GD-a-SiC∶H薄膜光诱导电导变化

本文主要介绍了 GD—a—SiC∶H 薄膜长时间光照前后暗电导、光电导、缴活能的变化,并介绍了光照前后光电流与光强的关系.实验表明这种变化与样品的费米能级位置有关,电导激活能小的样品呈现正常的 S—W 效应.电导激活能大的样品呈现反常的 S—W 效应。     

退火对非晶态碲镉汞薄膜稳定态光电导的影响

利用射频磁控溅射方法,在宝石衬底上制备了非晶态碲镉汞(a-HgCdTe)薄膜。对原生a-HgCdTe薄膜进行了不同退火时间和不同退火温度的热退火,在80～300K温度范围内,分别测量了原生和退火处理后的a-HgCdTe薄膜样品的稳定态光电导,研究了退火时间和退火温度对非晶态HgCdTe薄膜的稳定态光电导和激活能的影响。结果表明,原生和退火a-HgCdTe薄膜的稳定态光电导具有热激活特性;随着退火时间增加或退火温度升高,a-HgCdTe薄膜的晶化程度提高,导致光电导增大,光电导激活能降低。利用非晶-多晶转变机制讨论了实验结果。     

高频溅射α-Si:F,H薄膜光电导的实验与计算

通过对射频溅射RF a-Si:F,H薄膜样品光电导随入射光的波长、光强以及温度变化的测量,定量地考察了带隙、带尾态的宽度和带隙中悬键态密度与氟含量的关系,给出了氟原子在网络中一种可能的分布形式。按照Rose模型,计算了电光导随温度的变化关系,给出了局域态分布的位置、高度、宽度以及俘获截面等参量,理论计算与实验符合较好。     

BiFeO_3-BaTiO_3颗粒膜的光电特性

利用磁控溅射方法在单晶n型Si(100)片上生长了BiFeO_3-BaTiO_3颗粒薄膜,研究了BiFeO_3-BaTiO_3颗粒膜在不同退火温度下的光电特性.实验结果表明,随着退火温度的升高,样品的光伏效应和光电导效应逐渐变大,这应该来源于BiFeO_3与BaTiO_3晶粒尺寸随退火温度增加而增加的特性.在400℃, 500℃和600℃退火的样品的光伏电压分别为90, 240和250 mV,其光电流与暗电流比率分别为28, 50和126.所有样品均具有良好的铁电性,在光照(光强20 mW/cm~2的白炽灯)条件下, 600℃退火样品的铁电电滞回线相比无光照时发生了明显的变化,样品的饱和电极化强度增大了2.3倍. BiFeO_3-BaTiO_3颗粒膜材料除了有显著的光伏效应和光电导效应外,光对它的铁电特性也有显著的调控作用.这可能对该材料在光电性能领域的应用有一定的促进作用.     

单斜相二氧化铪电子结构与光学性质的计算

基于密度泛函理论,利用超软赝势平面波方法首先对单斜晶相二氧化铪(m-HfO2)的电子结构进行了第一性原理计算,得到了能带结构、总态密度与分态密度.然后,对m-HfO2的光学线性响应函数随光子能量的变化关系进行了理论预测,计算得到了复介电函数、折射率、反射谱、吸收谱、光电导等光学性质,并从理论上对电子结构与光学性质之间的关系进行了分析讨论.     

