掺杂对高导锰锌铁氧体磁性能的影响

以锰锌铁氧体废料所得预烧料为原料,以初始磁导率(μi)、品质因数(Q)、频率特性曲线、扫描电镜(SEM)图为表征手段,研究MoO3,Bi2O3,SnO2及CaCO3添加物对高导锰锌铁氧体的磁性能和微观结构的影响规律.实验结果表明:加入适量的MoO3,Bi2O3和SnO2,可以促进晶粒的生长,增加样环的烧结密度,提高初始磁导率:CaCO3的加入可以极大地改善铁氧体样环的频率特性:当MoO3,Bi2O3,SnO2和CaCO3的添加量(质量分数)分别为0.040％,0.035％,0.015％和0.020％时,综合性能达到最佳.     

Al2O3-Cr2O3固溶体烧结动力学研究

以纳米η-Al2O3与工业铬绿为原料,采用固相烧结的方法制备Al2O3-Cr2O3固溶体.以聚乙烯醇为结合剂,经过冷等静压成型后,分别以埋碳和空气两种气氛在1400～1600℃常压烧结.研究不同气氛、不同温度下试样的性能、显微结构和烧结动力学.在烧结过程中,随温度升高,两种不同气氛的Al2O3-Cr2O3固溶体晶粒生长指数减小,晶粒生长活化能下降.埋碳气氛下Al2O3-Cr2O3固溶体平均晶粒生长指数为1.763,晶粒生长主要受晶界的曲率和一小部分体积扩散控制;空气气氛下Al2O3-Cr2O3固溶体平均晶粒生长指数为3.454,晶粒生长主要受离子随机越过晶界和体积扩散控制.对比晶粒生长活化能发现,空气气氛更有利于Al2O3-Cr2O3固溶体晶粒的生长发育,但当温度过高时应考虑CrO3的挥发对晶粒生长的影响.     

掺杂对高导MnZn铁氧体材料性能的影响

采用传统陶瓷工艺制备了高磁导率MnZn铁氧体材料.从分析材料微观结构入手,研究了SnO2和Nb2O5掺杂对高磁导率MnZn铁氧体材料性能的影响.Sn4 能进入尖晶石晶格内,由于电中性条件可使Fe3 转化为Fe2 并生成相对稳定的Sn4 -Fe2 对,从而有效补偿磁晶各向异性常数K1,且Sn4 可促进晶粒均匀生长,提高材料的起始磁导率及烧结密度,有效降低材料的比损耗因子.Nb2O5的添加起到细化晶粒的作用,可以改善材料的频率特性,降低材料损耗,磁导率稍有降低,但当Nb2O5的质量分数大于0.005%时会显著降低材料的起始磁导率.     

Bi0.5Na0.5TiO3无铅压电陶瓷的结构有序化控制

以片状SrTiO3晶粒作为模板,使用模板晶粒生长法(TGG)控制制备[001]取向的有序化Bi0.5Na0.5TiO3压电陶瓷,同时研究了过量Bi2O3、烧结温度以及掺MnO对Bi0.5Na0.5TiO3有序度的影响.研究结果表明,过量Bi2O3的最佳掺入量为BNT粉料质量的1%;1190℃是合适的烧结温度,在1190℃下,BNT-1试样的有序度相对较高,有序度为88.2%;MnO的加入有效地提高了试样的有序度,并且降低了试样的烧结温度,同时也使得烧结温度范围变窄.在烧结温度为1170℃下,掺质量分数为0.3% MnO的BNT-1试样的有序度为91.1%.     

多层晶粒生长法制备织构化CaBi_4Ti_4O_(15)压电陶瓷

采用新型的丝网印刷晶粒定向技术,以Bi2O3,CaCO3和Ti O2纳米粉体为原料,无需模板晶种直接制备出高度织构化的CaBi4Ti4O15陶瓷.系统研究了烧结温度、时间、升温速度以及原料粉体颗粒度对晶粒定向的影响,在1000～1180℃范围内烧结4h后获得高达94.1%的晶粒取向度.利用XRD和SEM等手段探讨了丝网印刷工艺的晶粒定向生长机理,认为丝网印刷可获得极薄的颗粒层,层间存在间隙,各层内的颗粒由于在平行界面方向生长不受限制,使其该界面方向的晶粒尺寸大于其它方向,从而最终得到晶粒高度定向的陶瓷.     

