二维粗锐结构声子晶体带结构的计算

提出二维粗锐结构声子晶体模型,采用平面波展开法数值计算了不同体积填充率下二维正方粗锐和圆粗锐结构声子晶体的带结构.计算结果表明,利用粗锐结构的散射体同样可获得较宽的完全带隙,正方粗锐和圆粗锐结构的声子晶体最大带隙分别出现在体积填充率为f=0.3136和f=0.3216处.     

高等师范院校物理学专业课程设置改革探讨

阐述了高等师范院校物理学专业课程设置改革的指导思想和几项改革措施 ,提出了物理学专业课程设置的具体改革方案     

论热力学公式TdS≥dU+pdV

对于无限小过程热力学第二定律的数学表达式为 ds≥dQ/T (1) 其中S是系统的熵,dQ是系统从外界吸收的热量,T是外界的温度,等号适用于可逆过程,不等号适用于不可逆过程。考虑只有一个外参量体积V的封闭系统,热力学第一定律写作 dQ=dU+pdV (2) 代入(1)式中等式得     

论热力学公式TdS≥dU+pdV

对于无限小过程热力学第二定律的数学表达式为其中S是系统的熵,(?)Q是系统从外界吸收的热量,T是外界的温度,等号适用于可逆过程,不等号适用于不可逆过程。     

利用射频PECVD技术低温制备纳米晶硅薄膜

利用射频等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术低温制备了氢化纳米晶硅(nc-Si:H)薄膜.通过优化沉积参数,得到晶粒尺度小于10 nm,晶态体积比为58%的nc-Si:H薄膜.对nc-Si:H薄膜的光电特性进行研究,结果表明,在100 mW/cm2的光照下,nc-Si:H薄膜的光电导率为1.5×10-3Ω-1.cm-1,室温暗电导率为8.4×10-4Ω-1.cm-1,光学带隙为1.46 eV.利用射频PECVD制备的nc-Si:H薄膜具有明显的量子点特征.     

利用13.56MHz射频PECVD技术高速沉积器件级质量的μc-Si:H薄膜材料

利用13．56MHz射频等离子体增强化学气相沉积(RF—PEcVD)技术，高速沉积器件级质量的微晶硅(μc-Si：H)薄膜，研究了沉积压力、射频功率、电极间距、氢稀释度等参数对沉积速率的影响，通过选择适当的沉积参数．得到了沉积速率为0．3～0．4nm／s的μc-Si：H薄膜材料．薄膜的暗电导为10^-7S／cm量级,光电导与暗电导之比近似为2个量级．电导激活能为0．52eV左右．所得的μc-Si：H薄膜材料稳定性好，达到了器件级质量。     

用变分拟合方法计算电场下锯齿型多量子阱的激子结合能

采用一种变分拟合的简单方法计算了电场下锯齿型多量子阱的激子结合能,对计算结果给出了合理的解释     

T型量子线的电子结构计算

在周期性边界条件下，利用平面波展开计算了Ｔ型量子线的电子结构，通过构造能级的拟合公式，由小数目平面波展开得到的能量值求得原来只能借助大数目平面波展开才能得到的能量值，避免了大型矩阵的角化，并给出了计算实例。     

关于一维三元准周期模型的讨论

研究了替代关系为Ａ→ＡＢ，Ｂ→Ｃ，Ｃ→Ａ序列上的一维三元类Ｆｉｂｏｎａｃｃｉ模型的结构、能谱和波函数的性质，发现这个模型以无序性为主要特征，准周期性表现的并不明显，不应作为理论研究中的准周期模型。我们给出一个替代关系为Ａ→ＡＢＣ，Ｂ→Ａ，Ｃ→Ｂ序列上的三元广义Ｆｉｂｏｎａｃｃｉ模型，呈现出明显的准周期性，可作为一个三元准准周期模型进一步讨论。     

一维准周期结构声子晶体带隙特性的研究

提出一种层厚递变式一维准周期结构声子晶体模型,数值计算了弹性波通过该一维准周期结构声子晶体的透射系数,并与周期结构声子晶体的透射系数进行了比较.计算发现,利用准周期排列的特殊结构可以有效地调节声子晶体的带隙宽度和所在的频率范围.