非晶态硅氟合金光电导特性的研究

本文报道了对射频溅射α—Si:F薄膜光电导特性初步研究的结果。含氢和不含氢的样品是在Ar SiF_4和Ar SiF_4 H_2两种混合气体中分别制备的。对所有制得的样品测量了室温暗电导和在λ=6328及光照射样品表面功率密度为0.5mW/cm~2条件下测量了相应的光电导。实验结果表明(1)溅射α—Si:F薄膜有显著的光电响应;(2)光电导和暗电导的比值随气体的流量而接近成比例地变化。得到了最大σ_(ph)/σ_D比值为14000的薄膜样品;(3)溅射气氛中加入氢气对所得薄膜的光电导特性有一定影响。有关结果可用SiF_3、SiF_2H和SiFH_2键合组态的电子态不同解释。     

活性反应蒸发制备氢化非晶硅的稳态光电导和复合过程

本文报告了用掺杂和轻度磷掺杂的活性反应蒸发,制备氢化作品硅的稳态光电导对温度及光强的依赖特性.在研究的样品中复合率由复合中心的陷获空穴对自由电子的俘获过程所限制,掺杂改变了定域态分布的形状,因而改变了光电导与光强关系的指数ν.掺杂也改变了费米能(?)的定域态密度,轻度的磷掺杂可以使光电导增大,,当磷掺杂使费米能级与导带扩展态距离小于0.25eV 时光电导反而变小.     

利用射频PECVD技术低温制备纳米晶硅薄膜

利用射频等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术低温制备了氢化纳米晶硅(nc-Si:H)薄膜.通过优化沉积参数,得到晶粒尺度小于10 nm,晶态体积比为58%的nc-Si:H薄膜.对nc-Si:H薄膜的光电特性进行研究,结果表明,在100 mW/cm2的光照下,nc-Si:H薄膜的光电导率为1.5×10-3Ω-1.cm-1,室温暗电导率为8.4×10-4Ω-1.cm-1,光学带隙为1.46 eV.利用射频PECVD制备的nc-Si:H薄膜具有明显的量子点特征.     

Ba_2GaTaO_6的电子结构和光学性质

基于第一性原理密度泛函理论研究了Ba_2GaTaO_6的电子结构和光学性质.以Fm3m空间群结构作为初始结构,对晶体几何结构进行了优化获得了稳定结构.通过能带结构、态密度和投影态密度分析了Ba_2GaTaO_6电子结构的特点.计算了吸收系数、反射系数、折射系数和光电导等随入射光频率的变化,对所得可见光和紫外光区的结果进行了重点分析.结果显示Ba_2GaTaO_6是一种对紫外线有强吸收的透明光学材料.     

非晶硅氢薄膜材料光稳定性的研究

研究a Si:H薄膜样品在长时间强光照后会引起光、暗电导率的降低 (S W效应 )及薄膜的光转换效率 实验表明 ,随着光照时间增加 ,薄膜的光接受灵敏度下降 ,光电转换效率也相应降低 ,就此提出了S W效应发生的微观模型     

超快光电导开关瞬态电阻计算方法

应用电磁学原理,研究了光电导开关输出电流中的位移电流和传导电流,认为位移电流可以由内建电场变化和负载分压过程引起.内建电场变化引起的位移电流在大间隙光电导开关中可以忽略;负载分压引起的位移电流能够抑制光电导开关输出电流的变化.横向光电导开关的输出电流主要依赖电极吸收载流子形成的传导电流和负载分压引起的位移电流.建立了基于载流子输运过程与瞬态电磁过程的全电流模型.根据此模型得到了光电导开关瞬态电阻计算方法,与电导率模型相比,该方法可以更精确描述超快光电导开关的瞬态电阻.     

李超三系上带有权λ的导子

通过给出李超三系上带有权λ的(θ,φ)-导子和带有权λ的Jordan(θ,φ)-导子的定义,得到了李超三系上带有权λ的Jordan(θ,φ)-导子是带有权λ的(θ,φ)-导子的充分条件,证明了李超三系上带有权λ的Jordanθ-导子即为带有权λ的θ-导子,并对李超三系上的(θ,φ)-导子进行了推广.     