低温烧结Bi取代钇铁石榴石的复阻抗研究

用复阻抗的方法研究了低温烧结Bi取代钇铁石榴石的电性质.采用固相反应制备多晶钇铁石榴石陶瓷Y2BiFe5O12(YIG∶Bi)和Y3Fe5O12(YIG).采用X射线衍射衍射(XRD)表征粉末及陶瓷样品的相组成,结果表明,Bi取代可以显著降低钇铁石榴石的成相温度和烧结温度.复阻抗谱分析表明,YIG∶Bi样品的复阻抗谱表现为两个Cole-Cole半圆,其低频半圆和高频半圆分别对应高直流电阻的晶界和低直流电阻的晶粒的电响应,物理结构可以用由串联的两个RC回路组成的等效电路来表示;而YIG样品的复阻抗谱只有一个对应为晶界电响应的半圆,其等效电路为一个RC回路.电阻随温度的变化表明,材料的导电机制符合Arrhenius规律,为半导体型的热激活过程.     

合成抗水化性致密氧化钙砂的研究

以轻质碳酸钙为原料,研究了分别添加0~20%(摩尔分数)MgO和ZrO2对氧化钙砂烧结和抗水化性的影响.研究结果表明,轻质CaCO3烧结活性高,经1 400℃烧成即可获得相对密度96%以上的CaO砂,但由于CaO晶粒的异常生长,抑制了致密性的进一步提高.添加MgO和ZrO2,能够有效地抑制CaO晶粒生长,有利于气孔排除,促进CaO砂致密度的提高并改善其微观结构.当添加20%MgO时,发育良好的MgO晶粒占据了大部分CaO晶界三角区,形成结构均一的微观结构.当添加20%ZrO2时,CaO晶粒被生成的CaZrO3保护层包围.添加MgO和ZrO2以后,由于致密度的增加,CaO固溶体的形成(添加MgO...     

纳米Al2O3对纳米ZrO2(4Y)常压烧结致密特性及电性能影响

采用纳米ZrO2(4Y)粉和纳米Al2O3粉为原料,对掺少量Al2O3的ZrO2(4Y)陶瓷进行无比压烧结研究。实验结果表明,掺适量的Al2O3可提高致密度,降低烧结温度。掺1．0wt％纳米Al2O3在1200℃煅烧2小时的陶瓷致密度为99．0％,烧结体晶粒长大略减缓。在纳米ZrO2(4Y)中掺入少量的纳米Al2O3可降低电导活化能,提高电导率。     

Gd2O3的掺入对BaTiO3陶瓷的形貌及相变等性能的影响

通过先制备钛酸钡（BaTiO3）的纳米粉，然后按一定质量比与Gd2O3混合，烧结成陶瓷，利用XRD、RAMAN技术研究了Gd2O3的掺入对BT陶瓷结构的影响。通过SEM、DSC技术分别观察了Gd2O3对BT陶瓷颗粒形貌，一级相变的影响。研究表明：Gd2O3主要存在于晶界；由于Gd2O3引起的应力的作用，Gd2O3的对BT的振动模式和一级相变产生了一定的影响，影响最显的是对BaTiO3陶瓷微观颗粒的形状和大小。     

最新代高Bs低功耗MnZn铁氧体材料的制备

选用高纯度原料,采用传统的陶瓷制备工艺.合理确定原材料各组分配比,并优化添加CaCO3、TiO2、Nb2O5、V2O5等添加剂.根据MnZn铁氧体在各温区固相反应的机理,研究出烧结工艺与气氛的适配,研制出了高性能的高Bs低功耗MnZn铁氧体材料.     

Co_2O_3添加量对高频低功耗MnZn功率铁氧体性能的影响

采用氧化物陶瓷工艺制备高频低功耗MnZn功率铁氧体,研究不同Co2O3添加量对高频低功耗MnZn功率铁氧体微观结构及磁性能的影响。结果表明:适当的Co2O3添加可以提高样品的起始磁导率,并在宽温范围内具有低功耗特性;同时,适当的Co2O3添加降低了材料的剩磁,可改善材料的叠加特性。     

