| 氢化非晶氮化硅光电导性质的研究 |
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| 引用本文： | 马玉蓉,李清山,谭石慈.氢化非晶氮化硅光电导性质的研究[J].中国科学技术大学学报,1988(1). |
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| 作者姓名： | 马玉蓉 李清山 谭石慈 |
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| 作者单位： | 中国科学技术大学物理系，山东曲阜师范大学，中国科学技术大学物理系 进修教师 |
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| 摘 要： | 研究了辉光放电方法在不同衬底温度下制备的一系列样品的稳态光电导和瞬态光电导。在辐照光强变化四个数量级的范围内,稳态光电导率与光强之间呈幂指数关系,指数γ的值确定为0.5～0.8之间。光电导与样品氮含量之间的关系表明,要获得光电导好的a—SiNx:H样品,制备衬底温度应比制备a—Si:H样品高50～100℃。对瞬态光电导的响应时间与辐照光强之间的关系也进行了研究。
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| 关 键 词： | 氢化非晶硅 氮化硅 光电导 |
Photoconductivity Of Hydrogenated Amorphous Silicon Nitride |
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| Ma Yurong,Li Qingshan,Tan Shici.Photoconductivity Of Hydrogenated Amorphous Silicon Nitride[J].Journal of University of Science and Technology of China,1988(1). |
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| Authors: | Ma Yurong Li Qingshan Tan Shici |
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| Institution: | Ma Yurong;Li Qingshan;Tan Shici Department of Physics |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | a-Si:H SiN_x photoconductivities |
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