聚酰亚胺及其等离子掺硅薄膜的光电导性能研究

本文用SiH_4等离子放电对聚酰亚胺薄膜掺硅,显著提高了光电导性.对掺杂后的薄膜的结构和光电导特征做了x 射线光电子能谱、光吸收谱和光电流谱分析.首次采用光刺激电流法(PSC)分析了聚酰亚胺及其掺硅薄膜的陷阱能级、分布和密度等参数,为分析光电导机理提供了可靠依据.     

a—Si∶H(He)和a—Si∶H合金的光电性质

本文研究了用氦和氢稀释硅烷GD淀积a-Si:H膜的光电性质。测量了两种薄膜的光电导、光吸收系数、红外吸收谱和光致发光谱。实验表明用氦稀释的a-Si:H膜具有更高的光电导、更大的长波可见光吸收系数和较低的缺陷态密度,a-Si:H(He)膜是一种可供选择的廉价太阳电池的基本材料。     

李超三系上带有权λ的广义导子

给出了李超三系上带有权λ的广义(θ,φ)-导子和带有权λ的广义Jordan(θ,φ)-导子的定义,得到了李超三系上带有权λ的广义Jordan(θ,φ)-导子是带有权λ的广义(θ,φ)-导子的充分条件,对李超三系上广义导子的相关结果进行了推广.     

任意空间维倾斜狄拉克费米子的带内纵向光电导的推导

狄拉克费米子是当前凝聚态物理中的研究热点.狄拉克费米子的纵向光电导，因其能够提取能带结构信息而被广泛关注.本文基于低能有效模型与线性响应理论，利用生成函数方法，解析地处理零温下任意空间维、任意倾斜相的狄拉克费米子的带内纵向光电导.特别地，我们讨论了二维和三维空间情况，并揭示了不同维度的倾斜类型对带内纵向光电导的影响.文中发展的生成函数方法有望用于其他相关问题的研究.     

用温度调制空间电荷限制电流法研究GD-a-Sic∶H膜的隙态密度

本文用温度调制空间电荷限制电流法测得了 GD-a-Si_(1-x)C_x∶H 膜不同碳含量 x 时的隙态密度,得到了光处理前后隙态密度的变化情况,发现强光照后存在有光诱导缺陷态效应,文中还就该方法本身的优越性进行了讨论.     

(167)~Lu负宇称Yrast带的研究(英文)

应用粒子-转子模型研究了~(167)Lu负宇称Yrast态带交叉前后的能谱和跃迁几率,并同实验值进行了比较,符合较好.研究表明:ab公式正确地描述了带交叉前后核心的转动惯量随角动量Ⅰ的变化,并指出~(167)Lu负宇称Yrast态是三轴形变的.     

氢化非晶氮化硅光电导性质的研究

研究了辉光放电方法在不同衬底温度下制备的一系列样品的稳态光电导和瞬态光电导。在辐照光强变化四个数量级的范围内,稳态光电导率与光强之间呈幂指数关系,指数γ的值确定为0.5～0.8之间。光电导与样品氮含量之间的关系表明,要获得光电导好的a—SiNx:H样品,制备衬底温度应比制备a—Si:H样品高50～100℃。对瞬态光电导的响应时间与辐照光强之间的关系也进行了研究。     

基于NSCT和SQI的光照不变量及人脸识别

为了消除光照变化对人脸识别的影响,提出了一种结合无下采样轮廓波变换(Nonsub-sampled contourlet transform,NSCT)和自商图像(Self-quotient image,SQI))的光照不变量提取算法。该算法首先对图像进行伽玛校正,一定程度上减弱了不同光照条件的影响,然后使用NSCT对伽玛校正后图像进行多尺度多方向分析,使用自适应NormalShrink方法对各高频子带进行滤波,通过反无下采样轮廓波变换得到平滑图像,最后利用SQI提取光照不变量。在YaleB与CMUPIE人脸库上的实验结果表明:所提出的算法能够有效消除光照变化对人脸识别的影响,识别率高于多尺度Retinex(Multiscale Retinex,MSR)、SQI和对数全变差(Logarithmic totalvariation,LTV)等方法。