纳米SiO2对功率铁氧体材料磁性能的影响

研究了添加纳米SiO2对MnZn功率铁氧体材料磁性能的影响，并用AES和SEM对功率铁氧体材料的微结构和晶界进行了研究，结果表明晶界电阻率和功率损耗依赖于纳米SiO2加入量，加入的纳米SiO2量有一个最佳值．加入适量的纳米SiO2有助于降低MnZn功率铁氧体的功率损耗，其原因在于Si原子阻止了Nb原子和Ca原子进入铁氧体材料的晶格，与Nb原子和Ca原子一起富集到铁氧体材料的晶界处，形成具有高电阻率的晶界层，降低了铁氧体材料的涡流损耗．     

ZnO过量对MnZn铁氧体磁性能的影响

用化学共沉淀法制备了高磁导率MnZn铁氧体,研究了ZnO过量和不同烧结温度对样品磁性能的影响。随着ZnO含量的增加,样品的饱和磁化强度逐渐下降,而样品的磁导率逐渐增加,且样品的截止频率fr大于500kHz.     

Effect of La and Co-doping on microstructure and electrical properties of Bi FeO_3 thin films

Adding both La3＋and Co3＋was used to tune the microstructure and electrical properties of Bi Fe O3（BFO） thin films, and Bi1-xLaxFe0.90Co0.10O3 thin films were grown on the Sr Ru O3-buffered Pt-coated silicon substrates by a radio frequency sputtering. A polycrystalline structure with（110） orientation was shown in thin films, and their resistivity dramatically increases as the La3＋content increases. Their dielectric constant increases,and dielectric loss decreases with increasing La3＋content.In addition, their ferroelectric and fatigue properties were enhanced with rising La3＋content. The thin films with x = 0.03 have optimum electrical properties（e.g., remanent polarization 2Pr＊ 175.6 l C/cm2, coercive field2Ec＊ 699.5 k V/mm, dielectric constant er＊ 257 and tan d ＊ 0.038）, together with a good fatigue behavior. The impendence analysis of the films was conducted to identify the defects type during conductivity, and both hopping electrons and single-charged oxygen vacancies are mainly responsible for the conduction of grain and grain boundaries regardless of La3＋content. As a result, the doping with both La3＋and Co3＋benefits the improvement in the electrical properties of BFO thin films.     

低温度系数的高磁导率软磁Mn-Zn铁氧体的研制

利用溶胶一凝胶柠檬酸盐自燃烧法(sol-gel auto-combustion)制备出了低温度系数(αμ=O.2×10-6/℃)的高磁导率(μ=6500)纳米软磁Mn-Zn铁氧体材料。探究了该方法及工艺条件对软磁铁氧体性能的影响,并分析了掺杂少量co2+有利于提高温度稳定性的原因。     

MnZn铁氧体/PTFE复合材料的电磁性能研究

采用SrTiO3溶胶对MnZn铁氧体进行表面改性,得到MnZn铁氧体/SrTiO3复合粉体,以PTFE为基体,制备了的MnZn铁氧体/SrTiO3/PTFE复合材料。探讨了表面改性和热处理对复合材料电磁性能的影响。结果表明:复合材料在低频阶段具有较高磁导率和介电常数以及较低磁损耗和介电损耗,表面改性和热处理可以在一定程度上提高复合材料的电磁性,复合材料的介电频率响应符合德拜弛豫理论。     

精矿粉和Mn3O4制备类PC30 MnZn铁氧体

采用传统氧化物工艺,用精铁矿粉代替Fe2O3、用Mn3O4代替MnCO3制备出高性能功率软磁MnZn铁氧体,研究了精铁矿粉和Mn3O4制备MnZn铁氧体的固相反应及预烧温度、烧结温度和掺杂对样品磁性能的影响,选择合适的配方及制备工艺,用精铁矿粉和Mn3O4可以制备出综合性能达到日本TDK PC30材料性能水平的功率软磁MnZn铁氧体。此项目研究成功可使功率铁氧体成本大幅下降,促进精铁矿资源深度开发,具有显著的社会经济效益。     

温敏锰锌铁氧体的材料组成与居里温度的关系的研究

温敏铁氧体是近 1 0多年来才发展起来的具有较低居里温度的软磁铁氧体材料 ,可用来制作各种控温灵敏的磁性温敏传感器。本文通过研究温敏铁氧体的材料组成与居里温度的关系 ,发现在 Fe2 O3 含量一定时 ,居里温度在一定范畴内与 Zn O含量呈线性关系 ,并在大量实验的基础上给出了计算居里温度的经验公式