功能表面测试仪分别对薄膜的硬度和膜基结合力进行测量.结果表明：随着负偏压的增加,具有面心立方结构的TiN薄膜沿（111）密排面的择优生长明显加强;薄膜厚度（沉积速率）呈现先增大后减小的趋势,在负偏压为100V时达到最大;薄膜综合力学性能在负偏压为200V时达到最佳.     

磁控溅射沉积TiN薄膜工艺优化

磁控溅射TiN薄膜的力学和腐蚀性能与薄膜的结构密切相关,而其结构又取决于薄膜的制备工艺.采用正交实验方法对影响TiN薄膜结构和性能的重要参数如电流、负偏压、氮流量和基体温度等进行优化,以期获得更优的制备工艺条件.实验结果显示,其对TiN薄膜纳米硬度影响由大到小的次序为：基体温度＞负偏压＞电流＞氮流量;对膜/基结合力的影响由大到小的顺序为：基体温度＞氮流量＞电流＞负偏压.综合考虑TiN薄膜的纳米硬度和膜/基结合力,获得的最优方案为：基体温度300℃,电流0.2A,负偏压-85 V,标准状态下氮流量4 mL/min.     

梯度过渡层对TiC薄膜中残余应力影响的研究

用平行光束掠射法（ＧＩＸＤ）测定了磁控溅射ＴｉＣ（Ａｌ基体）膜中的残余应力，比较了不同厚度的梯度过渡层对残余应力的影响。     

高速钢上TiN镀层的硬度和粘附性能

本文利用显微硬度和划痕粘附性测量技术,对采用HCD方法涂镀在高速钢上的TiN镀层的力学性能进行了研究。结果表明,TiN镀层的显微硬度(Hv)、超显微硬度(UMH)和临界载荷(L_c),受基体偏压、氮气分压和镀层厚度的影响,镀层的择优取向强烈地影响着镀层的显微硬度,在一定的值域内,镀层内应力增加,临界载荷下降。 讨论了影响临界载荷的各种因素,确定了制备具有优良力学性能的TiN镀层的工艺参数。     

Fe-B合金化学沉积的影响因素分析

通过化学沉积法制备Fe-B化学镀层,用电化学方法分析了偶接铝、镀液组分和沉积工艺对Fe-B化学沉积行为的影响.结果表明,偶接铝使体系的沉积电位负移,降低了Fe-B合金化学沉积的极化阻力,特别是金属离子还原的极化阻力,从而诱导Fe-B的化学沉积.镀层的沉积速率依赖于镀液组分和沉积工艺.     

化学镀Fe-W-P合金的工艺和镀层的形貌研究

采用铜铝金属偶,在铜基底上利用化学镀的方法制备了Fe-W-P合金镀层.镀液主要组分为硫酸亚铁铵、钨酸钠、次亚磷酸钠和柠檬酸钠等,研究了镀液的组成对化学镀Fe-W-P的结构、形貌和沉积速率的影响.     

玻璃上Ag/ZnO 薄膜的形成过程

扩展一种和玻璃基体结合力高的化学镀铜技术，它在玻璃表面上喷雾覆盖一层醋酸锌，然后热解形成半导体氧化锌薄膜．将此附有氧化锌的玻璃浸渍硝酸银稀溶液，利用光还原法将银离子还原为单质银，并以银为催化剂在附有氧化锌薄膜的玻璃上化学镀铜．文中通过差热-热重分析(TGDTA)、X-射线衍射(XRD)和扫描电境(SEM)表征了上述过程，探讨半导体氧化锌光还原银离子的机理．     

电弧离子镀技术中脉冲偏压对TiN薄膜的影响

用正交设计实验研究了电弧离子镀技术中采用脉冲偏压以后各种参数对沉积TiN薄膜性能的影响.研究表明,与直流偏压相比,直流叠加脉冲偏压能更好地细化颗粒,降低薄膜的表面粗糙度,提高沉积速率.对实验结果的方差分析显示:气氛和频率是降低表面粗糙度、提高沉积速率的主要因素.     

多元Ti(CN)膜的制备和性能研究

为研究多元Ti（CN）膜层，用空心阴极离子镀方法，通入不同比例C2H2和N2反应气体，以研究反应气体流量变化对膜层性能的影响，筛选出C2H2与N2的最佳比例，确定镀膜的最佳工艺参数，并对最佳工艺条件下的膜层进行了硬度和膜基结合力等的测试，用X－衍射仪，电镜，金相显微镜等对膜层的微观组织结构进行了分析，结果表明，镀膜工艺可行，慕支性能优异，膜基结合好，为以后多元膜层的推广使用提供了实验和理论依据。ii     

多弧离子镀TiAlN涂层熔滴工艺参数的影响

综合介绍了多弧离子镀TiAlN涂层熔滴颗粒产生的原因,探讨了N2分压和脉冲偏压对熔滴形成的影响.结果表明,TiAlN涂层中的熔滴颗粒密度和直径随N2分压和脉冲偏压峰值的提高而减小.